一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺的制作方法

文档序号:11811537阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺,其特征在于具有如下步骤:

S1、原料配比:通过计算得到电阻率为0.01-0.003的原料中纯度为3N的多晶硅料与掺入到所述多晶硅料中的铝硼合金的配比;

S2、预加热:将原料装入坩埚,所述坩埚外包裹石墨器件后放入炉内隔热笼内,并关闭所述隔热笼,炉内抽真空,并升温至800℃保温0.5h,之后,在3-4h内将炉温升高至1000-1200℃,接着,向炉内通入氩气,使炉内压强保持在40-50Kpa,最后,使坩埚内温度在4-6h内升高至1540-1560℃;

S3、熔炼:坩埚内温度在1540-1560℃保温至原料完全熔化,之后,保温0.5-1h;

S4、长晶过程:所述隔热笼的侧壁与所述隔热笼的底部分开,同时,将坩埚内温度从1540-1560℃经过26-30h降至1400-1410℃,使长晶速度控制在0.07-0.2mm/min,得到硅晶锭;

S5、消除热应力:所述隔热笼重新关闭,硅晶锭在坩埚内温度为1350-1390℃的温度下退火保温5h;

S6、降温阶段:炉内通入大流量氩气,使炉温在降温速率为60-80℃/h的条件下降至300℃,之后从炉内取出。

2.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述步骤S4的长晶过程中,当坩埚内的熔融态原料的剩余高度为1-2cm时,停止通入氩气并抽真空至5Pa以下。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1