改进型的活化反应离子镀试验装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了改进型的活化反应离子镀试验装置，包括真空反应室，设于所述的真空反应室旁的供电单元，其特征在于：所述的真空反应室内设有差压分隔板，该差压分隔板使所述的真空反应室形成第一反应室及第二反应室，所述的第一反应室室壁上设有真空控制机组，所述的差压分隔板上设有电子束蒸发单元及电子流体放射装置，所述的电子束蒸发单元上侧设有反应气体循环，其中，所述的电子流体放射装置与所述的电子束蒸发单元连接，所述的电子束蒸发单元将镀料蒸发原子束流传至反应气体循环。
【专利说明】
改进型的活化反应离子镀试验装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及试验装置，更具体地说是改进型的活化反应离子镀试验装置。【【背景技术】】
[0002]离子镀膜是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了 “薄膜”的应用领域。但是，现有技术中离子源主要起清洗或镀单层光学薄膜的作用，且镀膜均匀性相对较差，离子源使用寿命相对较短。
【【实用新型内容】】
[0003]本实用新型目的是克服了现有技术的不足，提供能改善镀膜的致密性、均匀性的改进型的活化反应离子镀试验装置。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]改进型的活化反应离子镀试验装置，改进型的活化反应离子镀试验装置，包括真空反应室8，设于所述的真空反应室8旁的供电单元I，其特征在于:所述的真空反应室8内设有差压分隔板10，该差压分隔板10使所述的真空反应室8形成第一反应室801及第二反应室802，所述的第一反应室801室壁上设有真空控制机组3，所述的差压分隔板10上设有电子束蒸发单元7及电子流体放射装置6，所述的电子束蒸发单元7上侧设有反应气体循环12，其中，所述的电子流体放射装置6与所述的电子束蒸发单元7连接，所述的电子束蒸发单元7将镀料蒸发原子束流传至反应气体循环12。
[0006]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的第一反应室801室壁上设有与所述的反应气体循环层12连接的反应气体导入单元2。
[0007]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的第一反应室801内设有基板层4，所述的基板层4与所述的反应气体循环层12之间设有探测电极13，所述的反应气体循环层12将镀料蒸发原子束流转化成等离子体传至所述的探测电极13。
[0008]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的基板层4为玻璃层。
[0009]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的基板层4为硅片层。
[0010]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的探测电极13与所述的供电单元I电连接。
[0011]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的真空控制机组3由扩散栗及加旋片栗组成。
[0012]如上所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的真空控制机组3包括第一真空装置301及第二真空装置302，所述的第一真空装置301设于所述的第一反应室801右侧，所述的第二真空装置302设于所述的第二反应室802左侧。
[0013]与现有技术相比，本实用新型有如下优点:
[00?4] 1、本实用新型结构合理，能改善了镀膜的致密性、均勾性。
[0015]2、本实用新型在生产加工时，能有效增强膜层强度，镀膜的致密性更好，降低了生产过程中刮伤、点渍等不良发生率，有效提高良率。
【【附图说明】】
[0016]图1是本实用新型的结构不意图；
[0017]下面将结合附图及【具体实施方式】对本实用新型作进一步说明。
【【具体实施方式】】
[0018]如图1所示，改进型的活化反应离子镀试验装置，改进型的活化反应离子镀试验装置，包括真空反应室8，设于所述的真空反应室8旁的供电单元1，所述的真空反应室8内设有差压分隔板10，该差压分隔板10使所述的真空反应室8形成第一反应室801及第二反应室802，所述的第一反应室801室壁上设有真空控制机组3，所述的差压分隔板10上设有电子束蒸发单元7及电子流体放射装置6，所述的电子束蒸发单元7上侧设有反应气体循环12，其中，所述的电子流体放射装置6与所述的电子束蒸发单元7连接，所述的电子束蒸发单元7将镀料蒸发原子束流传至反应气体循环12。
[0019]所述的第一反应室801室壁上设有与所述的反应气体循环层12连接的反应气体导入单元2。其优点在于结构合理，方便生产时对反应气体的流量调控，确保生产顺利进行。
[0020]所述的第一反应室801内设有基板层4，所述的基板层4与所述的反应气体循环层12之间设有探测电极13，所述的反应气体循环层12将镀料蒸发原子束流转化成等离子体传至所述的探测电极13。
[0021]所述的基板层4为玻璃层。
[0022]所述的基板层4为硅片层。
[0023 ]所述的探测电极13与所述的供电单元I电连接。
[0024]所述的真空控制机组3由扩散栗及加旋片栗组成。
[0025]所述的真空控制机组3包括第一真空装置301及第二真空装置302，所述的第一真空装置301设于所述的第一反应室801右侧，所述的第二真空装置302设于所述的第二反应室802左侧。其优点在于结构合理，运行效率高。
[0026]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非用来限定本实用新型实施的范围，其他凡其原理和基本结构与本实用新型相同或近似的，均在本实用新型保护范围之内。
【主权项】
1.改进型的活化反应离子镀试验装置，包括真空反应室(8)，设于所述的真空反应室(8)旁的供电单元(I)，其特征在于:所述的真空反应室(8)内设有差压分隔板(10)，该差压分隔板(10)使所述的真空反应室(8)形成第一反应室(801)及第二反应室(802)，所述的第一反应室(801)室壁上设有真空控制机组(3)，所述的差压分隔板(10)上设有电子束蒸发单元(7)及电子流体放射装置(6)，所述的电子束蒸发单元(7)上侧设有反应气体循环层(12)，其中，所述的电子流体放射装置(6)与所述的电子束蒸发单元(7)连接，所述的电子束蒸发单元(7)将镀料蒸发原子束流传至反应气体循环层(12)。2.根据权利要求1所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的第一反应室(801)室壁上设有与所述的反应气体循环层(12)连接的反应气体导入单元(2)。3.根据权利要求1所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的第一反应室(801)内设有基板层(4)，所述的基板层(4)与所述的反应气体循环层(12)之间设有探测电极(13)，所述的反应气体循环层(12)将镀料蒸发原子束流转化成等离子体传至所述的探测电极(13)。4.根据权利要求3所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的基板层(4)为玻璃层。5.根据权利要求3所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的基板层(4)为硅片层。6.根据权利要求3所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的探测电极(13)与所述的供电单元(I)电连接。7.根据权利要求1所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的真空控制机组(3)由扩散栗及加旋片栗组成。8.根据权利要求1所述的改进型的活化反应离子镀试验装置，其特征在于:所述的真空控制机组(3)包括第一真空装置(301)及第二真空装置(302)，所述的第一真空装置(301)设于所述的第一反应室(801)右侧，所述的第二真空装置(302)设于所述的第二反应室(802)左侧。
【文档编号】C23C14/30GK205662591SQ201620480113
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年5月23日
【发明人】杨嘉嘉, 杨文志, 陈招燕, 程亚丽
【申请人】中山市万物文化发展有限公司