1.一种合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，其特征在于：该方法是采用化学气相沉积方法，以乙腈作为碳源和氮源，在沉积基体表面制备具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料。
2.根据权利要求1所述的合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，其特征在于：所述化学气相沉积的温度为750-1000℃。
3.根据权利要求1所述的合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，其特征在于：所述化学气相沉积过程中，沉积基体为惰性的金属氧化物或活性的FeMo/Al2O3催化剂。
4.根据权利要求3所述的合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，其特征在于：所述沉积基体为惰性的金属氧化物时，沉积得到单一石墨氮掺杂的层状卷曲石墨层，单一石墨氮掺杂的卷曲石墨层中的氮含量为0.5～10at.％，其中以石墨氮形式存在的氮所占比例≥90％。
5.根据权利要求3或4所述的合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，其特征在于：所述惰性的金属氧化物为SBA-15、氧化镁、氧化铝或二氧化钛。
6.根据权利要求3所述的合成具有单一石墨氮掺杂的纳米碳材料的方法，其特征在于：所述沉积基体为活性的FeMo/Al2O3催化剂时，沉积得到单一石墨氮掺杂的碳纳米管，单一石墨氮掺杂的碳纳米管中的氮含量为0.5～10at.％，其中以石墨氮形式存在的氮所占比例≥70。