本发明属于制备折射率可控的SiO2增透膜技术领域，具体涉及一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法。
背景技术：
单层的SiO2增透膜只能在某一特定波长实现较高的透过率，然而在实际应用中，如在太阳能光伏电池或高能激光系统等，往往需要较大范围的高透过。多层SiO2增透膜可以实现光的大范围透过，当中是由不同折射率SiO2增透膜组合而成的。所以，制备出不同折射率的SiO2增透膜是设计宽频SiO2增透膜的关键。一般通过引入模板剂来调节SiO2增透膜的孔隙率，最终制备出不同折射率的SiO2增透膜，但是该法较复杂，还要通过煅烧等方法除去模板剂。用丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯来制备折射率可控的SiO2增透膜，该法无需引入模板剂，方法简便，效果显著。
技术实现要素：
本发明的目的旨在提供一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法，为设计宽频增透膜提供基础，该法无需引入模板剂，方法简便，效果显著。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：
一种折射率可控的SiO2增透膜的制备方法的具体步骤如下：
（1）SiO2溶胶的制备：将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇和氨水按质量比11.0-15.6：1-8：130-200：3.6-6.6加入到密闭的玻璃容器中，在25-50℃磁力搅拌0.5-12 h，然后在20-40℃恒温陈化3-30天。
（2）采用浸渍-提拉法以一定的提拉速度在基片上镀膜，所得的膜层即为一定折射率的SiO2增透膜。
一种如所述的方法制得的折射率可控的SiO2增透膜，浸渍-提拉的速度为50-200 mm/min。
本发明的显著优点：现有技术一般是通过引入模板剂来调节SiO2增透膜的孔隙率，最终制备出不同折射率的SiO2增透膜，但是该法较复杂，还要通过煅烧等方法除去模板剂。本发明用丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯来制备折射率可控的SiO2增透膜，该法无需引入模板剂，方法简便，效果显著。
具体实施方式
本发明用下列实验例来进一步本发明，但本发明的保护范围并不限于下列实验例。
实施例1
（1）将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为14.2：1.88：130：3.6加入到密闭的玻璃容器中，在25℃磁力搅拌2 h，20℃恒温陈化5天。
（2）采用浸渍-提拉法以50 mm/min提拉速度在基片上镀膜。
实施例2
（1）将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为13：3.45：130：3.6加入到密闭的玻璃容器中，在35℃磁力搅拌12 h，30℃恒温陈化30天。
（2）采用浸渍-提拉法以100 mm/min提拉速度在基片上镀膜。
实施例3
（1）将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为11.12：5.92：130：3.6加入到密闭的玻璃容器中，在50℃磁力搅拌0.5 h，40℃恒温陈化3天。
（2）采用浸渍-提拉法以200 mm/min提拉速度在基片上镀膜。
表1 不同质量比的原料下SiO2增透膜的中心波长、最大透过率和折射率
本发明制得的SiO2增透膜折射率的调控范围为1.10-1.23。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。