一种pecvd镀膜设备的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种PECVD镀膜设备，包括反应室、传送装置和冷却室，所述反应室和传送装置设置在冷却室顶部，所述反应室和传送装置连接部底端通过铰接件连接有挡板，所述冷却室一侧设置有控制器，所述冷却室顶部设置有冷却装置，所述反应室顶部通过管道固定有真空泵，所述真空泵出口设置有真空阀，所述反应室内部顶端设置有温度传感器，所述反应室内部上端固定有发热器，所述反应室内侧底端设置有特气管路，所述特气管路底端传送装置顶端设置有石墨舟，所述石墨舟内部设置有方格孔。该产品结构简单，成本低，操作方便，多组同时操作，反应均匀，节省步骤，减少工艺时间，提高工作效率。
【专利说明】
一种PECVD镀膜设备
技术领域
[0001 ]本实用新型属于PECVD镀膜技术领域，具体涉及一种PECVD镀膜设备。
【背景技术】
[0002]PECVD是太阳能电池片生产过程中较常用的设备。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜，起到减反射和钝化的作用。目前PECVD技术存在生产节拍过长，生产成本过高，均匀性和一致性差。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种PECVD镀膜设备，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:一种PECVD镀膜设备，包括反应室、传送装置和冷却室，所述反应室和传送装置设置在冷却室顶部，所述反应室和传送装置连接部底端通过铰接件连接有挡板，所述冷却室一侧设置有控制器，所述控制器与传送装置电性连接，所述冷却室顶部设置有冷却装置，所述冷却装置与控制器电性连接，所述反应室顶部通过管道固定有真空栗，所述真空栗出口设置有真空阀，所述真空阀与控制器电性连接，所述反应室内部顶端设置有温度传感器，所述温度传感器与控制器电性连接，所述反应室内部上端固定有发热器，所述发热器与控制器电性连接，所述反应室内侧底端设置有特气管路，所述特气管路底端传送装置顶端设置有石墨舟，所述石墨舟内部设置有方格孔。
[0005]优选的，所述特气管路上设置有多组特气孔，且特气孔等数量与方格孔相对应。
[0006]优选的，所述方格孔至少设有十五组。
[0007]优选的，所述控制器设置有显示器;所述显示器表面设置有LED显示器。
[0008]本实用新型的技术效果和优点:该PECVD镀膜设备，当石墨舟的方格孔内装载好硅片后通过传送装置进入反应室内沉淀的位置，控制器控制真空阀让真空栗把反应室内的空气抽出去，然后通过特气管路通入NH3，特气孔均匀的把NH3分散到每个方格孔内的硅片上，控制器控制发热器加热，温度传感器把反应室内的温度在控制器上显示出来，从而方便温度的控制调节，反应完成后石墨舟穿过挡板进入冷却室内部，控制器控制冷却装置制冷，节省工艺时间，从而提高工作效率，该产品结构简单，成本低，操作方便，多组同时操作，反应均匀，节省步骤，减少工艺时间，提高工作效率。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图。
[0010]图中:I石墨舟、2方格孔、3特气管路、4发热器、5温度传感器、6真空阀、7真空栗、8反应室、9传送装置、10挡板、11冷却室、12冷却装置、13控制器。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0012]本实用新型提供了如图1所示的一种PECVD镀膜设备，包括反应室8、传送装置9和冷却室11，所述反应室8和传送装置9设置在冷却室11顶部，所述反应室8和传送装置9连接部底端通过铰接件连接有挡板10，所述冷却室11 一侧设置有控制器13，所述控制器13与传送装置9电性连接，所述控制器(13)设置有显示器;所述显示器表面设置有LED显示器，所述冷却室11顶部设置有冷却装置12，所述冷却装置12与控制器13电性连接，所述反应室8顶部通过管道固定有真空栗7，所述真空栗7出口设置有真空阀6，所述真空阀6与控制器13电性连接，所述反应室8内部顶端设置有温度传感器5，所述温度传感器5与控制器13电性连接，所述反应室8内部上端固定有发热器4，所述发热器4与控制器13电性连接，所述反应室8内侧底端设置有特气管路3，所述特气管路3底端传送装置9顶端设置有石墨舟I，所述石墨舟I内部设置有方格孔2，所述方格孔2至少设有十五组，所述特气管路3上设置有多组特气孔，且特气孔等数量与方格孔2相对应，该PECVD镀膜设备，当石墨舟I的方格孔2内装载好硅片后通过传送装置9进入反应室8内沉积的位置，控制器13控制真空阀6让真空栗7把反应室8内的空气抽出去，然后通过特气管路3通入NH3，特气孔均匀的把NH3分散到每个方格孔2内的硅片上，控制器13控制发热器4加热，温度传感器5把反应室8内的温度在控制器13上显示出来，从而方便温度的控制调节，反应完成后石墨舟I穿过挡板10进入冷却室11内部，控制器13控制冷却装置12制冷，节省工艺时间，从而提高工作效率，该产品结构简单，成本低，操作方便，多组同时操作，反应均匀，节省步骤，减少工艺时间，提高工作效率。
[0013]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种PECVD镀膜设备，包括反应室(8)、传送装置(9)和冷却室(11)，所述反应室(8)和传送装置(9)设置在冷却室(11)顶部，其特征在于:所述反应室(8)和传送装置(9)连接部底端通过铰接件连接有挡板(10)，所述冷却室(11) 一侧设置有控制器(13)，所述控制器(13)与传送装置(9)电性连接，所述冷却室(11)顶部设置有冷却装置(12)，所述冷却装置(12)与控制器(13)电性连接，所述反应室(8)顶部通过管道固定有真空栗(7)，所述真空栗(7)出口设置有真空阀(6)，所述真空阀(6)与控制器(13)电性连接，所述反应室(8)内部顶端设置有温度传感器(5)，所述温度传感器(5)与控制器(13)电性连接，所述反应室(8)内部上端固定有发热器(4)，所述发热器(4)与控制器(13)电性连接，所述反应室(8)内侧底端设置有特气管路(3)，所述特气管路(3)底端传送装置(9)顶端设置有石墨舟(1)，所述石墨舟(I)内部设置有方格孔(2)。2.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜设备，其特征在于:所述特气管路(3)上设置有多组特气孔，且特气孔等数量与方格孔(2)相对应。3.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜设备，其特征在于:所述方格孔(2)至少设有十五组。4.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜设备，其特征在于:所述控制器(13)设置有显示器;所述显示器表面设置有LED显示器。
【文档编号】C23C16/50GK205556777SQ201620334861
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月19日
【发明人】蔡伦
【申请人】温州巨亮光伏科技有限公司