技术总结
本发明公开了一种二维纳米薄膜制备装置，包括：衬底储存室，沉积室，取样室，以及样品传送室，所述样品传送室包括样品运送装置，至少用以在样品传送室和能够与所述样品传送室真空级联的衬底储存室、沉积室或取样室之间传送所述衬底和/或样品。进一步还可包括镀膜室等，并且所述镀膜室亦能够与所述样品传送室真空级联。本发明还公开了一种二维纳米薄膜制备方法。藉由本发明的装置及方法可实现二维纳米薄膜材料在硅或其它硬质半导体、介质材料衬底上的大面积直接生长，并能与基于硅工艺的半导体技术加工流水线相匹配，方便后续器件加工与应用，特别是还具有低能耗、可连续自动化作业的优点，工艺可控性、稳定性和重复性高，产品质量稳定优良。
技术研发人员：张凯;俞强
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
文档号码：201510696896
技术研发日：2015.10.23
技术公布日：2017.05.03