一种设有匀气板装置的管式低频pecvd装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，包括炉管、进气口、匀气板、炉门、控制匀气板与炉门同时开启和关闭的中控单元，所述的匀气板上设有匀气孔，所述中控单元与匀气板和炉门分别连接，所述匀气板设置在炉管的进气端。通过在炉管的进气端设置匀气板，使得进入炉管的反应气体在到达反应区域之前被匀气板打散并混合均匀，从而改善了等离子体分布，可有效提高镀膜均匀性，同时装置简单，改造成本不高。
【专利说明】
_种设有匀气)板装置的管式低频PEGVD装置
技术领域
[0001] 本实用新型属于晶体硅太阳电池技术领域，具体涉及一种设有匀气板装置的管式 低频PECVD。
【背景技术】
[0002] 目前晶体硅太阳电池产业中仍旧占据着90%的市场份额，表明该种太阳电池具有 着强大的生命力和竞争力。在其传统制备工艺中，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法在发射极表面沉积一层SiN x薄膜是其中非常重要一步。SiNx薄膜具有钝化硅片表面 和减反射的作用。决定SiN x薄膜钝化及减反射效果的主要因素有:SiNx薄膜成膜致密性;薄 膜中硅氮比例以及薄膜的厚薄度。
[0003] 目前实际生产中常用的管式低频直接法PECVD采用电阻式加热将整个腔体加热到 所需的温度，在腔体中放置具有很多夹板的石墨舟，夹板的两侧放置硅片，利用两片硅片之 间形成电势差与反应气体完成辉光放电进行镀膜，这种方法具有钝化效果好，同时成膜致 密性高等优点。然而这种镀膜方法辉光等离子体在空间的分布受炉管内温区分布，硅片表 面状态影响较大，易形成色差片。色差现象实际反映出的是镀膜成膜厚度和折射率的不均 匀，对于电池效率以及电池外观有较大影响。其中反应气体在炉管中分布及其流速对镀膜 均匀性的影响巨大。 【实用新型内容】
[0004] 实用新型目的：提供一种设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，改善成膜出现色 差的均勾性，提尚良品率。
[0005] 技术方案：一种设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，包括炉管、进气口、匀气 板、炉门、控制匀气板与炉门同时开启和关闭的中控单元，所述的匀气板上设有匀气孔，所 述中控单元与匀气板和炉门分别连接，所述匀气板设置在炉管的进气端。
[0006]在进气口之后设置匀气板，进入炉管的反应气体能在到达反应区域之前被匀气板 打散并混合均匀，均匀的气体从匀气板上的匀气孔进入炉管内，从而提高了等离子体分布， 可有效改善镀膜均匀性。中控单元能控制炉门和匀气板的同时开启和关闭，操作方便。
[0007] 作为本实用新型的优选，所述的匀气板，其直径为350mm~400mm。
[0008] 作为本实用新型的优选，所述匀气板的直径与炉管直径相同，这样能达到最佳的 匀气效果。
[0009] 作为本实用新型的优选，其特征在于，所述匀气孔均匀分布在匀气板上。
[0010] 作为本实用新型的优选，所述的匀气孔的数目为300~500个，所述的匀气孔的数 目优选为400个。
[0011] 作为本实用新型的优选，所述匀气板到炉门距离的距离为3~10cm，所述匀气板到 炉门距离的距离优选为5cm〇
[0012] 作为本实用新型的优选，所述进气口设置在炉门和勾气板之间。
[0013] 作为本实用新型的优选，所述匀气板的材质为耐高温材料。
[0014] 有益效果：
[0015] 本实用新型提供了一种设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，通过在炉管的进 气端设置匀气板，使得进入炉管的反应气体在到达反应区域之前被匀气板打散并混合均 匀，从而提高了等离子体分布，可有效改善镀膜均匀性，同时装置简单，改造成本不高。
【附图说明】
[0016] 图1本实用新型提供的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置的结构示意图。
[0017] 图2本实用新型提供的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置中匀气板的结构示 意图。
【具体实施方式】
[0018] 根据下述实施例，可以更好地理解本发明。然而，本领域的技术人员容易理解，实 施例所描述的内容仅用于说明本发明，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本 发明。
[0019] 图1和图2中，1为炉管，2为进气口，3为匀气板，4为炉门，5为中控单元，6为石墨舟。
[0020] 一种设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，包括炉管1、进气口 2、匀气板3、炉门 4、控制匀气板与炉门同时开启和关闭的中控单元5,所述的匀气板3上设有匀气孔，所述中 控单元5与匀气板3和炉门4分别连接，所述匀气板3设置在炉管1的进气端。
[0021] 在本实用新型的一个实施例中，所述的匀气板3,其直径为350mm~400mm。
[0022] 在本实用新型的一个实施例中，所述匀气板3的直径与炉管1直径相同。
[0023] 在本实用新型的一个实施例中，所述匀气孔均匀分布在匀气板3上。
[0024]在本实用新型的一个实施例中，所述的匀气孔的数目为300~500个。
[0025]在本实用新型的一个实施例中，所述匀气板3到炉门4距离的距离为3~10cm。
[0026] 在本实用新型的一个实施例中，所述进气口2设置在炉门4和匀气板3之间。
[0027] 在本实用新型的一个实施例中，所述匀气板3的材质为耐高温材质。
[0028] 实施例1:
[0029]选用上述结构设计的匀气板装置对捷佳创管式PECVD进行改造(参照附图1、图2)， 匀气板直径与炉管直径相同为380mm。匀气板目数选取为400个，匀气板至炉门距离设置为 5cm〇
[0030]本实用新型在原有设备基础上在炉管进气口处增加匀气板装置，之后采用常规多 晶硅沉积氮化硅工艺对硅片进行氮化硅薄膜沉积工艺。工艺完成后对石墨舟内的色差片比 例进行统计，色差片比例明显下降。
[0032]本实用新型通过中控单元控制炉门与匀气板同时开启和闭合，当炉门以及匀气板 闭合后开始进行镀膜工艺，匀气板位于进气口与承载样品的石墨舟之间。反应开始后反应 气体通过匀气板气体会被打散并混合均匀，之后气体得以更加均匀的到达石墨舟参与等离 子体的生成完成镀膜反应。
【主权项】
1. 一种设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，包括炉管（1)、进气口（2)、 匀气板(3)、炉门（4)、控制匀气板与炉门同时开启和关闭的中控单元(5)，所述的匀气板(3) 上设有匀气孔，所述中控单元(5)与匀气板(3)和炉门（4)分别连接，所述匀气板(3)设置在 炉管（1)的进气端。2. 根据权利要求1所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述的 勾气板(3)，其直径为350mm~400mm。3. 根据权利要求2所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述匀 气板(3)的直径与炉管（1)直径相同。4. 根据权利要求1所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述匀 气孔均勾分布在勾气板(3)上。5. 根据权利要求1或4所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述 的匀气孔的数目为300~500个。6. 根据权利要求1所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述匀 气板(3)到炉门（4)距离的距离为3~10cm〇7. 根据权利要求1所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述进 气口（2)设置在炉门（4)和匀气板(3)之间。8. 根据权利要求1所述的设有匀气板装置的管式低频PECVD装置，其特征在于，所述匀 气板(3)的材质为耐高温材料。
【文档编号】C23C16/455GK205653506SQ201521028415
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年12月11日 公开号201521028415.6, CN 201521028415, CN 205653506 U, CN 205653506U, CN-U-205653506, CN201521028415, CN201521028415.6, CN205653506 U, CN205653506U
【发明人】陈文浩, 刘仁中, 张斌
【申请人】奥特斯维能源（太仓）有限公司