一种新型氮化硅粉体的合成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种新型氮化硅粉体的制备方法，该方法是采用复合等离子气相沉积法制备出高纯、超细、分散性好的氮化硅粉体，适应批量生产的需求，可广泛应用于制造耐高温部件、化学工业中耐腐蚀部件等领域。
【背景技术】
[0002]氮化硅陶瓷材料作为一种高温结构材料，具有比重轻、高温且强度大、热膨胀系数小、弹性模量高、耐热冲击、抗氧化、耐腐蚀、耐磨损、绝缘性能好等优点。氮化硅的性能足以与高温合金相媲美，主要应用于制造耐高温部件、化学工业中耐腐蚀部件等领域。正因为氮化硅具有其他材料不可比拟的优异性能，人们对氮化硅陶瓷研究深度与力度不断加大，是结构陶瓷研究中最为深入的材料，因此合成高纯度、超细氮化硅粉体的新方法不断涌现。
[0003]目前，制备氮化硅粉体的常见方法包括:硅粉直接氮化法、碳热还原法、热分解法及气相反应法。但上述方法存在着反映条件不易控制，其合成的产物杂质较多，制备的氮化硅粉体粒度粗大等缺点，最终会直接影响氮化硅陶瓷的性能。
【发明内容】
[0004]本发明以解决上述问题为目的，而提供一种复合等离子气相沉积法制备氮化硅粉体，分别以不同硅源、混合气态氮源为原料，在等离子反应腔体内充分反应得到氮化硅粉体，经后续水处理除去多余杂质，制备出高纯、超细、分散性好的氮化硅粉体，有效地解决了上述氮化硅粉体粒度大、纯度低等缺点。
[0005]为实现上述目的，本发明采用下述技术方案:一种新型氮化硅粉体的合成方法，该合成方法是通过下述步骤实现的:
[0006]1、原料组成及组成范围:以SiCl4S SiBr4S SiI4S SiH4中的一种为硅源，以N2-NH3-Ar为工作气体，原料组成按摩尔比，Si源:N源=1_1.7:3-4.2，其中氮源的化学组成按摩尔比，N2INH3= 0.2-1.0:1-3.2 ；
[0007]2、具体实现步骤:通入2.0m3/h的Ar气体，排除空气，注入液态(去掉)硅源，将氮源的混合气体通入等离子反应腔体内，其中氮源混合气体的流量控制在5-10m3/h，在5-55kW功率下，形成等离子体，以3°C /min?6°C /min的升温速率，升温至1000-1400°C，反应I?3h，此时硅源与氮源发生反应，反应完全后，以5°C /min?7°C /min降温，当温度降至500?600°C时保温I?2h，去除杂质，得到的粉体再经水洗二次去除杂质，得到高纯、超细的氮化硅粉体。
[0008]本发明的有益效果及特点:
[0009]该方法是采用复合等离子气相沉积的方法制备纳米Si3N4粉体，相比于其它制备纳米粉体材料的方法，等离子体增强化学气相沉积具有反应温度低，对生成物无污染，产物纯度高，颗粒尺寸小，具有高温、急剧升温和快速冷却的特点。
[0010]1、本发明选用的队和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源在等离子反应腔体内充分反应。
[0011]2、反应后得到的产物为粉体，经后续的水处理，消除杂质，可以得到高纯的氮化硅粉体，整个制备过程较为环保。
[0012]3、通过本发明制备的氮化硅粉体不仅具有超细、纯度高、分散性好等优点，而且对环境污染小，产物均为粉体，好收集，具有用途广及可实现批量生产的特点。
[0013]该方法可避免传统的Si3N4合成方法中，保温氮化时间过长，能耗过高，容易引入杂质等问题。
【具体实施方式】
[0014]下面通过实施例详述本发明:
[0015]实例1:首先通入2.0mVh的Ar气体，原料采用液态SiCl4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1: 3，队和NH 3的摩尔比为0.2:2.8，注入等离子反应腔体内，在5kW下反应，腔体以3°C /min升温至1000°C，反应lh，反应完全后，以5°C /min降温至500°C，保温lh，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为9nm。
[0016]实例2:首先通入2.0mVh的Ar气体，原料采用液态SiBr4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1.7:4.2，NjPNH3的摩尔比为1:3.2，注入等离子反应腔体内，在55kW下反应，腔体以6°C/min升温至1400°C，反应3h，反应完全后，以7°C /min降温至600°C，保温2h，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为20nm。
[0017]实例3:首先通入2.0m3/h的Ar气体，原料采用SiI4S硅源，以1和順3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1.2:3.5，队和NH3的摩尔比为0.5:3，注入等离子反应腔体内，在32kW下反应，腔体以4°C /min升温至1100°C，反应2h，反应完全后，以6°C /min降温至550°C，保温1.2h，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为12nm。
[0018]实例4:首先通入2.0m3/h的Ar气体，原料采用液态SiH4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1.5:3.6，队和NH3的摩尔比为0.8:2.8，注入等离子反应腔体内，在40kW下反应，腔体以5°C /min升温至1100°C，反应2.5h，反应完全后，以60C /min降温至530°C，保温1.5h，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为16nm。
【主权项】
1.一种新型氮化硅粉体的合成方法，该合成方法是通过下述步骤实现的: a、原料组成及组成范围:以SiCl4SSiBr 4或Si 14或31!14中的一种为硅源，以N2-NH3-Ar为工作气体，原料组成按摩尔比，Si源:N源=1-1.7: 3-4.2，其中氮源的化学组成按摩尔比，N2 = NH3= 0.2-1.0:1-3.2 ； b、具体实现步骤:通入2.0m3/h的Ar气体，排除空气，注入硅源，将氮源的混合气体通入等离子反应腔体内，其中氮源混合气体的流量控制在5-10m3/h，在5-55kW功率下，形成等离子体，以3°C /min?6°C /min的升温速率，升温至1000_1400°C，反应I?3h，此时硅源与氮源发生反应，反应完全后，以5°C /min?7°C /min降温，当温度降至500?600°C时保温I?2h，去除杂质，得到的粉体再经水洗二次去除杂质，得到高纯、超细的氮化硅粉体。2.如权利要求1所述的一种新型氮化硅粉体的合成方法，其具体合成方法是通过下述步骤实现的: 首先通入2.0mVh的Ar气体，原料采用液态SiCl4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1:3，队和NH3的摩尔比为0.2:2.8，注入等离子反应腔体内，在5kW下反应，腔体以3°C /min升温至1000 °C，反应lh，反应完全后，以5°C /min降温至5000C，保温lh，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为9nm。3.如权利要求1所述的一种新型氮化硅粉体的合成方法，其具体合成方法是通过下述步骤实现的: 首先通入2.0mVh的Ar气体，原料采用液态SiBr4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1.7:4.2，队和NH3的摩尔比为1:3.2，注入等离子反应腔体内，在55kW下反应，腔体以6°C /min升温至1400°C，反应3h，反应完全后，以7°C /min降温至6000C，保温2h，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为20nm。4.如权利要求1所述的一种新型氮化硅粉体的合成方法，其具体合成方法是通过下述步骤实现的: 首先通入2.0mVh的Ar气体，原料采用SiI4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1.2:3.5，队和NH3的摩尔比为0.5:3，注入等离子反应腔体内，在32kW下反应，腔体以4°C /min升温至1100°C，反应2h，反应完全后，以6°C /min降温至550 °C，保温1.2h，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为12nm。5.如权利要求1所述的一种新型氮化硅粉体的合成方法，其具体合成方法是通过下述步骤实现的: 首先通入2.0mVh的Ar气体，原料采用液态SiH4S硅源，以N 2和NH 3的混合气体作为氮源，硅源与氮源的摩尔比1.5:3.6，队和NH3的摩尔比为0.8:2.8，注入等离子反应腔体内，在40kW下反应，腔体以5°C /min升温至1100 °C，反应2.5h，反应完全后，以6°C /min降温至530°C，保温1.5h，继续降温，待温度下降至室温后，将得到的粉体材料经水洗二次去除杂质，得到高纯氮化硅粉体，平均粒径为16nm。
【专利摘要】一种新型氮化硅粉体的合成方法，该方法是采用复合等离子气相沉积的方法制备纳米Si3N4粉体，该方法可避免传统的Si3N4合成方法存在的保温氮化时间过长，能耗过高，容易引入杂质等问题。本发明分别采用SiCl4或SiBr4或SiI4或SiH4为原料，以N2-NH3-Ar为工作气体，在5-55kW功率下，形成等离子体，在1000-1400℃下，在等离子反应容器内快速发生反应制备出氮化硅粉体。通过本发明制备的氮化硅粉体不仅具有超细、纯度高、分散性好等优点，而且对环境污染小，产物均为粉体，好收集。相比于其它制备纳米粉体材料的方法，复合等离子体增强(去掉)化学气相沉积具有反应温度低，对生成物无污染，产物纯度高，颗粒尺寸小，具有高温、急剧升温和快速冷却的特点。
【IPC分类】C01B21/068, C04B35/584, C04B35/626
【公开号】CN105712305
【申请号】CN201410719051
【发明人】李军, 许壮志, 薛健, 王欣丹, 王世林
【申请人】沈阳鑫劲粉体工程有限责任公司