专利名称：一种自清洁二氧化硅反应炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及制作二氧化硅的设备，具体地说是一种利用氯硅烷或甲基氯硅烷制作二氧化硅的反应炉。
背景技术：
气相法二氧化硅的生产工艺较为成熟，但以甲基三氯硅烷为原料生产气相法二氧化硅的工艺条件及参数控制很苛刻，所以对二氧化硅反应炉的要求较高，并且反应的过程中很容易出现粉尘吸附在炉壁上的情况，日积月累炉壁上就会形成几厘米甚至十几厘米的二氧化硅粉尘层，阻碍反应炉换热，严重时甚至出现堵塞炉膛的情况，影响生产的正常进行，并且二氧化硅粉尘层不容易清理干净，因此生产效率不高，虽说现有的二氧化硅反应炉的喷嘴具有一定的抽吸作用，但是所起的作用并不大，粉尘照样会吸附在炉壁上形成粉尘层。
实用新型内容本实用新型提供一种抽吸和混合效果好，对反应炉的炉壁进行自动吹扫的自清洁
二氧化硅反应炉。本实用新型是通过下述技术方案实现的一种自清洁二氧化硅反应炉，包括炉膛、 扩大段、混合室和喷嘴，所述炉膛和混合室通过扩大段相连接，所述喷嘴设于混合室上方， 所述混合室侧壁上设有吹扫气入口。所述炉膛、扩大段、混合室和喷嘴组成文丘里结构。所述吹扫气入口与混合室相切。所述混合室内部呈负压状态。所述反应炉出口设于炉膛底部。本实用新型所带来的有益效果是本实用新型中，所述自清洁二氧化硅反应炉包括炉膛、扩大段、混合室和喷嘴，所述炉膛为物料充分燃烧提供空间，所述混合室是利用喷嘴抽吸吹扫气，产生一定负压的空间，这个主要是防止回火和物料进入管道，也是利用了文丘里结构的一个特性，所述扩大段用于恢复气体总压，便于物料出反应炉，所述喷嘴是物料的进口，反应主物料为空气、氢气和甲级三氯硅烷混合物，从喷嘴进入反应炉，并点火燃烧； 所述混合室侧壁上设有吹扫气入口，用于吸入吹扫的空气；所述炉膛、扩大段、混合室和喷嘴组成文丘里结构，具有很好的喷射、抽吸和混合的效果，所述炉膛和混合室呈圆柱形，有利于物料地充分燃烧；所述吹扫气入口与混合室相切，空气沿着混合室内壁被吸入，并沿内壁运动，有利于清除反应炉内壁的粉尘，进而保证正常生产；所述混合室内部呈负压状态， 有利于外部空气被吸入混合室，进行吹扫，进而有效清除内壁的粉尘。
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。[0011]
图1为本实用新型所述自清洁二氧化硅反应炉的主视图。图2为本实用新型所述自清洁二氧化硅反应炉的俯视图。图中部件名称对应的标号如下1、炉膛；2、扩大段；3、混合室；4、喷嘴；5、吹扫气入口 ；6、反应炉出口。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步的详述作为本实用新型所述自清洁二氧化硅反应炉的实施例，如
图1所示，包括炉膛1、扩大段2、混合室3和喷嘴4，所述炉膛1和混合室3通过扩大段2相连接，所述喷嘴4设于混合室3上方，所述混合室3侧壁上设有吹扫气入口 5。所述炉膛1为物料充分燃烧提供空间，所述混合室3是利用喷嘴4抽吸吹扫气，产生一定负压的空间，这个主要是防止回火和物料进入管道，也是利用了文丘里结构的一个特性，所述扩大段2用于恢复气体总压，便于物料出反应炉，所述喷嘴4是物料的进口，反应的主物料为空气、氢气和甲级三氯硅烷混合物，从喷嘴4进入反应炉，并点火燃烧；所述混合室3侧壁上设有吹扫气入口 4，用于吸入吹扫的空气。本实施例中，所述炉膛1、扩大段2、混合室3和喷嘴4组成文丘里结构。所述文丘里结构具有很好的喷射、抽吸和混合的效果，所述炉膛1和混合室3呈圆柱形，有利于物料地充分燃烧。本实施例中，所述吹扫气入口 5与混合室3相切。空气沿着混合室3内壁被吸入， 并沿内壁运动，有利于清除反应炉内壁的粉尘，进而保证正常生产。本实施例中，所述混合室3内部呈负压状态。有利于外部空气被吸入混合室3，进行吹扫，进而有效清除内壁的粉尘。本实施例中，所述反应炉出口 6设于炉膛1底部。便于物料和空气排出。
权利要求1.一种自清洁二氧化硅反应炉，其特征在于包括炉膛、扩大段、混合室和喷嘴，所述炉膛和混合室通过扩大段相连接，所述喷嘴设于混合室上方，所述混合室侧壁上设有吹扫气入口。
2.如权利要求1所述的自清洁二氧化硅反应炉，其特征在于所述炉膛、扩大段、混合室和喷嘴组成文丘里结构。
3.如权利要求2所述的自清洁二氧化硅反应炉，其特征在于所述吹扫气入口与混合室相切。
4.如权利要求3所述的自清洁二氧化硅反应炉，其特征在于所述混合室内部呈负压状态。
5.如权利要求4所述的自清洁二氧化硅反应炉，其特征在于所述反应炉出口设于炉膛底部。
专利摘要本实用新型涉及制作二氧化硅的设备，具体地说是一种利用氯硅烷或甲基氯硅烷制作二氧化硅的反应炉。该自清洁二氧化硅反应炉包括炉膛、扩大段、混合室和喷嘴，所述炉膛和混合室通过扩大段相连接，所述喷嘴设于混合室上方，所述混合室侧壁上设有吹扫气入口。本实用新型提供一种抽吸和混合效果好，对反应炉的炉壁进行自动吹扫的自清洁二氧化硅反应炉。
文档编号C01B33/12GK202201716SQ20112035184
公开日2012年4月25日 申请日期2011年9月20日 优先权日2011年9月20日
发明者何启红, 王樟茂, 马国维 申请人:浙江合盛硅业有限公司