一种用于板式pecvd设备的石墨框的制作方法

文档序号:10739417阅读:628来源:国知局
一种用于板式pecvd设备的石墨框的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于板式PECVD设备的石墨框,包括复数个承载硅片的方格孔;石墨框的4条边上均设有复数个顶针结构;且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有至少1个顶针结构,使其内放置的硅片高出方格孔所在的水平面。本实用新型使石墨框四周边缘的方格孔内的硅片与石墨框之间保持一定的距离,从而避免了电池片与石墨框之间的鞘层效应,并以此达到改善上镀膜边缘色差和效率偏低的目的。
【专利说明】
-种用于板式PECVD设备的石墨框
技术领域
[0001] 本实用新型设及太阳能电池片生产领域,特别是一种用于板式PECVD设备的石墨 框,用于娃片的阳CVD锻膜工艺。
【背景技术】
[0002] 太阳能是一种没有污染、使用方便的可再生能源,有效地利用太阳能己经成为人 类的共识。在开发和利用太阳能的过程中,人们研制了太阳能电池,利用光伏效应直接把太 阳能转化为电能。在太阳能电池中,晶体娃太阳能电池占市场主要分额。在制备晶体娃太阳 能电池过程中,制备减反射膜是一个必不可少的工序。近几年来,氮化娃薄膜应用于晶体娃 太阳能电池的减反射膜,它不仅具有减反射膜的作用,还能起到纯化作用,其成膜工艺、纯 化及减反射性能受到人们的重视。
[0003] 目前,制备氮化娃薄膜主要采用等离子体增强化学气相沉淀(PECVD)的方法,其使 用的设备主要有倒挂式PECVD设备和板式PECVD设备。现有的板式PECVD设备中承载娃片工 装主要包括石墨框和架于石墨框上的石墨碳板;所述石墨框一般呈长方形,其2条长边上设 有多个支撑片,用来支撑石墨碳板。石墨碳板上设有多个承载娃片的方格孔1。娃片需要锻 膜时,将娃片2水平放置在石墨碳板的方格孔内,每一个方格孔内放置一片娃片。参见图^2 所示。
[0004] 然而,实际应用发现:当载有电池片的石墨框运行至工艺反应腔体内时,石墨框边 缘处与电池片直接接触的区域,受等离子体中銷层现象的影响,会导致石墨框边缘处电池 片沉积的氮化娃薄膜偏低,从而产生色差现象;此外,边缘两列电池片受色差影响,其转换 效率(EF巧偏低0.05%W上,影响了电池片的外观和质量。

【发明内容】

[0005] 本实用新型的目的在于提供一种用于板式PECV的受备的石墨框。
[0006] 为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于板式PECVD设备的石墨 框,包括复数个承载娃片的方格孔;石墨框的4条边上均设有复数个顶针结构;且位于石墨 框四周边缘的方格孔内具有至少1个顶针结构,使其内放置的娃片高出方格孔所在的水平 面D
[0007] 优选的,所述顶针结构使方格孔内放置的娃片高出方格孔所在的水平面0.5~10 mm D
[000引上述技术方案中,所述石墨框的边上设有插槽,插槽内插设有顶针,构成所述顶针 结构。
[0009] 优选的,所述顶针的厚度为0.^30 mm。
[0010] 上述技术方案中,所述位于石墨框四周边缘的方格孔内具有^5个顶针结构。
[0011] 由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
[0012] 1.本实用新型通过在石墨框的边上设置顶针结构,使石墨框四周边缘的方格孔内 的娃片与石墨框之间保持一定的距离,从而避免了电池片与石墨框之间的銷层效应,并W 此达到改善上锻膜边缘色差和效率偏低的目的;提高了电池片的外观和质量;
[0013] 2.本实用新型的结构简单,成本较低,适于推广应用。
【附图说明】
[0014] 图1为【背景技术】中板式阳CV的受备的石墨框的结构示意图。
[0015] 图2为【背景技术】中石墨框四周边缘的方格孔内放置娃片的侧视图。
[0016] 图3为本实用新型实施例一的结构示意图。
[0017] 图4为本实用新型实施例一中石墨框四周边缘的方格孔内放置娃片的侧视图。
[0018] 图5为本实用新型实施例一中顶针结构中顶针的结构示意图。
[0019]其中:1、方格孔;2、娃片;3、边;4、顶针结构。
【具体实施方式】
[0020] 下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
[0021] 实施例一;
[0022] 参见图3~5所示,一种用于板式阳CVD设备的石墨框,包括复数个承载娃片的方格 孔1;石墨框的4条边3上均设有复数个顶针结构4;且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有2 个顶针结构,使其内放置的娃片高出方格孔所在的水平面。
[0023] 所述顶针结构使方格孔内放置的娃片高出方格孔所在的水平面5 mm。
[0024] 所述石墨框的边上设有插槽,插槽内插设有顶针,构成所述顶针结构。
[00巧]所述顶针的厚度为10 mm。
[0026] 对比例一
[0027] 采用【背景技术】中板式阳CV的受备的石墨框。
[0028] 然后采用实施例一和对比例一的设备制备氮化娃薄膜,测试其均匀性和转换效率 (EFF),对比如下: r00991
L0031J 从上表可见,与对比例一相比,本实用新型避免r电池片与石墨枢之同的稱层效 应,达到了改善上锻膜边缘色差和效率偏低的目的;最终提高了电池片的外观和转换效率。
【主权项】
1. 一种用于板式PECVD设备的石墨框,包括复数个承载硅片的方格孔(1);其特征在于: 石墨框的4条边(3)上均设有复数个顶针结构(4);且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有 至少1个顶针结构,使其内放置的硅片高出方格孔所在的水平面。2. 根据权利要求1所述的用于板式PECVD设备的石墨框,其特征在于:所述顶针结构使 方格孔内放置的硅片高出方格孔所在的水平面〇. 5~10 mm。3. 根据权利要求1所述的用于板式PECVD设备的石墨框,其特征在于:所述石墨框的边 上设有插槽,插槽内插设有顶针,构成所述顶针结构。4. 根据权利要求3所述的用于板式PECVD设备的石墨框,其特征在于:所述顶针的厚度 为0·1~30 mm。5. 根据权利要求1所述的用于板式PECVD设备的石墨框,其特征在于:所述位于石墨框 四周边缘的方格孔内具有1~5个顶针结构。
【文档编号】C23C16/458GK205420543SQ201520714692
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年9月15日
【发明人】袁中存, 党继东, 张标, 沈波涛
【申请人】盐城阿特斯阳光电力科技有限公司, 苏州阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
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