一种等离子体化学气相沉积镀膜装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种等离子体化学气相沉积镀膜装置，涉及技术领域。该实用新型包括真空室，真空室内设置有阴极屏、工件架和偏压电源，阴极屏设置在真空室的下部，工件架设置在阴极屏上，偏压电源设置在真空室外部，偏压电源包括第一偏压电源和第二偏压电源，第一偏压电源与阴极屏连接，第二偏压电源与工件台连接，真空室接地。本实用新型结构简单、易于制造、成本低廉，提高了生产效率，降低了生产成本，具有极大的生产实践意义。
【专利说明】
一种等离子体化学气相沉积镀膜装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种镀膜设备技术领域，特别是涉及一种等离子体化学气相沉积镀膜装置。
【背景技术】
[0002]等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposit1n)简称PCVD.是一种用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下，源气体电离形成等离子体，利用低温等离子体作为能量源，通入适量的反应气体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激活能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。
【实用新型内容】
[0003]针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种等离子体化学气相沉积镀膜装置，使其结构简单、易于制造、成本低廉，提高了生产效率，降低了生产成本，具有极大的生产实践意义。
[0004]为了解决上述问题，本实用新型提供一种等离子体化学气相沉积镀膜装置，其中，包括真空室，所述真空室内设置有阴极屏、工件架和偏压电源，所述阴极屏设置在所述真空室的下部，所述工件架设置在所述阴极屏上，所述偏压电源设置在所述真空室外部，所述偏压电源包括第一偏压电源和第二偏压电源，所述第一偏压电源与所述阴极屏连接，所述第二偏压电源与所述工件台连接，所述真空室接地。
[0005]优选的，所述真空室的左端设置有气体入口，所述真空室的右端设置有抽气口。
[0006]优选的，所述真空室的上端设置有加热灯丝。
[0007]优选的，所述阴极屏的下端设置有阴极屏座，所述阴极屏座的底端与所述真空室的底端固定连接。
[0008]与现有技术相比，本实用新型具有以下优点:
[0009]本实用新型结构简单、易于制造、成本低廉，提高了生产效率，降低了生产成本，具有极大的生产实践意义。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的实施例结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图与实例对本实用新型作进一步详细说明，但所举实例不作为对本实用新型的限定。
[0012]如图1所示，本实用新型的实施例中，真空室I接地，加热灯丝2位于真空室I的上端，在工件4温度不够高时使用；阴极屏3设置在真空室I内，由阴极屏座9支撑，工作时向阴极屏3施加负偏压，偏压连续可调;工件4设置在阴极屏3内，由工件架8支撑，工作时向工件4施加比阴极屏3更低的负偏压，偏压连续可调;气体入口 5与抽气口 7分别位于真空室I侧面，等离子体区6在阴极屏内，电场方向为由阴极屏3指向工件。
[0013]本实施例的工作过程:启动真空系统的机械栗对真空室I进行抽气，真空室I达到本体真空之后，向阴极屏3充入工作气体Ar，到达一定真空度后，启动阴极屏3与工件4的偏压电源，设置为工件4偏压的绝对值高于阴极屏3，使电子受电场力的作用加速向阴极屏3运动，电子在运动过程中与工作气体Ar原子发生碰撞并产生高浓度的等离子体，电离的Ar离子轰击工件4，使工件4升温；同时通入工作气体，在极强的离子能量与较高的温度环境下，工作气体在工件4表面产生化学反应，同时沉积在工件4表面。在工作过程中，若化学反应温度不够高，也可开启加热灯丝，使其温度进一步提高。
[0014]本发明的核心点是在工件4外围设置阴极屏3，在阴极屏3内通入Ar，并在阴极屏3与工件4分别施加不同电位的负偏压，其中阴极屏3的电位比工件4高，这时在阴极，3内产生高浓度的等离子体，电离的Ar离子轰击工件4，使工件4升温，同时通入工作气体，在极强的离子能量与较高的温度环境下，工作气体在工，4表面产生化学反应，同时沉积在工件4表面。
[0015]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种等离子体化学气相沉积镀膜装置，其特征在于，包括真空室，所述真空室内设置有阴极屏、工件架和偏压电源，所述阴极屏设置在所述真空室的下部，所述工件架设置在所述阴极屏上，所述偏压电源设置在所述真空室外部，所述偏压电源包括第一偏压电源和第二偏压电源，所述第一偏压电源与所述阴极屏连接，所述第二偏压电源与所述工件台连接，所述真空室接地。2.如权利要求1所述的等离子体化学气相沉积镀膜装置，其特征在于，所述真空室的左端设置有气体入口，所述真空室的右端设置有抽气口。3.如权利要求2所述的等离子体化学气相沉积镀膜装置，其特征在于，所述真空室的上端设置有加热灯丝。4.如权利要求3所述的等离子体化学气相沉积镀膜装置，其特征在于，所述阴极屏的下端设置有阴极屏座，所述阴极屏座的底端与所述真空室的底端固定连接。
【文档编号】C23C16/50GK205443446SQ201620206505
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月18日
【发明人】渠洪波
【申请人】沈阳科友真空技术有限公司