半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板的制作方法

文档序号:10161293
半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体镀膜设备用的一种防止空心阴极放电的新型喷淋板,该喷淋板主要应用于半导体镀膜设备反应腔内高温工艺过程中,属于半导体薄膜沉积的应用技术领域。
【背景技术】
[0002]现有的半导体镀膜设备的喷淋板的小孔采用阶梯式结构,背面的孔较大,在高温工艺过程中,电子会较容易通过小孔到喷淋板的背面,由于背面的孔径处于容易产生空心阴极放电的翘程范围内,因此会在喷淋板背面形成辉光区,影响工艺质量,进而影响产品的良率。

【发明内容】

[0003]本实用新型以解决上述问题为目的,设计了直孔型喷淋板,解决现有设备工艺过程中由空心阴极放电引起的弧光放电问题。
[0004]为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板,包括制有固定螺孔的喷淋板主体,喷淋板主体上制有小孔。
[0005]进一步小孔采用细长结构;
[0006]进一步小孔的直径与长度比达到1:6以上,最大为1:15。
[0007]进一步小孔采用正三角形阵列方式分布,其开孔区域略大于晶圆面积。
[0008]本实用新型可有效阻碍电子通过小孔,从而避免喷淋板背面的辉光放电,改善工艺稳定性。
[0009]本实用新型的有益效果及特点在于:
[0010]1、结构简单;
[0011]2、安全可靠。
[0012]3、可广泛地应用于半导体薄膜沉积技术领域。
【附图说明】
[0013]图1是本实用新型的结构示意图。
[0014]图2为局部的小孔分布示意图。
[0015]图3为小孔剖面图。
【具体实施方式】
[0016]实施例
[0017]参照图1-图3,半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板,包括制有固定螺孔3的喷淋板主体1,喷淋板主体1上制有小孔2。
[0018]所述小孔2采用细长结构;
[0019]所述小孔2的直径与长度比达到1:6以上,最大为1:15 ;
[0020]所述小孔2采用正三角形阵列方式分布,其开孔区域略大于晶圆面积。
[0021]本实用新型中由于小孔2采用细长直孔结构,孔的流阻很大,喷淋板背面与正面之间存在较大的压力差,因此工艺气体从喷淋板主体1上方充分混合后,能够均匀地从小孔2喷出。工艺过程中,自由电子在通过小孔2时,要消耗一定能量,由于小孔2的细长结构,自由电子还未通过小孔,自身能量就消耗掉了,无法通过小孔2,也就避免了小孔背面的辉光放电问题。
【主权项】
1.一种半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板,其特征在于:它包括制有固定螺孔的喷淋板主体,所述喷淋板主体上制有小孔,所述小孔采用细长结构;所述小孔的直径与长度比达到1:6以上,最大为1:15。2.如权利要求1所述的半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板,其特征在于:所述小孔采用正三角形阵列方式分布,其开孔区域略大于晶圆面积。
【专利摘要】一种半导体镀膜设备反应腔用新型喷淋板,主要解决现有设备工艺过程中由空心阴极放电引起的弧光放电问题。它包括制有固定螺孔的喷淋板主体,喷淋板主体上制有小孔。所述小孔采用细长结构,其直径与长度比达到1:6以上,最大为1:15。所述小孔采用正三角形阵列方式分布,其开孔区域略大于晶圆面积。本实用新型可有效阻碍电子通过小孔,从而避免喷淋板背面的辉光放电,改善工艺稳定性。具有结构简单、安全可靠的特点。可广泛地应用于半导体薄膜沉积技术领域。
【IPC分类】C23C16/455
【公开号】CN205077140
【申请号】CN201520639274
【发明人】柴智
【申请人】沈阳拓荆科技有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月21日
再多了解一些
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