电子行业铜废液的提取工艺的制作方法
【专利摘要】一种电子行业铜废液的提取工艺，包括：中和废液，在pH8~9下得Cu(OH)2沉淀；将Cu(OH)2沉淀加热水搅拌，并加片碱，以得到CuO沉淀；将CuO加冷却水，后加浓硫酸获得硫酸铜溶液，该工艺产物是水和硫酸铜，便于后期工业应用和保存，防止后续污染，同时方法简便，成本低，适合工业使用。
【专利说明】电子行业铜废液的提取工艺
【技术领域】
[0001]本发明有关于电子行业，特别是对其铜废液的提取工艺。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小，即特征尺寸具有不断缩小的要求。
[0003]与之相对应的印制电路板制造技术是一项非常复杂的、综合性很高的加工技术。其需采用大量的水，因而有多种重金属废水和有机废水排出，成分复杂，处理难度较大。其废液、废水中的以铜主，并还有不少其他的重金属和贵金属，如有铅、锡、金、银、氟、氨、有机物和有机络合物等。
[0004]这些存在于废液、废水中的金属如不经处理就排放，既造成了浪费又污染了环境。因此，在印制板生产过程中的废水处理和铜等金属的回收是很有意义的，是印制板生产中不可缺少的部分。
为使废水处理达到国家规定的排放标准，其中铜及其化合物的最高允许排放浓度为lmg/1 (按铜计)，必须针对不同的含铜废水，采取不同的废水处理方法。
[0005]为此需要一种针对电子行业生产特点，废铜液的提取再利用的工艺。
【发明内容】
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种电子行业铜废液的提取工艺，包括:
1)中和沉淀:将酸性铜废液和碱性铜废液置于同一容器进行中和，调整PH为8~9，以得Cu (OH) 2 沉淀；
2)沉淀转化:将Cu(OH)2沉淀置于反应釜中加热水搅拌，并加片碱调节pH，以使Cu (OH) 2沉淀转化为CuO沉淀；
3)获得硫酸铜:将压滤并洗涤后的所述CuO置于反应釜中，加冷却水搅拌均匀，然后加浓硫酸直至沉淀完全溶解，获得硫酸铜溶液。
[0007]本发明所述提供的方案中，所得到的产物为硫酸铜溶液和反应后产生的水，同时硫酸铜又是工业生产上一种常见的原料制剂。因此产物不仅环保，且适用后期进行各种的工业应用，且方法简便，材料费用低，便于大规模操作。
【具体实施方式】
[0008]本发明提供一种电子行业铜废液的提取工艺，包括:
1)中和沉淀:将酸性铜废液和碱性铜废液置于同一容器进行中和，调整PH为8~9，以得Cu (OH) 2 沉淀；
优选的，所述反应釜为搪瓷反应釜。所述碱性铜废液为NH4Cl- NH3.H2O体系，其pH:9~10，含Cu: 120mg/L。所述酸性铜废液为盐酸体系，pH〈4~4.5，含Cu: 100mg/L。[0009]2)沉淀转化:将Cu(OH)2沉淀置于反应釜中加热水搅拌，并加片碱调节pH，以使Cu (OH) 2沉淀转化为CuO沉淀；
优选的，所述加片为工业纯碱。在加所述片碱过程中开启真空泵至完毕，然后盖上反应
[0010]3)获得硫酸铜:将压滤并洗涤后的所述CuO置于反应釜中，加冷却水搅拌均匀，然后加浓硫酸直至沉淀完全溶解，获得硫酸铜溶液。
[0011]作为进一步优化，所述硫酸铜溶液经过浓缩并结晶析出硫酸铜晶体，即硫酸铜的水合物。以方便运输和使用。
[0012]应了解本发明所要保护的范围不限于非限制性实施方案，应了解非限制性实施方案仅仅作为实例进行说明。本申请所要要求的实质的保护范围更体现于独立权利要求提供的范围，以及其从属权利要求。
【权利要求】
1.一种电子行业铜废液的提取工艺，包括: 1)中和沉淀:将酸性铜废液和碱性铜废液置于同一容器进行中和，调整PH为8~9，以得Cu (OH) 2 沉淀； 2)沉淀转化:将Cu(OH)2沉淀置于反应釜中加热水搅拌，并加片碱调节pH，以使Cu (OH) 2沉淀转化为CuO沉淀； 3)获得硫酸铜:将压滤并洗涤后的所述CuO置于反应釜中，加冷却水搅拌均匀，然后加浓硫酸直至沉淀完全溶解，获得硫酸铜溶液。
2.如权利要求1所述的提取工艺，其特征在于:所述反应釜为搪瓷反应釜。
3.如权利要求1所述的提取工艺，其特征在于:所述碱性铜废液为NH4Cl-NH3.H2O体系，其 pH: 9 ~10，含 Cu: 120mg/L。
4.如权利要求1所述的提取工艺，其特征在于:所述酸性铜废液为盐酸体系，pH〈4~4.5，含 Cu: 100mg/L。
5.如权利要求1所述的提取工艺，其特征在于:所述加片为工业纯碱。
6.如权利要求1所述的提取工艺，其特征在于:在所述步骤2)中:在加所述片碱过程中开启真空泵至完毕，然后盖上反应釜盖。
【文档编号】C01G3/10GK103641152SQ201310538579
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年11月5日 优先权日:2013年11月5日
【发明者】夏泽军 申请人:昆山宏凌电子有限公司