一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法与流程

文档序号:11095559

本发明属于制备折射率可控的SiO2增透膜技术领域,具体涉及一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法。



背景技术:

单层的SiO2增透膜只能在某一特定波长实现较高的透过率,然而在实际应用中,如在太阳能光伏电池或高能激光系统等,往往需要较大范围的高透过。多层SiO2增透膜可以实现光的大范围透过,当中是由不同折射率SiO2增透膜组合而成的。所以,制备出不同折射率的SiO2增透膜是设计宽频SiO2增透膜的关键。一般通过引入模板剂来调节SiO2增透膜的孔隙率,最终制备出不同折射率的SiO2增透膜,但是该法较复杂,还要通过煅烧等方法除去模板剂。用丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯来制备折射率可控的SiO2增透膜,该法无需引入模板剂,方法简便,效果显著。



技术实现要素:

本发明的目的旨在提供一种用丙基三乙氧基硅烷制备折射率可控的SiO2增透膜的方法,为设计宽频增透膜提供基础,该法无需引入模板剂,方法简便,效果显著。

为了实现上述目的,本发明的技术方案是:

一种折射率可控的SiO2增透膜的制备方法的具体步骤如下:

(1)SiO2溶胶的制备:将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇和氨水按质量比11.0-15.6:1-8:130-200:3.6-6.6加入到密闭的玻璃容器中,在25-50℃磁力搅拌0.5-12 h,然后在20-40℃恒温陈化3-30天。

(2)采用浸渍-提拉法以一定的提拉速度在基片上镀膜,所得的膜层即为一定折射率的SiO2增透膜。

一种如所述的方法制得的折射率可控的SiO2增透膜,浸渍-提拉的速度为50-200 mm/min。

本发明的显著优点:现有技术一般是通过引入模板剂来调节SiO2增透膜的孔隙率,最终制备出不同折射率的SiO2增透膜,但是该法较复杂,还要通过煅烧等方法除去模板剂。本发明用丙基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯来制备折射率可控的SiO2增透膜,该法无需引入模板剂,方法简便,效果显著。

具体实施方式

本发明用下列实验例来进一步本发明,但本发明的保护范围并不限于下列实验例。

实施例1

(1)将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为14.2:1.88:130:3.6加入到密闭的玻璃容器中,在25℃磁力搅拌2 h,20℃恒温陈化5天。

(2)采用浸渍-提拉法以50 mm/min提拉速度在基片上镀膜。

实施例2

(1)将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为13:3.45:130:3.6加入到密闭的玻璃容器中,在35℃磁力搅拌12 h,30℃恒温陈化30天。

(2)采用浸渍-提拉法以100 mm/min提拉速度在基片上镀膜。

实施例3

(1)将正硅酸乙酯、丙基三乙氧基硅烷、无水乙醇、氨水按质量比为11.12:5.92:130:3.6加入到密闭的玻璃容器中,在50℃磁力搅拌0.5 h,40℃恒温陈化3天。

(2)采用浸渍-提拉法以200 mm/min提拉速度在基片上镀膜。

表1 不同质量比的原料下SiO2增透膜的中心波长、最大透过率和折射率

本发明制得的SiO2增透膜折射率的调控范围为1.10-1.23。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。

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