一种蓝色真空镀膜结构的制作方法
【专利说明】
[技术领域]
[0001 ]本实用新型涉及真空镀膜，尤其涉及一种蓝色真空镀膜结构。
[【背景技术】]
[0002]传统的蓝色真空镀膜结构在基材上真空镀ZrCN膜或ALN膜，其中ZrCN膜采用多弧离子镀，ALN膜采用磁控溅射镀。以上的蓝色真空镀膜结构存在以下缺点:
[0003]1.镀制的ZrCN膜，被人手触摸之后，手印很难擦拭干净，同时其膜层会被手汗腐蚀产生变色。
[0004]2.ZrCN膜层采用多弧离子镀，镜面效果的工件采用该工艺时，因等离子体的能量过高，会使镜面发麻、发蒙。
[0005]3.镀制ALN膜层的工件暴露在空气中时，其膜层中的Al很容易被空气中的氧气氧化，致膜层产生变色。
[0006]4.ZrCN与ALN的膜系结构，其LAB中的B值不够小，即颜色不够艳丽。
[
【发明内容】
]
[0007]本实用新型要解决的技术问题是提供一种手印容易擦拭、不易变色的蓝色真空镀膜结构。
[0008]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是，一种蓝色真空镀膜结构，包括基材、蓝色膜和AF透明保护膜，AF透明保护膜覆盖在蓝色膜的顶面;蓝色膜覆盖在基材的顶面。
[0009]以上所述的蓝色真空镀膜结构，所述的基材为金属基材或陶瓷基材。
[0010]以上所述的蓝色真空镀膜结构，包括Cr底膜和过渡膜，Cr底膜镀在基材的顶面，过渡膜镀在Cr底膜的顶面，蓝色膜镀在过渡膜的顶面，蓝色膜镀在基材的顶面。
[0011]以上所述的蓝色真空镀膜结构，所述的蓝色膜是TinO膜。
[0012]以上所述的蓝色真空镀膜结构，Cr底膜的厚度为0.1-1.Ομπι。
[0013]以上所述的蓝色真空镀膜结构，过渡膜的厚度为0.1-0.3μπι。
[0014]以上所述的蓝色真空镀膜结构，AF透明保护膜的厚度为100-500nm。
[0015]本实用新型蓝色真空镀膜结构的手印容易擦除、膜层不易变色。
[【附图说明】]
[0016]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0017]图1是本实用新型实施例蓝色真空镀膜结构的示意图。
[0018]图1中，1-基材，2-Cr底膜，3_Cr_Ti过渡膜，4_TinO蓝色膜，5-AF透明保护膜。
[【具体实施方式】]
[0019]本实用新型实施例蓝色真空镀膜结构如图1所示，包括基材、Cr底膜、Cr-Ti过渡膜、TinO蓝色膜和AF透明保护膜。基材可以是金属基材或陶瓷基材。
[0020]本实用新型实施例蓝色真空镀膜结构，通过以下步骤完成:
[0021 ] 101、把工件放置到磁控溅射镀膜机的真空室中，真空室中充入氩气；
[0022]102、采用真空磁控溅射方式在工件的基材表面镀制Cr底膜；
[0023]103、采用真空磁控溅射方式在Cr底膜上镀制Cr-Ti过渡膜；
[0024]104、采用真空磁控溅射方式在Cr-Ti过渡膜上镀制TinO蓝色膜；
[0025]105、采用真空蒸镀方式在TinO蓝色膜上镀制AF透明保护膜。
[0026]其中，Cr底膜可以增加膜层与基材的结合力;过渡膜层可增加膜层的结合力，同时逐步生产的多膜层结构，可提高膜层的致密度。
[0027]TinO蓝色膜颜色的LAB值范围为:L为35至70，A为-10至3，B为_5至-30。
[0028]本实用新型以上实施例相比于现有技术具有以下优点:
[0029]相比单膜系镀膜，采用多膜层逐层镀膜的膜系结构，使膜层更致密。采用Ti靶镀制蓝色膜层，其膜层颜色中的B值可以做到-30左右，相对Zr靶与Al靶镀制的颜色，此颜色更艳丽。在工艺最后阶段增加AF膜层，有效保护蓝色膜层，使复合膜层具有防指纹、不易变色的特性。
【主权项】
1.一种蓝色真空镀膜结构，包括基材，其特征在于，包括蓝色膜和AF透明保护膜，AF透明保护膜覆盖在蓝色膜的顶面;蓝色膜覆盖在基材的顶面。2.根据权利要求1所述的蓝色真空镀膜结构，其特征在于，所述的基材为金属基材或陶瓷基材。3.根据权利要求1所述的蓝色真空镀膜结构，其特征在于，包括Cr底膜和过渡膜，Cr底膜镀在基材的顶面，过渡膜镀在Cr底膜的顶面，蓝色膜镀在过渡膜的顶面，蓝色膜镀在基材的顶面。4.根据权利要求1所述的蓝色真空镀膜结构，其特征在于，所述的蓝色膜是TinO膜。5.根据权利要求3所述的蓝色真空镀膜结构，其特征在于，Cr底膜的厚度为0.1-1.Ομπι。6.根据权利要求3所述的蓝色真空镀膜结构，其特征在于，过渡膜的厚度为0.1-0.3μπι。7.根据权利要求1所述的蓝色真空镀膜结构，其特征在于，AF透明保护膜的厚度为100-500nmo
【专利摘要】本实用新型公开了一种蓝色真空镀膜结构，包括基材，蓝色膜和AF透明保护膜，AF透明保护膜覆盖在蓝色膜的顶面；蓝色膜覆盖在基材的顶面。本实用新型蓝色真空镀膜的蓝色膜层颜色艳丽、手印容易擦除、膜层不易变色。
【IPC分类】C23C14/14, C23C14/08, C23C28/00
【公开号】CN205368484
【申请号】CN201521136626
【发明人】石春放, 黄红勇, 段小燕, 段巧琴
【申请人】深圳市鑫景源科技有限公司
【公开日】2016年7月6日
【申请日】2015年12月31日