一种均匀蒸镀装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种均匀蒸镀装置，包括蒸镀源及位于蒸镀源上方的可旋转镀锅，该镀锅围绕旋转中心设置若干用于放置晶片的镀环，该镀环的外圆圆径大于晶片尺寸，内圆区域形成蒸镀口，其中该镀环是偏心环且内圆圆心相对于外圆圆心向镀锅旋转中心的反方向偏移。在镀锅旋转离心力作用而使晶片向远旋转中心的方向偏移时，通过偏心镀环将偏移量修正回来，使预设蒸镀区域与蒸镀口重合，有效避免了预设蒸镀区域的偏移而导致的边缘不均匀及蒸镀材料的残留，提高了良率，具有重要的应用意义。
【专利说明】
一种均匀蒸镀装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种均匀蒸镀装置。
【背景技术】
[0002]半导体芯片制作过程中，很多结构层需经过镀膜工艺制成，其中真空蒸镀工艺更是得到了广泛的使用。真空蒸镀是将原材(例如金属)加热到蒸发温度，然后蒸汽在真空环境中沉积在晶片表面冷却凝结成固体膜的过程。真空蒸镀可以形成纯度高、质量好且厚度可控的薄膜，成膜速度快，效率高，适于实际生产应用。
[0003]目前常用的金属蒸镀装置多为行星式，是将镀锅置于蒸镀源上方，镀锅围绕中心镂空形成有若干用于容纳晶片的镀环，晶片位于镀环内径内的部分裸露于蒸汽中以用于沉积金属。蒸镀过程中，镀锅旋转以提高均匀性。镀环的外径通常设计尺寸略大于晶片尺寸以便于取放，在镀锅旋转时，由于离心力的作用，晶片会向远心端(即远离镀锅中心方向)偏移而使得晶片的近心端及远心端不均进而造成局部边缘、尤其是近心端边缘金属残留，影响广品的性能，制程良率低。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型提供了一种均匀蒸镀装置，其克服了现有技术所存在的不足之处。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]—种均匀蒸镀装置，包括蒸镀源及位于蒸镀源上方的可旋转镀锅，该镀锅围绕旋转中心设置若干用于放置晶片的镀环，该镀环的外圆圆径大于晶片尺寸，内圆区域形成蒸镀口，该镀环是偏心环，其内圆圆心相对于外圆圆心向镀锅旋转中心的反方向偏移。
[0007]优选地，该镀环是由镀锅上表面下凹形成的环状台阶，其内圆区域开口以形成所述蒸镀口。
[0008]优选地，该镀锅是圆形结构，其圆心套设于转轴上以形成所述旋转中心。
[0009]优选地，该镀环内圆圆心相对外圆圆心的偏移量为外圆圆径与该晶片圆径之差的1/2。
[00? O] 优选地，该镀环的外圆圆径比晶片圆径大0.5mm，镀环的内圆圆心相对外圆圆心偏移0.25mm。
[0011]优选地，该镀环近旋转中心端的宽度为3_，远旋转中心端的宽度为2.5_。
[0012]优选地，该晶片下表面设置有一遮蔽层，该遮蔽层与该晶片同心圆设置且该遮蔽层的圆径比该镀环内圆圆径小Imm ο
[0013]优选地，该蒸镀源材料是金属。
[0014]优选地，还包括一真空腔，该蒸镀源和镀锅设置于真空腔内。
[0015]优选地，该镀锅由钛、不锈钢或铝制成。
[0016]相较于现有技术，本实用新型具有以下有益效果:
[0017]均匀蒸镀装置包括蒸镀源及位于蒸镀源上方的可旋转镀锅，镀锅围绕旋转中心设置若干用于放置晶片的镀环，镀环的外圆圆径大于晶片尺寸，内圆区域形成蒸镀口，外圆和内圆偏心设置且内圆圆心相对于外圆圆心向镀锅旋转中心的反方向偏移，且偏移量为外圆圆径与晶片圆径之差的1/2，在镀锅旋转离心力作用而使晶片向远旋转中心的方向偏移时，由于镀环远旋转中心的宽度小于近旋转中心的宽度，即可通过偏心镀环将偏移量修正回来，使预设蒸镀区域与蒸镀口重合，有效避免了预设蒸镀区域的偏移而导致的边缘不均匀及蒸镀材料的残留，提高了良率，具有重要的应用意义。
[0018]以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详细说明；但本实用新型的一种均匀蒸镀装置不局限于实施例。
【附图说明】
[0019]图1是本实用新型链锅的俯视结构不意图；
[0020]图2是图1中镀环的俯视结构示意图；
[0021 ]图3是本实用新型镀锅旋转前的局部截面结构示意图；
[0022]图4是本实用新型镀锅旋转中的局部截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]参考图1至图4所示，一种均匀蒸镀装置，包括一真空腔及设置于真空腔内的镀锅I及蒸镀源2，镀锅I位于蒸镀源2上方并通过旋转机构带动旋转，例如，如图1所示，镀锅I为圆形结构，圆心套设于转轴11上并由转轴带动自转，其圆心形成旋转中心。镀锅I围绕旋转中心设置若干用于放置晶片3的镀环12。作为一种示例以便于理解，图1中镀锅I对称设置4个镀环12，需要说明的是，其镀环个数及与镀锅的大小关系并不以图为限。
[0024]具体的，镀锅I可由钛、不锈钢或铝制成，镀环12是由镀锅I上表面下凹形成的环状台阶，其内圆区域开口以形成蒸镀口 13，晶片3底面位于内圆区域内的部分即裸露于蒸镀源形成的蒸汽气氛中。晶片3放置于镀环12上，且镀环12的外圆A圆径大于晶片3尺寸以便于取放，内圆B区域形成蒸镀口 13。镀环12是偏心环，其内圆B的圆心b相对于外圆A的圆心a向镀锅旋转中心的反方向偏移，且其偏移量为外圆A圆径与晶片3圆径之差的1/2，亦即镀环12靠近镀锅I旋转中心端比远离镀锅I旋转中心端宽度大偏移量的2倍，即宽度差与外圆A和晶片3的圆径之差相同。
[0025]以下以一具体实施例来说明，参考图3，镀环12的外圆圆径比晶片3圆径大0.5mm，则内圆圆心相对外圆圆心偏移0.25mm，近旋转中心端的宽度为3_，远旋转中心端的宽度为
2.5mm。当于晶片3上进行金属蒸镀以形成电极时，晶片3下表面设置一遮蔽层31，遮蔽层31与晶片同心圆设置且圆径比镀环12内圆圆径小1_，以确保遮蔽层31完全裸露于蒸汽中。遮蔽层通常为已光刻有图案的光阻，其图案部分的晶片表面裸露。金属蒸汽遇到低温的晶片沉积形成金属膜，去除光阻即留下预设的电极图案。通常将晶片3居中放置于镀环12中，两侦卿与镀环边缘(外圆)分别有0.25mm的空隙，遮蔽层31近旋转中心端与蒸镀口边缘(内圆)有0.25mm的空隙，远旋转中心端与蒸镀口边缘(内圆)有0.75mm的空隙。参考图4，当镀锅I旋转时，由于离心力的作用，晶片3向远旋转中心端移动至抵接镀环12边缘，即移动了0.25mm，遮蔽层31亦随之移动0.25_，两侧与蒸镀口 13边缘(内圆)分别形成0.5mm的空隙，两侧距离相同，边缘金属沉积情况相同，实现了均匀蒸镀，避免了近旋转中心端的局部金属残留。
[0026]上述实施例仅用来进一步说明本实用新型的一种均匀蒸镀装置，但本实用新型并不局限于实施例，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本实用新型技术方案的保护范围内。
【主权项】
1.一种均匀蒸镀装置，包括蒸镀源及位于蒸镀源上方的可旋转镀锅，该镀锅围绕旋转中心设置若干用于放置晶片的镀环，该镀环的外圆圆径大于晶片尺寸，内圆区域形成蒸镀口，其特征在于:该镀环是偏心环，其内圆圆心相对于外圆圆心向镀锅旋转中心的反方向偏移。2.根据权利要求1所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该镀环是由镀锅上表面下凹形成的环状台阶，其内圆区域开口以形成所述蒸镀口。3.根据权利要求1所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该镀锅是圆形结构，其圆心套设于转轴上以形成所述旋转中心。4.根据权利要求1所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该镀环内圆圆心相对外圆圆心的偏移量为外圆圆径与该晶片圆径之差的1/2。5.根据权利要求4所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该镀环的外圆圆径比晶片圆径大0.5mm，链环的内圆圆心相对外圆圆心偏移0.25mm。6.根据权利要求1或5所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该镀环近旋转中心端的宽度为3_，远旋转中心端的宽度为2.5_。7.根据权利要求1或5所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该晶片下表面设置有一遮蔽层，该遮蔽层与该晶片同心圆设置且该遮蔽层的圆径比该镀环内圆圆径小1_。8.根据权利要求1所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该蒸镀源材料是金属。9.根据权利要求1所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:还包括一真空腔，该蒸镀源和镀锅设置于真空腔内。10.根据权利要求1所述的均匀蒸镀装置，其特征在于:该镀锅由钛、不锈钢或铝制成。
【文档编号】C23C14/24GK205556764SQ201620328104
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月19日
【发明人】吕前宏, 张标锋
【申请人】厦门市三安集成电路有限公司