金属有机化合物源的供应系统的制作方法

文档序号:10204901阅读:555来源:国知局
金属有机化合物源的供应系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种金属有机化合物源的供应系统。
【背景技术】
[0002]气相沉积法作为半导体制造领,生长化合物的主要方法,其包括物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n,简称 PVD)法和化学气相沉积(Chemical VaporDeposit1n,简称 CVD)法。
[0003]CVD法中的金属有机化合物化学气相沉积(Metal Organic Chemical VaporD印osit1n,简称MOCVD)法,可以是通过MOCVD设备根据M0源生长。通常单个M0CVD设备可与一个M0源单瓶连接,接收该一个M0源单瓶传输的M0源,继而根据接收到的M0源进行生长。多个M0CVD设备中的每个M0CVD设备连接的M0源单瓶需要单独进行更换。生成规模的增长,M0源的消耗增大,使得多个M0CVD设备进行M0源单瓶的更换效率较低。
[0004]然而,M0源单瓶的更换效率较低,使得化合物的生长效率较低。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供一种金属有机化合物源的供应系统,以提高化合物的生长效率。
[0006]本实用新型实施例提供一种金属有机化合物源的供应系统,包括:金属有机化合物M0源容器,和多个金属有机化合物化学气相沉积M0CVD ;
[0007]所述M0源容器,与所述多个M0CVD设备中的每个M0CVD设备,通过传输管道连接。
[0008]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统中,所述每个M0CVD设备与所述M0源容器间的所述传输管道上还包括:截止阀。
[0009]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统中,所述多个M0CVD设备中各M0CVD设备与所述M0源容器通过所述传输管道并联。
[0010]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统中,所述传输管道还包括:保温装置。
[0011]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统中,所述保温装置为缠绕在所述传输管道外壁的保温带。
[0012]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统中,所述M0源容器位于温度为预设温度的恒温槽中。
[0013]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统中,所述M0源容器的M0源可以包括以下任一:
[0014]三甲基镓TMGa、三甲基铟TMIn、三甲基铝TMA1、三乙基镓TEGa、二茂镁Cp2Mg。
[0015]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统,可包括M0源容器,和多个M0CVD设备,该M0源容器,与该多个M0CVD设备中的每个M0CVD设备,通过传输管道连接,因此,M0源容器可通过传输管道向该多个M0CVD设备传输各自所需的M0源,无需针对每个M0CVD设备进行M0源容器的单独更换,提高M0源容器的更换效率,从而提高化合物的生长效率。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型实施例提供的一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图;
[0017]图2为本实用新型实施例提供的另一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图;
[0018]图3为本实用新型实施例提供的又一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图;
[0019]图4为本实用新型实施例提供的再一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图;
[0020]图5为本实用新型实施例提供的再一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图;
[0021]图6为实用新型实施例提供的又一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图。
[0022]附图标记说明:
[0023]101、601:M0 源容器;
[0024]102、602:M0CVD 设备;
[0025]103:传输管道;
[0026]201、606:截止阀;
[0027]401、607:保温装置;
[0028]501、605:恒温槽;
[0029]603:载气管道;
[0030]604:M0 源管道。
【具体实施方式】
[0031]本实用新型实施例提供一种金属有机化合物源的供应系统。图1为本实用新型实施例提供的一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图。如图1所示,金属有机化合物源的供应系统可包括:M0源容器101,和多个M0CVD设备102。
[0032]M0源容器101中所盛装的M0源可以为该多个M0CVD设备102所需的M0源。该多个M0CVD设备102所需的M0源可以为一种类型的M0源,那么M0源容器101中所盛装的M0源则可以为该一种类型的M0源。M0源容器101可以为最大容量的该一种类型的M0源的容器,也就是说,该M0源容器101所盛装的M0源可以为预设范围内的最大容量的M0源。举例来说,M0源容器101可以为全厂内的该一种类型的M0源的最大容器,也就是说,M0源容器101所盛装的M0源可包括全厂内的最大容量的M0源。
[0033]M0源容器101,与该多个M0CVD设备102中的每个M0CVD设备,通过传输管道103连接。
[0034]传输管道103为M0源的传输管道。M0源容器101可通过传输管道103将该M0源容器101中的M0源传输至该多个M0CVD设备102中的各M0CVD设备中,使得该多个M0CVD设备102中各MOCVD设备分别根据接收到的M0源采用M0CVD法进行生长。
[0035]本实用新型实施例提供的金属有机化合物源的供应系统,可包括M0源容器,和多个M0CVD设备,该M0源容器,与该多个M0CVD设备中的每个M0CVD设备,通过传输管道连接,因此,M0源容器可通过传输管道向该多个M0CVD设备传输各自所需的M0源,无需针对每个M0CVD设备进行M0源容器的单独更换,提高M0源容器的更换效率,从而提高化合物的生长效率。
[0036]该M0源容器可以为预设范围内的最大容量的M0源的容器,可降低M0源容器的更换频率,保证生产的化合物的稳定性。
[0037]可选的,本实用新型实施例还提供另一种金属有机化合物源的供应系统。图2为本实用新型实施例提供的另一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图。如图2所示,可选的,如上所示的金属有机化合物源的供应系统中,该多个M0CVD设备102中每个M0CVD设备与M0源容器101间的传输管道103上还包括:截止阀201。
[0038]该多个M0CVD设备102中每个M0CVD设备与M0源容器101间的传输管道103上包括截止阀201,因此可通过对截止阀201进行的开关进行控制,从而对M0源容器101传输至该多个M0CVD设备102中每个M0CVD设备的M0源的量进行控制,从而对每个M0CVD设备生产的化合物进行控制,保证化合物的性能。
[0039]可选的,本实用新型实施例还提供又一种金属有机化合物源的供应系统。图3为本实用新型实施例提供的又一种金属有机化合物源的供应系统的结构示意图。如图3所示,如上所示的金属有机化合物源的供应系统的基础上,若金属有机化合物源的供应系统中,该多个M0CVD设备102中各M0
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