坩埚内盖板、坩埚以及蒸镀装置的制造方法

文档序号:10791584阅读:815来源:国知局
坩埚内盖板、坩埚以及蒸镀装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种坩埚内盖板、坩埚以及蒸镀装置,涉及显示领域,能够解决了现有真空蒸镀时经常出现材料大分子溢出导致蒸发速率发生波动以及画面颗粒(Particle)不良的问题。本实用新型提供一种坩埚内盖板,所述坩埚内盖板上开设有多个通孔,所述通孔的分布满足:当所述坩埚内盖板安装至坩埚上时,所述通孔的分布区域与坩埚的喷嘴位置相错开。本实用新型适用于改进蒸镀设备。
【专利说明】
坩埚内盖板、坩埚以及蒸镀装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及显示器件制造领域,尤其涉及一种坩祸内盖板、坩祸以及蒸镀装置。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light Emitting D1de,有机发光二极管)的特性是自发光,具备对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、具有可挠曲性、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,被认为是下一代平面显示器的新兴技术。
[0003]OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO),与电力之正极相连,再加上另一个金属阴极,中间包裹发光材料层形成如三明治的结构。当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,产生光亮,依其发光层配方不同产生红、绿和蓝三原色,构成基本色彩。OLED显示包括被动式有机电激发光二极管(Passivematrix 0LED,PM0LED)和主动式有机电激发光二极管(Active-matrix organic lightemitting d1de,AM0LED)显示,其中AMOLED显示的实现方式有低温多晶硅(LTPS,LowTemperature Poly-silicon)背板加精细金属掩膜(Fine Metal Mask,FMM Mask)方式,该方式是通过真空蒸镀将OLED材料按照流程蒸镀到镀有ITO的LTPS背板上,形成RGB器件。目前成熟的量产设备都是利用真空蒸镀的方式将有机发光材料镀在玻璃基板上,而目前业界的一个难题就是真空蒸镀材料速率难以控制,经常出现材料大分子溢出导致材料蒸发速率短暂波动问题,而蒸发速率波动就会导致膜层厚度不良,膜层厚度不良就会影响CIE数据(一种色彩描述标准),进而直接影响OLED产品的品质。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提供一种坩祸内盖板、坩祸以及蒸镀装置,解决了现有真空蒸镀时经常出现材料大分子溢出导致材料蒸发速率波动以及画面颗粒(Particle)不良的问题。
[0005]为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
[0006]本实用新型提供一种坩祸内盖板,所述坩祸内盖板上开设有多个通孔,所述通孔的分布满足:当所述坩祸内盖板安装至坩祸上时,所述通孔的分布区域与坩祸的喷嘴位置相错开。
[0007]具体地,所述通孔的分布区域包括:第一分布区域和第二分布区域,所述第一分布区域和所述第二分布区域之间不设置通孔,所述喷嘴在所述坩祸内盖板上的垂直投影位于所述第一分布区域与所述第二分布区域之间。
[0008]优选地,所述通孔的边缘呈锯齿状。
[0009]优选地,所述通孔为圆形或椭圆形。
[0010]本实用新型还提供一种坩祸,包括:上述任一所述的坩祸内盖板。
[0011 ] 所述坩祸还包括:坩祸顶盖,所述坩祸顶盖上设置有喷嘴,所述喷嘴的位置与坩祸内盖板上通孔的分布区域相错开。
[0012]本实用新型还提供一种蒸镀装置,包括:上述任一所述的坩祸。
[0013]本实用新型提供的坩祸内盖板、坩祸以及蒸镀装置,坩祸内盖板(InnerPlate)上开设有多个通孔,且通孔的分布满足:当坩祸内盖板安装至坩祸上时,通孔的分布区域与坩祸的喷嘴位置相错开。这样如图4,当气态的蒸镀材料从坩祸内溢出时,会先经过内盖板上的开孔位置再经坩祸的喷嘴(Nozzle)溢出,由于内盖板的开孔位置与喷嘴是错开的,因此根据其流动方向可以判断出大分子材料在溢出时会先粘附在内盖板的通孔以及流动的路径上,而不会粘附在喷嘴上(粘附在喷嘴上会造成堵塞)或者直接溢出(直接溢出会造成画面颗粒不良),这样就避免了大分子材料溢出导致的喷嘴堵塞或者画面颗粒不良(Particle不良),也解决了由此导致的材料蒸发速率短暂波动的问题。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0015]图1为本实用新型实施例提供的坩祸内盖板以及坩祸内盖板通孔分布区域与坩祸嗔嘴的相对位置不意图;
[0016]图2为本实用新型实施例提供的坩祸内盖板上通孔的细节示意图;
[0017]图3为本实用新型实施例提供的坩祸示意图;
[0018]图4为本实用新型实施例提供的坩祸蒸镀时材料溢出的路径模拟示意图。
[0019]附图标记
[0020]10-坩祸内盖板,11-通孔,12-喷嘴,Ila-第一分布区域,Ilb-第二分布区域,
[0021 ] 20_i|t祸顶盖,30_i|t祸本体。
【具体实施方式】
[0022]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0023]本实用新型实施例提供一种坩祸内盖板以及设置有该种内盖板的坩祸,如图1所示,本实施例提供的坩祸内盖板10上开设有多个通孔11,通孔11的分布满足:当坩祸内盖板10安装至坩祸上时,通孔11的分布区域与坩祸的喷嘴12位置相错开。
[0024]本实施例提供的坩祸内盖板10安装至坩祸上时,通孔11的分布区域与坩祸的喷嘴12位置相错开,此处的“相错开”可理解为,坩祸的喷嘴12投影到内盖板10上的位置及该投影位置附近区域不设置通孔11,这个附近区域具体多大取决于能否解决分子材料溢出导致的喷嘴堵塞或者画面颗粒不良。
[0025]—种【具体实施方式】中,通孔11的分布区域包括:第一分布区域Ila和第二分布区域11b,第一分布区域Ila和第二分布区域Ilb之间的区域不设置通孔11,喷嘴12在坩祸内盖板10上的垂直投影位于第一分布区域与第二分布区域之间,优选第一分布区域Ila与第二分布区域11b之间的中央位置。
[0026]现有的坩祸内盖板仅仅是起到了增加内压的作用,对改善速率波动及避免大分子造成的画面颗粒不良不起作用,弊端明显。本实施例中的坩祸内盖板10其通孔11位置避开喷嘴12,在保证开孔率的基础上防止大分子的溢出,进而改善蒸镀速率的稳定性,同时也可避免溢出的大分子镀到基板上造成画面颗粒不良。
[0027]如图2所示,其中优选地,通孔11的边缘呈锯齿状,可以加大开孔处的接触面积方式进一步防止蒸镀时大分子的溢出。
[0028]另外,通孔11优选为圆形或椭圆形,便于蒸镀时蒸镀材料的逸出。
[0029]本实用新型提供的坩祸,包括本实施例所述的任一坩祸内盖板。基于前面的描述,本实施例中的坩祸可以防止蒸镀时大分子的溢出,改善蒸镀速率的稳定性,同时也可避免溢出的大分子镀到基板上造成画面颗粒不良。
[0030]具体如图3所示,所述坩祸具体包括坩祸本体30,坩祸本体30上依次设置有坩祸内盖板10和i甘祸顶盖(Cap)20,i甘祸顶盖20上设置有喷嘴12,喷嘴12的位置与i甘祸内盖板10上通孔11的分布区域相错开。
[0031]坩祸内盖板10的开孔区域(通孔11的分布区域)与坩祸顶盖20上喷嘴12的位置错开。坩祸内盖板10安装到坩祸中后的对应位置如图3所示,模拟材料溢出路径如图4所示,当气态的有机材料(即蒸镀料)从坩祸内溢出时,会先经过坩祸内盖板10的开孔位置再经喷嘴12溢出(路径参照图4中带箭头的曲线所示),由于坩祸内盖板10的开孔位置与喷嘴12是错开的,因此根据其流动方向可以判断出大分子材料在溢出时会先粘附在坩祸内盖板10的通孔11上,而不会粘附在喷嘴12上造成堵塞,或者自喷嘴12上直接溢出造成画面颗粒不良,这样就避免了大分子材料溢出导致的喷嘴堵塞或者画面颗粒不良。
[0032]本实用新型还提供一种蒸镀装置,包括:上述任一所述的坩祸,可以避免了大分子材料溢出导致的喷嘴堵塞或者画面颗粒不良。
[0033]微电子器件的性能对膜层厚度的要求非常高。例如,OLED器件对膜层厚度的要求非常高,若厚度波动会导致CIE数据发生变换,从而影响器件的品质。根据目前业内经验,厚度的变化主要是因为:由于蒸镀过程通过感应器自动进行蒸镀速率控制,蒸镀速率出现波动主要是由于材料大分子蒸镀到了感应器上造成,本实用新型可以防止大分子材料溢出的情况,从而避免由此导致的膜层厚度波动。
[0034]以上所述,仅为本实用新型的【具体实施方式】,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种坩祸内盖板,其特征在于,所述坩祸内盖板上开设有多个通孔,所述通孔的分布满足:当所述坩祸内盖板安装至坩祸上时,所述通孔的分布区域与坩祸的喷嘴位置相错开。2.根据权利要求1所述的坩祸内盖板,其特征在于,所述通孔的分布区域包括:第一分布区域和第二分布区域,所述第一分布区域和所述第二分布区域之间不设置通孔, 所述喷嘴在所述坩祸内盖板上的垂直投影位于所述第一分布区域与所述第二分布区域之间。3.根据权利要求1所述的坩祸内盖板,其特征在于,所述通孔的边缘呈锯齿状。4.根据权利要求1所述的坩祸内盖板,其特征在于,所述通孔为圆形或椭圆形。5.一种坩祸,其特征在于,包括:权利要求1-4任一项所述的坩祸内盖板。6.根据权利要求5所述的坩祸,其特征在于,还包括:坩祸顶盖,所述坩祸顶盖上设置有喷嘴,所述喷嘴的位置与坩祸内盖板上通孔的分布区域相错开。7.一种蒸镀装置,其特征在于,包括:权利要求5或6所述的坩祸。
【文档编号】C23C14/24GK205473955SQ201620222353
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年3月22日
【发明人】刘洋
【申请人】鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司, 京东方科技集团股份有限公司
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