本发明涉及碘领域，具体是一种制取工业碘单晶体的方法及装置。
背景技术：
现有技术中，用于现代科学领域如半导体、碘硫化锑(SbSI)这类化合物晶体作为具有潜在应用前景的一类材料，其合成路线的探索及控制生长越来越受到人们的关注。到目前为止，研究者们已经利用化学气相沉积法(CVD)，超声化学法和高温水热方法制备出SbSI等晶体。如用CVD方法可通过单质反应源在温度超过600℃的条件下生长出碘硫化锑(SbSI)晶体。
据荷兰《声学》(Ultrasonics Sonochemistry，2008年15卷709页)介绍，利用超声化学方法在低于100℃的温和条件下可制备出SbSI的纳米尺寸晶体，但这样生长出来的纳米晶体表面通常会伴生着一层未晶化的非晶层，该非晶层会影响和限制晶体的性能。
发明专利内容
本发明专利提供一种制取工业碘单晶体的方法及装置，以解决上述背景技术中提出的不节能环保的问题。
实现本发明第一个目的的技术方案是：本发明碘硫化锑单晶体及其同类化合物单晶体的制备方法，其特征在于：采用锑源或铋、铜、银、铅或锡的可溶性金属盐，与硫源和碘源按1∶1∶1～5摩尔比作为反应原料，以浓度为0.5～2.4mol/L的盐酸或硝酸溶液将反应原料溶解后，在高压釜中于140-～300℃反应2～20h，经过滤，用水或用无水乙醇洗涤后，在0～50℃晾干、烘干或真空干燥后，即得到具有棒状外形的金属光泽的碘硫化锑晶体；
通过采用不同浓度的盐酸和/或硝酸来调节达到生产离散一维晶体结构目标化合物晶体的纯度、晶体尺寸、晶体质量和晶体形貌：用0.5～1.4mol/L的酸溶液可得到离散的直径为几十微米到1毫米、长度为几十微米到8毫米的一维棒状结构；用1.4～1.8mol/L的酸溶液则得到由直径为2微米的一维棒组装成的三维结构；用1.8～2.4mol/L的酸溶液得到由直径几十纳米、长几微米的纳米带组装成的块状结构；
具体实施方式
本发明一种工业碘单晶体的方法及装置，其特征在于：采用锑源或铋、铜、银、铅或锡的可溶性金属盐，与硫源和碘源按1∶1∶1～5摩尔比作为反应原料，以浓度为0.5～2.4mol/L的盐酸或硝酸溶液将反应原料溶解后，在高压釜中于140-～300℃反应2～20h，经过滤，用水或用无水乙醇洗涤后，在0～50℃晾干、烘干或真空干燥后，即得到具有棒状外形的金属光泽的碘硫化锑晶体；
通过采用不同浓度的盐酸和/或硝酸来调节达到生产离散一维晶体结构目标化合物晶体的纯度、晶体尺寸、晶体质量和晶体形貌：用0.5～1.4mol/L的酸溶液可得到离散的直径为几十微米到1毫米、长度为几十微米到8毫米的一维棒状结构；用1.4～1.8mol/L的酸溶液则得到由直径为2微米的一维棒组装成的三维结构；用1.8～2.4mol/L的酸溶液得到由直径几十纳米、长几微米的纳米带组装成的块状结构；
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。