无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术
  • Ga2O3系单晶基板的制作方法
    本申请是分案申请,原案申请的申请号为201580042566.3,国际申请号为pct/jp2015/072334,申请日为2015年08月06日,发明名称为“ga2o3系单晶基板”。本发明涉及ga2o3系单晶基板。已提出以从(100)面旋转50°以上且90°以下的面为主面的β-ga2o3系...
  • 本发明涉及硫酸钙化工产品的生产方法,尤其是一种硫酸钙晶须的生产方法。电石渣是电石水解获得乙炔气的副产物,其主要成分为ca(oh)2,同时含有多种杂质。受我国能源结构的影响,以电石法获得乙炔生产氯乙烯单体在我国占有较大的比重,1.0t电石加水可生成300kg以上的乙炔气体以及含固量50%左右...
  • 一种多晶硅热场坩埚装置的制作方法
    本发明涉及多晶硅加热附属装置的,特别是涉及一种多晶硅热场坩埚装置。众所周知,多晶硅热场坩埚装置是一种用于多晶硅生产加工过程中,对半成品进行加热,使其更好进行后续处理的辅助装置,其在多晶硅加热的领域中得到了广泛的使用;现有的多晶硅热场坩埚装置包括工作釜,工作釜内部设置有工作腔,工作釜...
  • 一种蚀刻装置及方法与流程
    本发明涉及硅片的加工制造领域,特别涉及一种蚀刻装置及方法。在硅片的加工制造过程中,机械加工会导致硅片表面产生损伤,硅片表面的损伤严重影响硅片的质量。为了去除硅片表面的损伤,可以使用化学品对硅片进行化学蚀刻工艺来改善硅片表面粗糙度和平坦度。但是,由于现有的蚀刻装置结构不合理,常会导致蚀刻处理...
  • 本发明属于籽晶制备,具体涉及一种mo-nb-w-zr合金单晶籽晶的培育方法。单晶籽晶的培育方法多种多样,如丘克拉斯基法(czochralski法)、应变退火法、气相结晶法、电解法、蒸馏法和区域熔炼法等,其中,适用于难熔金属单晶籽晶培育的方法仅有丘克拉斯基法、应变退火法和区域熔炼法。...
  • 一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法与流程
    本发明涉及半导体材料制备,更具体而言,涉及一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法。砷化镓(gaas),属ⅲ-ⅴ族化合物半导体,由砷和镓两种元素化合而成,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬,是当代国际公认最成熟的第二代化合物半导体材料,具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、...
  • 一种用于PVT法生长SiC单晶的装料装置及装料方法与流程
    本发明涉及晶体生长领域,特别是涉及一种用于pvt法生长sic单晶的装料装置及装料方法。作为第三代半导体材料,由于sic具有宽禁带、高热导率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等诸多优异性能,碳化硅半导体已经成为国际上公认的将引领电力电子,特别是大功率电力电子下一个50年的最佳电子材料,可用于制...
  • 一种晶体生长用温度梯度调节装置的制作方法
    本申请涉及晶体生长,尤其涉及一种晶体生长用温度梯度调节装置。蓝宝石,俗称刚玉,是一种单晶形态的氧化铝,其化学性能非常稳定,通常不受酸碱腐蚀,尤以机械性能和热学性能突出,具有强度高、硬度大、耐冲刷的优良力学性能,可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作。经过多年实践检验,现如今蓝宝石已...
  • 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法与流程
    本发明涉及一种无机卤化物单晶晶体材料制备方法,特别是涉及一种碘化铯单晶材料制备方法,还涉及一种碘化铯单晶材料尺寸调控方法,应用晶体材料制造。包括csi(tl)在内的无机卤化物被广泛应用作为高能粒子和电离辐射探测器的闪烁介质。真空沉积的csi(tl)薄膜第一次是被用于光电转换器里面的...
  • 一种MPCVD生长金刚石过程中防止籽晶漂移的方法及生长方法与流程
    本发明涉及制造金刚石领域,尤其涉及一种mpcvd生长金刚石过程中防止籽晶漂移方法及生长方法。由于金刚石具有极高的硬度、热导率、绝缘性、光透过率,以及耐酸、耐热、耐辐射等优异的物理、化学性能,被广泛地应用于工业、科研等各领域。微波等离子体化学气相沉积(mpcvd)法是目前合成金刚石的主要方法...
  • 一种铸锭加热器及铸锭炉的制作方法
    本申请涉及晶硅铸锭领域,特别是涉及一种铸锭加热器及铸锭炉。晶硅是如今硅半导体技术和太阳能发电技术的基础。现有的晶硅铸锭技术,大体上可以总结成先将装满高纯硅料的坩埚会放入多晶铸锭炉中,通过加热器通电加热,使硅料全部熔化成硅熔液。随后,通过坩埚下降远离热区、侧部隔热笼提升留出空隙或底部散热加强...
  • 一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚及其使用方法与流程
    本发明属于多品硅的热场坩埚,具体涉及一种多品硅用具有保温结构的热场坩埚及其使用方法。多晶硅是单质硅的一种形态,熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。目前多晶硅的需求主要来自于半导体...
  • 尾气传输装置的制作方法
    本发明涉及半导体设备,具体地,涉及一种尾气传输装置。硅外延是指通过化学气相沉积方法,在硅片表面沉积一层单晶硅。硅源通常来自于甲硅烷(sih4)、二氯硅烷(sih2cl2)、三氯氢硅(sihcl3)和四氯硅烷(sicl4)等硅源气体在高温下的分解或还原。通常情况下,工艺腔内沉积的硅原...
  • 一种微波等离子体化学气相沉积装置的制作方法
    本发明属于微波等离子体法化学气相沉积,特别是提供了一种可被应用于金刚石膜制备的高功率微波等离子体化学气相沉积装置。金刚石膜具有硬度高、导热性好、热膨胀系数小、高透光率、电学性能优异、介电性能好等众多优点,使它在诸如红外光学窗口、高性能导热基板、大功率器件、高频器件等领域有着广泛的应...
  • 热屏蔽部件、单晶提拉装置及单晶硅锭的制造方法与流程
    本发明涉及一种热屏蔽部件、单晶提拉装置及使用该单晶提拉装置的单晶硅锭的制造方法。一般而言,使用对利用提拉(czochralski,cz)法培育的单晶硅锭实施晶片加工处理而得到的硅晶片作为半导体器件的基板。图1示出利用cz法培育单晶硅锭的一般的单晶提拉装置的一例。该图所示的单晶提拉装置100...
  • 单晶硅的制造方法、整流部件及单晶提拉装置与流程
    本发明涉及一种单晶硅的制造方法、整流部件及单晶提拉装置。以往,已知有一种利用提拉(cz)法制造单晶硅的方法(例如参考专利文献1)。专利文献1的单晶提拉装置具备:管状体,在同轴上包围单晶硅;及气体整流部件,设置于该管状体的下端,并具有朝下方扩展的截头圆锥状表面。在管状体与气体整流部件的结合部...
  • 本发明涉及腐殖基硅肥产品及其在农业、环保、解毒和其中使用活性腐殖产品的其它领域中的用途。具体地讲,本申请涉及腐殖产品,该产品包含旨在用于施肥的高含量的储存稳定的生物可利用硅,其中硅为对植物生长的限制因子,或者可改善植物生长。腐殖质,有机质,被认为是重要且有价值的农业物质,该物质可改善土壤肥...
  • 具有包含TaC的涂层的碳材料及其制造方法与流程
    本发明涉及在碳基材上形成有包含tac(碳化钽)的涂层的碳材料及其制造方法在各个领域正进行着,通过在基材表面采用不同种类的薄膜,提高材料的耐磨性、耐腐蚀性等的研究。其中,由于包含(tac)的素材涂料技术在耐热性、耐磨性及抗内气体蚀刻性等方面具有比薄膜材料更优异的特征,特别备受关注。目前,在各...
  • 本公开涉及具有立方氮化硼颗粒和结合剂的烧结体、以及包含该烧结体的切削工具。本申请要求基于2017年10月30日递交的日本专利申请no.2017-209056的优先权。该日本专利申请中描述的所有内容以引用方式并入本文。在铁系难切削材料、特别是高硬度淬火钢的加工中,通过使用利用立方氮化硼(在下...
  • Sn-Zn-O系氧化物烧结体和其制造方法与流程
    本发明涉及:利用直流溅射、高频溅射之类的溅射法制造太阳能电池、液晶显示元件、触摸面板等中应用的透明导电膜时用作溅射靶材的sn-zn-o系氧化物烧结体和其制造方法。本申请以在日本于2017年5月12日申请的日本专利申请号特愿2017-095982为基础要求优先权,将该申请通过参照引入本申请。...
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