氨精制系统以及氨的精制方法

文档序号:3467399阅读:455来源:国知局
专利名称:氨精制系统以及氨的精制方法
技术领域
本发明涉及对粗氨进行精制(提纯)的氨精制系统以及氨的精制方法。
背景技术
在半导体制造工序以及液晶制造工序中,利用高纯度的氨作为用于氮化物被膜的制作等的处理剂。这样的高纯度的氨是通过对粗氨进行精制以除去杂质来得到的。粗氨中含有氢气、氮气、氧气、氩气、一氧化氮、二氧化碳等低沸点气体、烃、水分等作为杂质。通常能获得的粗氨的纯度为98 99重量%左右。
作为粗氨中含有的烃,通常以碳原子数为I 4的烃为主。另外,在制造作为氨的合成原料使用的氢气时,裂化气中的油分的分离不充分,或者在制造时受到来自泵类的泵油所产生的油污染的情况下,有时也发生沸点高、分子量大的烃混入到氨中。另外,如果氨中含有大量水分时,则有时会大幅降低使用该氨制造的半导体等的功能,因而需要尽量减少氨中的水分。根据半导体制造工序以及液晶制造工序中的使用氨的工序的种类不同,氨中的杂质的影响方式不同,但作为氨的纯度,要求为99. 9999重量%以上(各杂质浓度为IOOppb以下),更优选为约99. 99999重量%。近年来,要求氮化镓这样的发光体制造中使用的水分浓度低于30ppb。
作为除去粗氨中含有的杂质的方法,已知有使用硅胶、合成沸石、活性炭等吸附剂吸附除去杂质的方法、蒸馏除去杂质的方法。例如,在日本特开2006-206410号公报中公开了一种氨精制系统,其具备从液体状的粗氨中除去挥发性低的杂质的第I蒸馏塔、将从第I蒸馏塔导出的气体状的氨中含有的杂质(主要为水分)通过吸附剂吸附除去的吸附塔、和由从吸附塔导出的气体状的氨中除去挥发性高的杂质的第2蒸馏塔。另外,在日本特表2008-505830号公报中公开了一种氨的精制方法,其中,将水分的吸附塔、烃的吸附塔以及蒸馏塔组合而得到高纯度的氨。另外,在日本专利第4062710号公报中公开了一种氨的精制方法,其中,通过蒸馏塔除去沸点低的杂质后,通过吸附塔除去水分以及氧气,由此得到高纯度的氨。在日本特开2006-206410号公报、日本特表2008-505830号公报以及日本专利第4062710号公报中公开的对氨进行精制的技术中,通过吸附塔吸附除去粗氨中含有的杂质,进一步通过蒸馏塔进行蒸馏除去,从而对氨进行精制。从蒸馏塔导出的精制后的气体状的氨被冷凝后,以液体氨的形式被回收。S卩,在日本特开2006-206410号公报、日本特表2008-505830号公报以及日本专利第4062710号公报中公开的对氨进行精制的技术中,将粗氨中的含有的杂质进行吸附、蒸馏除去,再进行冷凝,从而得到精制的液体氨,因此作为对氨进行精制的方法,不能说是简化的方法,对氨进行精制需要大量的能量
发明内容
因此,本发明的目的在于提供可以通过简化的方法对氨进行精制并且可以抑制能量的消耗从而有效地对氨进行精制的氨精制系统以及氨的精制方法。本发明为一种氨精制系统,其是对粗氨进行精制的氨精制系统,其特征在于,包含:贮留部,其贮留液体状的粗氨,并将该贮留的液体状的粗氨导出;气化部,其将从所述贮留部导出的液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出;吸附部,其将从所述气化部导出的气体状的氨中含有的杂质通过多孔吸附剂吸附除去,并将气体状的氨导出;和 部分冷凝部,其将从所述吸附部导出的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。根据本发明,氨精制系统是对含有杂质的氨进行精制的系统,其包含贮留部、气化部、吸附部和部分冷凝部。气化部将从贮留部导出的液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出。吸附部将从气化部导出的气体状的氨中含有的杂质通过多孔吸附剂吸附除去,并将气体状的氨导出。然后,部分冷凝部将从吸附部导出的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。本发明的氨精制系统中,由于气化部将液体状的粗氨的一部分气化,因此在粗氨中含有的挥发性低的杂质残留在液相中,从而可以将挥发性低的成分得以减少后的气体状的氨导出。另外,部分冷凝部由于将通过吸附部吸附除去杂质后的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,因此可以以气相成分的形式分离除去氢气、氮气、氧气、IS气、一氧化碳、二氧化碳以及碳原子数为I 8的烃等挥发性高的杂质,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。因此,本发明的氨精制系统可以在没有像以往技术那样进行伴随着回流的蒸馏的情况下通过简化的方法对氨进行精制,并且可以抑制能量的消耗从而有效地对氨进行精制。另外,本发明的氨精制系统中,优选上述吸附部至少具有填充了合成沸石MS-3A作为吸附剂的吸附区域和填充了合成沸石MS-13X作为吸附剂的吸附区域。根据本发明,吸附部至少具有填充了合成沸石MS-3A作为吸附剂的吸附区域和填充了 MS-13X作为吸附剂的吸附区域。合成沸石MS-3A是对水分具有优良的吸附能力的吸附剂。MS-13X是对水分以及烃具有优良的吸附能力的吸附剂。通过形成具有填充了具有这样的吸附能力的MS-3A以及MS-13X的吸附区域的吸附部,可以将从气化部导出的气体状的氨中含有的水分、高级烃等挥发性低的杂质高效地吸附除去。另外,高级烃等杂质含量多时,也可以具有填充了活性炭作为吸附剂的吸附区域。另外,本发明的氨精制系统中,优选上述吸附部具有串联连接的多个吸附塔,所述多个吸附塔将从所述气化部导出的气体状的氨中含有的杂质吸附除去。根据本发明,吸附部具有串联连接的多个吸附塔。通过吸附部具有串联连接的多个吸附塔,可以提高对从气化部导出的气体状的氨中含有的杂质的吸附除去能力。另外,本发明为一种氨的精制方法,其是对粗氨进行精制的方法,其特征在于,包含:贮留工序,其贮留液体状的粗氨,并将该贮留的液体状的粗氨导出;气化工序,其将在所述贮留工序导出的液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出;吸附工序,其将在所述气 化工序导出的气体状的氨中含有的杂质通过多孔吸附剂吸附除去;和部分冷凝工序,其将在所述吸附工序中吸附除去了杂质的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。根据本发明,氨的精制方法为将含有杂质的粗氨进行精制的方法,其包含贮留工序、气化工序、吸附工序和部分冷凝工序。气化工序将在贮留工序中导出的液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出。吸附工序将在气化工序中导出的气体状的氨中含有的杂质通过多孔吸附剂吸附除去。然后,部分冷凝工序将在吸附工序中吸附除去了杂质的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。本发明的氨的精制方法中,由于在气化工序中将液体状的粗氨的一部分气化,因此在粗氨中含有的挥发性低的杂质残留在液相中,从而可以将挥发性低的杂质得以减少后的气体状的氨导出。然后,在部分冷凝工序中,由于将在吸附工序中吸附除去了杂质的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,因此可以将氢气、氮气、氧气、気气、一氧化碳、二氧化碳以及碳原子数为I 8的烃等挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。因此,本发明的氨的精制方法可以在没有像以往技术那样进行伴随着回流的蒸馏的情况下通过简化的方法对氨进行精制,并且可以抑制能量的消耗从而有效地对氨进行精制。


本发明的目的、特色以及优点通过下述详细的说明和附图变得更加明确。图I是表示本发明的第I实施方式的氨精制系统的构成的图。图2是表示本发明的第2实施方式的氨精制系统的构成的图。符号说明I原料贮留罐2气化器3吸附部4分析部5冷凝器6 制品31,2011 第 I 吸附塔32,2012 第 2 吸附塔33,2013 第 3 吸附塔34第4吸附塔
100,200氨精制系统311,321,331,341,20111,20121,20131 第 I 吸附区域312,322,332,342,20112,20122,20132 第 2 吸附区域
具体实施例方式以下,参考附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。图I是表示本发明的第I实施方式的氨精制系统100的构成的图。本实施方式的氣精制系统100为对含有杂质的液体状的粗氣进行精制的系统。氨精制系统100包含作为贮留部的原料贮留罐I、作为气化部的气化器2、吸附部
3、分析部4、作为部分冷凝部的冷凝器5以及制品罐6来构成。另外,氨精制系统100将实现本发明中的氨的精制方法,在原料贮留罐I中实施贮留工序,在气化器2中实施气化工序,在吸附部3中实施吸附工序,在冷凝器5中实施部分冷凝工序。原料贮留罐I用于贮留粗氨。本实施方式中,在原料贮留罐I中贮留的粗氨的纯度为99重量%以上,优选纯度为99. O 99. 9重量%。原料贮留罐I只要是具有耐压性以及耐腐蚀性的保温容器就行,没有特别的限制。该原料贮留罐I以液体状的氨的形式贮留粗氨,并被控制以使得温度以及压力达到一定条件。在原料贮留罐I贮留了液体状的粗氨的状态下,在原料贮留罐I的上部形成气相,在下部形成液相。本实施方式中,从将粗氨从原料贮留罐I中导出到气化器2中时,从上述液相中以液体状的粗氨的形式导出粗氨。有时原料粗氨在各个制品批次中杂质浓度的偏差大。这样,要将杂质浓度的偏差大的粗氨从原料贮留罐I的气相中导出时,气相成分的组成偏差大,最终精制的液体氨的纯度有可能产生大的偏差。本实施方式中,氨精制系统100以从原料贮留罐I的液相导出液体状的粗氨的方式构成,因此即使在使用杂质浓度的偏差大的粗氨时,也能够防止最终精制的液体氨的纯度产生大偏差。在原料贮留罐I与气化器2之间连接有第I配管81,从原料贮留罐I导出的液体状的粗氨流过第I配管81而供给到气化器2中。在第I配管81上设置有开放或关闭第I配管81中的流路的第I阀门811。液体状的粗氨向气化器2中供给时,第I阀门811开放,液体状的粗氨从原料贮留罐I朝向气化器2流过第I配管81内。气化器2将从原料贮留罐I导出的液体状的粗氨的一部分气化,即,将液体状的粗氨加热从而以规定的气化率进行气化从而分离成气相成分和液相成分,并将气体状的氨导出。由于气化器2将液体状的粗氨的一部分气化,因此粗氨中含有的挥发性低的杂质(例如,水分、碳原子数为9以上的烃等)残留在液相中,从而能够将挥发性低的杂质得以减少后的气体状的氨导出。本实施方式中,气化器2将从原料贮留罐I导出的液体状的氨以90 95体积%的气化率气化而分离成气相成分和液相成分。此时,从原料贮留罐I导出的液体状的氨中的90 95体积%为气相成分,5 10体积%为液相成分。气化器2上连接有设置有第2阀门821的第2配管82和设置有开关阀门821a的配管82a。另外,第2配管82连接在气化器2与吸附部3之间。
在气化器2中从氨中以液相成分的形式分离除去的挥发性低的杂质在开关阀门821a开放的状态下,流过配管82a而排出到系统外部。另外,在气化器2中以气相成分的形式得到的气体状的氨在第2阀门821开放的状态下,流过第2配管82而供给到吸附部3中。吸附部3将从气化器2导出的气体状的氨中含有的杂质通过主要由多孔的合成沸石构成的吸附剂吸附除去。本实施方式中,吸附部3包含作为多个吸附塔的第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34来构成。
第I吸附塔31以及第3吸附塔33与第3配管83并联连接。在第3配管83上设置有开放或关闭第3配管83中的流路的第3阀门831以及第4阀门832。在第3配管83上,第3阀门831配置在第I吸附塔31的上游侧(即,第I吸附塔31的塔顶部侧),第4阀门832配置在第3吸附塔33的上游侧(即,第3吸附塔33的塔顶部侧)。从气化器2导出的气体状的氨向第I吸附塔31供给时,第3阀门831开放,第4阀门832关闭,气体状的氨从气化器2朝向第I吸附塔31流过第3配管83内。另外,从气化器2导出的气体状的氨向第3吸附塔33供给时,第4阀门832开放,第3阀门831关闭,气体状的氨从气化器2朝向第3吸附塔33流过第3配管83内。这样,通过吸附部3具有并联连接的第I吸附塔31以及第3吸附塔33,可以将从气化器2导出的气体状的氨以分别区分开的状态向并联连接的第I吸附塔31以及第3吸附塔33导入。因此,例如,在用第I吸附塔31进行吸附除去的期间,可以对使用完后的第3吸附塔33进行再生处理以使得能够用使用完后的第3吸附塔33再次进行吸附除去操作。第2吸附塔32通过第4配管84与第I吸附塔31串联连接。S卩,第4配管84的一端部与第I吸附塔31的塔底部连接,另一端部与第2吸附塔32的塔顶部连接。由此,从气化器2导出且导入第I吸附塔31中的气体状的氨流过第4配管84而导入第2吸附塔32中。这样,通过吸附部3具有串联连接的第I吸附塔31以及第2吸附塔32,能够将从气化器2导出的气体状的氨中含有的杂质用第I吸附塔31以及第2吸附塔32吸附除去,因此可以提闻对杂质的吸附除去能力。从第2吸附塔32导出的气体状的氨流过第5配管85而供给到与冷凝器5连接的第10配管90中。在第5配管85上设置有开放或关闭第5配管85中的流路的第5阀门851以及第6阀门852。在第5配管85上,第5阀门851配置在氨的流过方向上游侧(即,第2吸附塔32侧),第6阀门852配置在氨的流过方向下游侧(即,第10配管90侧)。从第2吸附塔32导出的气体状的氨向第10配管90供给时,第5阀门851以及第6阀门852开放,气体状的氨从第2吸附塔32朝向第10配管90流过第5配管85内。另外,本实施方式的氨精制系统100中,在第5阀门851与第6阀门852之间设置有从第5配管85分支出来并与分析部4连接的第8配管88。在该第8配管88上设置有开放或关闭第8配管88中的流路的第9阀门881。在从气化器2导出的气体状的氨导入第I吸附塔31以及第2吸附塔32中时,第9阀门881总是开放,分析所需要的极少量的氨朝向分析部4流过第8配管88内。第4吸附塔34通过第6配管86与第3吸附塔33串联连接。S卩,第6配管86的一端部与第3吸附塔33的塔底部连接,另一端部与第4吸附塔34的塔顶部连接。由此,从气化器2导出且导入第3吸附塔33中的气体状的氨流过第6配管86而导入第4吸附塔34中。这样,通过吸附部3具有串联连接的第3吸附塔33以及第4吸附塔34,用第3吸附塔33以及第4吸附塔34将从气化器2导出的气体状的氨中含有的杂质吸附除去,因此能够提高对杂质的吸附除去能力。从第4吸附塔34导出的气体状的氨流过第7配管87而供给到与冷凝器5连接的第10配管90中。在第7配管87上设置有开放或关闭第7配管87中的流路的第7阀门871以及第8阀门872。在第7配管87上,第7阀门871配置在氨的流过方向上游侧(即,第4吸附塔34侧),第8阀门872配置在氨的流过方向下游侧(即,第10配管90侧)。从第4吸附塔 34导出的气体状的氨向第10配管90供给时,第7阀门871以及第8阀门872开放,气体状的氨从第4吸附塔34朝向第10配管90流过第7配管87内。另外,本实施方式的氨精制系统100中,在第7阀门871与第8阀门872之间设置有从第7配管87分支出来并与分析部4连接的第9配管89。在该第9配管89上设置有开放或关闭第9配管89中的流路的第10阀门891。在从气化器2导出的气体状的氨导入第3吸附塔33以及第4吸附塔34中时,第10阀门891总是开放,分析所需要的极少量的氨朝向分析部4流过第9配管89内。另外,本实施方式中,第I吸附塔31具有填充了作为合成沸石的MS_3A(微孔径为3A的多孔合成沸石)的第I吸附区域311和填充了作为合成沸石的MS-13X(微孔径为9A的多孔合成沸石)的第2吸附区域312。在第I吸附塔31中,第I吸附区域311与第2吸附区域3 12串联连接,第I吸附区域311配置在塔顶部侧,第2吸附区域312配置在塔底部侧。但是,即使第I吸附区域311与第2吸附区域312的配置反过来,也没有任何影响。另外,在高级烃等杂质多的情况下,也可以追加填充了作为吸附剂的活性炭的吸附区域。另外,第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34分别与第I吸附塔31具有同样的构成。具体而言,在第2吸附塔32中,在塔顶部侧配置填充了 MS-3A的第I吸附区域321,在塔底部侧配置填充了 MS-13X的第2吸附区域322。在第3吸附塔33中,在塔顶部侧配置填充了 MS-3A的第I吸附区域331,在塔底部侧配置填充了 MS-13X的第2吸附区域332。在第4吸附塔34中,在塔顶部侧配置填充了 MS-3A的第I吸附区域341,在塔底部侧配置填充了 MS-13X的第2吸附区域342。但是,即使在第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34中第I吸附区域321、331、341与第2吸附区域322、332、342的配置反过来,也没有任何影响。另外,在高级烃等杂质多的情况下,也可以追加填充了作为吸附剂的活性炭的吸附区域。 合成沸石MS-3A是对水分具有优良的吸附能力的吸附剂。MS-13X是对水分以及烃具有优良的吸附能力的吸附剂。通过形成具有填充了具有这样的吸附能力的MS-3A的第I吸附区域以及填充了 MS-13X的第2吸附区域的第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34,可以将从气化器2导出的气体状的氨中含有的水分、高级烃等挥发性低的杂质有效地吸附除去。本实施方式中使用的由MS-3A以及MS-13X等合成沸石构成的吸附剂以及活性炭可以通过加热、减压、加热以及减压中的任意一种处理使所吸附的杂质(水分以及烃)脱离而再生。例如,通过加热处理使由吸附剂吸附的杂质脱离的情况下,在200 350°C的温度下进行加热即可。本实施方式的氨精制系统100中,第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34的温度被控制为O 60°C,压力被控制为O. I I. OMPa0在第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34的温度低于0°C时,需要进行将在吸附除去杂质时产生的吸附热加以除去的冷却,从而能量效率有可能降低。第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34的温度超过60°C时,吸附剂对杂质的吸附能力有可能降低。另外,第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34的压力低于O. IMPa时,吸附剂对杂质的吸附能力有可能降低。第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34的压力超过I. OMPa时,为了维持在一定压力下,需要大量的能量,能量效率有可能降低。另外,第I吸附塔31、第2吸附塔32、第3吸附塔33以及第4吸附塔34中的线速度是将每单位时间中气体状的氨供给到各吸附塔31、32、33、34的量换算成NTP(常温常压)下的气体体积并除以各吸附塔31、32、33、34的空塔截面积而求出的值的范围优选为
O.I 5. Om/秒。线速度低于O. Im/秒时,吸附除去杂质需要长时间,因此不优选,线速度超过5. Om/秒时,吸附除去杂质时产生的吸附热没有被充分除去,吸附剂对杂质的吸附能力有可能降低。从第2吸附塔32导出并流过第8配管88的气体状的氨或者从第4吸附塔34导出并流过第9配管89的气体状的氨被导入分析部4中。分析部4对从第2吸附塔32或第4吸附塔34导出的气体状的氨中含有的杂质的浓度进行分析。本实施方式中,分析部4为气相色谱分析装置(GC-PDD:脉冲放电型检测器)。作为气相分析装置,例如可以列举出GC-4000 (GL Sciences株式会社制)。基于该分析部4所得到的分析结果,可以设定后述冷凝器5将从第2吸附塔32或者第4吸附塔34导出的气体状的氨部分冷凝时的冷凝率。从第2吸附塔32导出并供给到第10配管90中的气体状的氨或者从第4吸附塔34导出并供给到第10配管90中的气体状的氨流过第10配管90而被导入冷凝器5中。在此,对于本实施方式的氨精制系统100中的作为部分冷凝部的冷凝器5所进行的气体状的氨的部分冷凝进行说明。冷凝器5将从第2吸附塔32或第4吸附塔34导出的气体状的氨进行部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将氨中含有的挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。关于工业上制造的氨(粗氨)中含有的杂质,如果对其种类进行大致分类,则通常为氢气、氮气、氧气、氩气、一氧化碳以及二氧化碳等溶存低沸点气体、烃类、水分等。作为粗氨中含有的烃,含量最多的是甲烷,除此之外,含量依次较多的是乙烷、丙烷、乙烯以及丙烯等。就碳原子数而言,碳原子数为I 3的烃构成烃类的主要成分。但是,粗氨中也含有碳原子数为4以上的烃,多数情况下含有碳原子数为4 6的烃,但它们的含量较少。另外,在将工业上制造的氨气进行液化时,为了使其压缩,要使用油泵等。此时,在粗氨中含有从油泵等混入的来自泵油的油分等具有大分子量的烃。为了制造面向电子产业的氨,需要制成可以将这些构成杂质的碳原子数为宽范围 的烃类除去的氨的精制系统。本发明人们发现,作为代替精馏的粗氨中的杂质的除去方法,通过部分冷凝来实施的方法是优良的。例如,在通过精馏来分离烃时,通常需要设置5 20段的精馏塔,以回流比为10 20来进行蒸馏。在该蒸馏中,氨中含有的主要是碳原子数为I 8的烃类是作为挥发性高的成分从蒸馏塔的塔顶部除去。在通过该精馏操作来得到高纯度的氨时,会产生的问题是将从蒸馏塔的塔顶部废弃的含有挥发性高的杂质的氨设定为何种程度的比例,才能得到作为目标的高纯度的氨。即使在使用杂质的含量比较低的粗氨作为原料的情况下,从精馏塔的塔顶部废弃的比例需要设定为供给到蒸馏塔中的粗氨的约10%的大比例。表I中示出了氨以及碳原子数为I 8的饱和直链烃的沸点。在碳原子数为4 8的烃作为纯物质存在时,尽管该烃的沸点比氨高,但在精馏操作中会作为挥发性高的化合物从蒸馏塔的塔顶部排出。表I
权利要求
1.一种氨精制系统,其是对粗氨进行精制的氨精制系统,其特征在于,包含 贮留部,其贮留液体状的粗氨,并将该贮留的液体状的粗氨导出; 气化部,其将从所述贮留部导出的液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出; 吸附部,其将从所述气化部导出的气体状的氨中含有的杂质通过多孔吸附剂吸附除去,并将气体状的氨导出;和 部分冷凝部,其将从所述吸附部导出的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。
2.根据权利要求I所述的氨精制系统,其特征在于,所述吸附部至少具有填充了合成沸石MS-3A作为吸附剂的吸附区域和填充了合成沸石MS-13X作为吸附剂的吸附区域。
3.根据权利要求I或2所述的氨精制系统,其特征在于,所述吸附部具有串联连接的多个吸附塔,所述多个吸附塔将从所述气化部导出的气体状的氨中含有的杂质吸附除去。
4.一种氨的精制方法,其是对粗氨进行精制的方法,其特征在于,包含 贮留工序,其贮留液体状的粗氨,并将该贮留的液体状的粗氨导出; 气化工序,其将在所述贮留工序导出的液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出; 吸附工序,其将在所述气化工序导出的气体状的氨中含有的杂质通过多孔吸附剂吸附除去;和 部分冷凝工序,其将在所述吸附工序中吸附除去了杂质的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。
全文摘要
本发明涉及氨精制系统以及氨的精制方法。氨精制系统(100)是对粗氨进行精制的系统,其包含气化器(2)、吸附部(3)和冷凝器(5)。气化器(2)将液体状的粗氨的一部分气化,并将气体状的氨导出。吸附部(3)将从气化器(2)导出的气体状的氨中含有的挥发性低的杂质通过多孔吸附剂吸附除去。然后,冷凝器(5)将从吸附部(3)导出的气体状的氨部分冷凝而分离成气相成分和液相成分,由此将挥发性高的杂质以气相成分的形式分离除去,以液相成分的形式得到精制后的液体状的氨。
文档编号C01C1/02GK102730718SQ20111034100
公开日2012年10月17日 申请日期2011年11月2日 优先权日2011年3月31日
发明者北岸信之, 吉田义则, 田井慎一, 福岛豊仁 申请人:住友精化株式会社
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