玻璃基板和玻璃板捆包体的制作方法

本发明涉及玻璃基板和玻璃板捆包体。

背景技术：

液晶显示器(lcd)、等离子体显示器面板(pdp)等平板显示器(fpd)中使用的平坦度高的玻璃基板是将层叠多张玻璃基板的玻璃基板层叠体以在捆包容器中倾斜立起的方式收纳或者平放地收纳而进行保管、输送。这样的玻璃基板有时产生在保管、输送中在表面产生瑕疵、表面被环境中的浮游物质污染等缺陷。特别是由于fpd用的玻璃基板在表面形成有电布线、电极等电路、元件，因此，即使在表面有微少的瑕疵、污染，其也会成为电路的断路、短路、图案化不良等的原因，因此，要求表面的高清洁性。

以往，为了防止玻璃基板的保管、输送中的瑕疵以及环境中的浮游物质所致的污染，采用在玻璃基板之间夹入被称为玻璃衬纸(以下，也称为衬纸)的纸，将邻接的玻璃基板的表面间分离的方法。

然而，使玻璃衬纸介于玻璃基板间时，将衬纸按压于玻璃基板，由此，存在于衬纸表面的灰尘、纸屑、树脂这样的微细的异物转印于玻璃基板。而且，如此转印于玻璃基板表面的微细的异物即使通过使用了刷子等的清洗也难以完全除去，特别是使用在表面存在大量异物的玻璃衬纸时，异物有时成为上述的断路、短路、图案化不良的原因。

作为解决上述问题的方法，例如在专利文献1中公开了一种使用高级饱和脂肪酸的含有率为0.08质量％以下的玻璃衬纸来捆包玻璃板的玻璃板捆包体。

另外，在专利文献2中公开了一种具有硅的有机化合物的含量为3ppm以下的玻璃衬纸。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/118502号

专利文献2：国际公开第2014/098162号

技术实现要素：

伴随如今的lcd等的高精细化，有时即使以往没有问题的程度的异物附着也会成为问题。

专利文献1、2通过减少玻璃衬纸中所含的异物的含量，从而抑制玻璃板的表面的污染的产生、玻璃板的表面所形成的布线的断路等不良情况的产生。然而，仅减少玻璃衬纸中的异物的含量时，有时无法以如今要求的水平充分地抑制异物向玻璃板的转印。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种在使玻璃衬纸介于层叠的多张玻璃基板之间而进行收纳时，从衬纸向玻璃基板表面的异物的转印和附着得到抑制的玻璃基板。

本发明的玻璃基板是由硅酸盐玻璃构成的玻璃基板，其特征在于，从该玻璃基板的表面的zeta电位减去通过对该玻璃基板进行蚀刻处理而得到的外部标准的玻璃基板的表面的zeta电位而得到的值(δzeta电位)为－15mv以上。

另外，本发明的玻璃板捆包体的特征在于，具备使玻璃衬纸介于多张本发明的玻璃基板之间进行层叠而成的玻璃板层叠体和载置所述玻璃板层叠体的捆包用托板。

本发明的玻璃基板由于将从表面的zeta电位减去外部标准的玻璃基板的表面zeta电位而得到的值即δzeta电位调整为规定的值以上，所以抑制异物向表面的附着。因此，利用本发明的玻璃基板，使玻璃衬纸介于多张玻璃基板之间进行层叠而收纳时，能够得到从衬纸向玻璃基板表面的异物的转印少的玻璃基板和玻璃板捆包体。

附图说明

图1是表示用于得到作为本发明的第1实施方式的玻璃基板的清洗方法的一个例子的图。

图2是简要地表示作为本发明的第2实施方式的玻璃板捆包体的一个例子的侧视图。

图3是表示实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板的δzeta电位与转印于玻璃基板表面的异物的合计数的关系的图表。

图4是表示实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板的δal/si值与转印于玻璃基板表面的异物的合计数的关系的图表。

符号说明

1…输送辊、2…清洗室、3…玻璃基板、4…清洗喷嘴、5…清洗液、6…旋转刷、10…玻璃板捆包体、11…玻璃基板、12…衬纸、13…玻璃板层叠体、14…捆包用托板。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行说明。应予说明，本发明并不限定于以下的实施方式，只要符合本发明的主旨，则其它实施方式也可以属于本发明的范畴。

[玻璃基板]

本发明的第1实施方式是由硅酸盐玻璃构成的玻璃基板。而且，其特征在于，从该玻璃基板的表面的zeta电位减去通过对该玻璃基板进行蚀刻处理而得到的外部标准的玻璃基板的表面的zeta电位而得到的值(δzeta电位)为－15mv以上。

第1实施方式的玻璃基板例如为lcd、pdp等fpd用的玻璃基板，但并不限定于此，也可以为建筑用玻璃基板、车辆用玻璃基板等。

构成该玻璃基板的玻璃只要是硅酸盐玻璃，其组成就没有特别限定，例如在fpd用的玻璃基板的情况下，优选具有含有sio2、al2o3、b2o3和碱土金属的氧化物的组成的铝硅酸玻璃。另外，从所形成的元件的密合性和抑制不良情况的观点考虑，铝硅酸玻璃中，更优选实质上不含碱金属成分的所谓无碱玻璃。应予说明，实质上不含碱金属成分是指除完全不含碱金属成分以外，还允许含有制造上的不可避免的成分。具体而言，玻璃组成中的碱金属酸化物的含量优选为0.1质量％以下。

为了得到玻璃基板，首先，将构成玻璃的各成分的原料以成为期望的组成的方式进行调配，加热熔融。然后，通过鼓泡、搅拌、添加澄清剂等将玻璃均质化，通过公知的浮法、加压法、熔融法、下拉法等成型为规定厚度的板状。接着，在缓冷后，根据需要进行磨削、研磨等加工，制成规定尺寸·形状的玻璃基板。然后，对玻璃基板的表面进行研磨后，进行清洗。应予说明，如后所述，由于通过清洗工序控制δzeta电位，因此，从能够利用在研磨后进行的清洗的方面考虑，玻璃基板优选为研磨的必要性高的浮法玻璃基板。

研磨工序中，例如使用研磨垫并利用含有磨粒的研磨剂(浆料)对玻璃基板的表面进行研磨。研磨剂中含有的磨粒的种类没有特别限定，可以使用二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化钛、氧化锆和氧化锰等的粒子。从研磨效率的方面考虑，优选氧化铈粒子。磨粒的平均粒径优选例如0.8～1.0μm的范围。这样在对玻璃基板的表面进行研磨后进行清洗，但通过选择清洗方法，能够控制玻璃基板的表面的zeta电位。对研磨后的清洗进行后述。

＜δzeta电位＞

本发明的第1实施方式的玻璃基板具有－15mv以上的δzeta电位。在此，δzeta电位是指从该玻璃基板的表面的zeta电位(以下，称为表面zeta电位)减去外部标准的玻璃基板(以下，也称为外部标准试样)的表面的zeta电位(以下，称为基准zeta电位)而得到的值。即，δzeta电位由以下的式子求出。

δzeta电位＝表面zeta电位－基准zeta电位

表面zeta电位和基准zeta电位可以通过电泳光散射法(也称为激光多普勒法)进行测定。测定例如使用大塚电子株式会社制的elsz－2000(zeta电位测定范围；－200～200mv)进行。利用上述装置测定玻璃基板这样的绝缘性的板状试样时，使用平板用池单元(cellunit)和移动速度已知的监控粒子(经表面处理的高分子胶乳)。平板池单元是在盒状石英池的上表面密合板状试样而成为能够一体化的结构。应予说明，测定溶剂使用浓度10mm(0.01摩尔/升)的nacl溶液，其ph为5.5～6.0。然后，由通过监控粒子与板状试样表面的相互作用而产生的粒子的移动速度的变化求出板状试样表面的zeta电位。

作为外部标准试样，使用对与测定表面zeta电位的玻璃基板同一批次制造的玻璃基板实施利用氢氟酸和盐酸的混酸的蚀刻处理，将表面蚀刻至规定的深度、例如0.4μm的深度的试样。具体而言，将玻璃板与混酸的水溶液(0.5体积％hf－0.7体积％hcl)一起放入容器，在100khz的超声波清洗机中经过5分钟在常温下进行蚀刻处理，将得到的试样作为外部标准试样。而且，对这样的外部标准试样的基准zeta电位的测定与对实施方式的玻璃基板的表面zeta电位的测定在同一天连续地进行。

外部标准试样例如将1张玻璃基板分割成2块，通过对一块实施如上所述的利用氢氟酸和盐酸的混酸的蚀刻处理来制作。将该外部标准试样的zeta电位作为基准zeta电位，将另一块玻璃基板的zeta电位作为表面zeta电位，可以求出δzeta电位。

本发明人等认为在玻璃基板的表面zeta电位与在玻璃基板的表面按压玻璃衬纸时的来自衬纸的转印异物量之间存在某种因果关系，反复进行了潜心研究。其结果发现δzeta电位与转印异物量存在相关关系。δzeta电位有可能间接地显示玻璃基板表面的si－oh基量，可以预测越是δzeta电位高的玻璃基板，表面的si－oh基量越少。而且，本发明人等认为玻璃基板表面的si－oh基成为来自衬纸的异物的吸附点，想到能够通过控制δzeta电位来抑制转印异物量。

本发明的第1实施方式的玻璃基板中，由于δzeta电位成为－15mv以上，因此，认为玻璃基板表面的si－oh基量减少，在对玻璃基板按压衬纸时的从衬纸向玻璃基板的异物的转印和附着少。δzeta电位优选－13mv以上。另外，从制造容易的方面考虑，玻璃基板的δzeta电位优选为0mv以下。

玻璃基板的表面zeta电位可以通过在研磨后进行的清洗方法来控制。而且，为了得到上述的δzeta电位为－15mv以上的玻璃基板，优选在研磨后的清洗工序中进行使用碱性的水系清洗液的清洗。水系清洗液是含有水和清洗剂的液状组合物。碱性的水系清洗液为含有碱的水系清洗液。ph优选10以上且13以下，更优选10以上且12.5以下。

碱性的水系清洗液中清洗剂为碱性时，清洗剂也可以兼作碱。使用不是碱性的清洗剂时，碱性的水系清洗液除该清洗剂以外还含有碱。此时，碱可以为清洗剂，也可以不为清洗剂。作为碱性的水系清洗液中所含有的碱，可以举出：碱金属氢氧化物、碱金属碳酸盐等碱金属化合物、胺类、氢氧化季铵等，优选氢氧化钾。

碱性的水系清洗液可以含有螯合剂、表面活性剂作为清洗剂。作为螯合剂，可以举出：乙二胺四乙酸系螯合剂、葡萄糖酸系螯合剂、次氮基三乙酸系螯合剂、亚氨基琥珀酸系螯合剂等。作为表面活性剂，优选非离子性表面活性剂。

从清洗性的观点考虑，优选在清洗液中含有螯合剂，但螯合剂有可能促进al成分从玻璃表面的脱出。al的脱出使玻璃基板表面的si－oh基增加。即，认为若脱出1个3价的al，则实质上生成3个si－oh基。玻璃基板表面的si－oh基成为来自衬纸的异物附着的吸附点，因此，从抑制来自衬纸的异物的转印(附着)的观点考虑，优选不含螯合剂。

清洗工序可以仅具有使用上述的碱性的水系清洗液进行清洗的工序(以下，称为碱清洗工序)，但优选在碱清洗工序之前设置使用酸性的水系清洗液进行清洗的工序(以下，称为酸清洗工序)、使用ph比上述碱性的水系清洗液大的强碱性的水系清洗液进行清洗的工序(以下，称为强碱清洗工序)和使用氢氧化钾水溶液进行清洗的工序(以下，称为koh清洗工序)中的任一工序。即，从控制δzeta电位的方面考虑，优选清洗工序具有使用至少含有碱性水系清洗液的不同种类的水系清洗液、氢氧化钾水溶液的多个清洗工序且使最后的清洗工序为碱清洗工序。

应予说明，本说明书中，koh清洗工序中使用的koh水溶液不含螯合剂、表面活性剂等清洗剂。

酸清洗工序中所使用的酸性的水系清洗液含有有机酸。为了确保玻璃基板表面的平坦性，酸性的水系清洗液的ph优选2.0～3.5的范围。作为酸性的水系清洗液中所含有的有机酸，例如可以举出：抗坏血酸、柠檬酸这样的有机羧酸、有机膦酸等，但并不限定于这些。在此，有机膦酸是指具有式：－p(＝o)(oh)2所示的膦酸基键合于碳原子的结构的有机化合物。每1分子有机膦酸的膦酸基数优选2以上，更优选2～8，特别优选2～4。

可以与上述有机酸一同加入无机酸(例如，硫酸、磷酸、硝酸、氢氟酸、盐酸等)，也可以单独使用无机酸。另外，使用上述无机酸时，为了抑制ph的变动，也可以与无机酸一同加入该无机酸的盐。进而，酸性的水系清洗液可以含有上述的螯合剂、表面活性剂。

强碱清洗工序中所使用的强碱性的水系清洗液含有强碱。作为强碱性的水系清洗液中所含有的强碱，可以举出naoh、koh等。为了确保玻璃基板表面的平坦性，强碱性的水系清洗液的ph在满足ph比一同使用的碱性的水系清洗液大这样的条件的基础上优选12.0～13.5的范围。另外，强碱性的水系清洗液可以与上述碱性的水系清洗液同样地含有螯合剂、表面活性剂。

koh清洗工序中所使用的koh水溶液的ph优选12.0～13.5的范围。

利用上述水系清洗液、koh水溶液清洗玻璃基板优选通过枚叶方式进行。只要是使水系清洗液和koh水溶液与玻璃基板的表面直接接触而进行清洗的方法，则清洗方法就没有特别限定。可以使用擦洗清洗、喷淋清洗(喷射清洗)、浸渍(dip)清洗等。水系清洗液和koh水溶液的温度没有特别限定，可以在室温(15℃)～95℃使用。大于95℃时，有可能水会沸腾，在清洗操作方面不优选。清洗后，可以进行干燥。作为干燥方法，可以举出喷吹暖风的方法、喷吹压缩的空气的方法等。

碱清洗工序例如可以采用以下方法，即如图1所示一边对利用输送辊1等机构在清洗装置2内沿水平方向连续地输送的玻璃基板3的上下两面喷吹从清洗喷嘴4喷射的清洗液5一边用配置在两面侧的旋转刷6进行擦洗(擦拭)。

在此，作为清洗用的旋转刷6，使用多个pva(聚乙烯醇)制等且外径70～100mm的圆柱形状的材料。然后，将这些刷子以旋转轴与玻璃基板3的被清洗面垂直的方式且以前端部与玻璃基板3的被清洗面接触或小于2mm间隔的方式进行配置。旋转刷6的旋转速度优选为100～500rpm。

作为清洗液5，使用上述的碱性的水系清洗液，清洗液5的流量(喷射量)优选为15～40升/分钟。另外，擦洗时间优选为1.5秒以上。

另外，由利用清洗喷嘴4喷射清洗液5的喷射部和旋转刷6构成的清洗部可以仅为1个，但也可以设置多个。设置多个清洗部时，由各清洗部喷射的清洗液(碱性的水系清洗液)5从作业性的观点考虑，优选为相同组成且相同ph的清洗液，但若ph为上述的范围，则也可以使用不同ph的清洗液进行清洗。

可以在这样的碱清洗工序之前设置酸清洗工序、强碱清洗工序和koh清洗工序中的任一工序(以下，称为前段清洗工序)。此时，在通过图1所示的清洗装置2进行碱清洗之前，将研磨后的玻璃基板利用酸性的水系清洗液、强碱性的水系清洗液和koh水溶液中的任1种进行清洗(前段清洗工序)。前段清洗工序中的清洗方法没有特别限定。例如，可以采用在酸性或强碱性的水系清洗液或koh水溶液中浸渍规定的时间的方法。从作业性的观点考虑，优选在图1所示的清洗装置2之前设置与该清洗装置同样地构成的前段清洗装置来连续地进行清洗。即，优选在前段清洗装置中从清洗喷嘴喷射酸性的水系清洗液、强碱性的水系清洗液和koh水溶液中的任1种进行清洗后，连续地通过用于碱清洗的清洗装置2进行清洗。

通过如此进行清洗，能够得到具有－15mv以上的δzeta电位的实施方式的玻璃基板。

＜δal/si值＞

如上所述，本发明的玻璃基板优选为由含有铝的铝硅酸玻璃构成的玻璃基板。而且，本发明的玻璃基板为由铝硅酸玻璃构成的玻璃基板时，δal/si值优选为0.20以下。在此，δal/si值是从通过x射线光电子光谱法(以下，称为xps)测得的玻璃基板内部的al/si值减去同样地通过xps测得的玻璃基板表面的al/si值而得到的值(内部al/si值－表面al/si值)。δal/si值更优选0.15以下，进一步优选0.12以下。应予说明，al/si值中的al和si分别表示al原子和si原子的浓度(原子浓度)。

在此，测定玻璃基板内部的al浓度和si浓度的点距表面的深度优选为如下所示确定的深度。

即，一边使用c60离子溅射在玻璃基板形成凹孔(陷口)一边在各种深度的凹孔的底部测定al浓度和si浓度，求出各原子浓度的深度方向的分布。然后，求出各原子浓度的深度方向的分布达到一定的深度，将在该深度测得的al浓度与si浓度之比的值设为基板内部的al/si值，求出从该值减去玻璃基板表面的al/si值而得到的值即δal/si值。

在具有－15mv以上的δzeta电位的本发明的玻璃基板中，通过使基板表面的al/si值相对于基板内部的al/si值的降低程度即δal/si值为0.20以下，能够得到表面的si－oh基量少、来自衬纸的异物难以转印(附着)的玻璃基板。

玻璃基板的研磨后的清洗中，玻璃表面(表层)的al成分的脱出量越多，玻璃基板的表面的si－oh基量变得越多。特别是由于al的价数为3价，因此，与作为一般玻璃成分的1价的碱金属元素、2价的碱土金属元素相比，脱出1个原子对si－oh基生成的贡献度大。因此，认为显示玻璃基板表面的al/si值比没有上述al成分脱出的基板内部的al/si值低多少的δal/si值间接地显示玻璃基板表面的si－oh基量。即，δal/si值越低，意味着玻璃基板表面的al成分的缺失越少，表示玻璃基板表面的si－oh基越少。因此，认为该si－oh基量少的玻璃基板能够抑制来自衬纸的异物的转印(附着)。

具体而言，在δzeta电位为－15mv以上的玻璃基板中，从基板内部的al/si值减去表面的al/si值而得到的值即δal/si值为0.20以下时，玻璃基板表面的si－oh基充分变少，因此，能够得到来自衬纸的异物的转印量少的玻璃基板。

＜来自衬纸的异物转印量＞

从衬纸转印于玻璃基板的异物的量通过进行以下所示的恒温恒湿试验进行测定并评价。恒温恒湿试验模拟进行保管或输送的状况，在多张玻璃基板之间介装衬纸进行层叠，调查从衬纸转印并附着于玻璃基板的异物(也称为颗粒)的量。

恒温恒湿试验中，将在多张玻璃基板之间夹持衬纸进行层叠而成的层叠体在恒温恒湿槽内施加规定的负荷并保持规定的时间后，利用纯水等对玻璃基板进行擦洗清洗。然后，对附着并残留于清洗后的玻璃基板的表面的异物进行检测。

附着于玻璃基板的表面的异物(颗粒)的检测例如使用fpd用异物检查装置hs730(torayengineering株式会社制)。该异物检查装置对玻璃基板的表面照射激光(波长795nm附近的带状激光)并由传感器检测来自表面的散射光，由此对附着于玻璃基板的表面的异物进行检测。然后，在运算部对从传感器输出的图像信号进行图像处理，收集识别为异物的图像，对附着于玻璃基板的异物的量(每单位面积的个数和大小)进行运算。

接着，对作为本发明的第2实施方式的玻璃板捆包体进行说明。

[玻璃板捆包体]

作为本发明的第2实施方式的玻璃板捆包体是具备使衬纸介于多张上述的第1实施方式的玻璃基板之间进行层叠的玻璃板层叠体和载置该玻璃板层叠体的捆包用托板的捆包体。玻璃基板以玻璃板捆包体的形态进行保管或输送。

图2简要示出玻璃板捆包体的一个例子。应予说明，图2是从玻璃基板的侧面方向看玻璃板捆包体的图(侧视图)。

图2所示的玻璃板捆包体10是将使衬纸12介于多张玻璃基板11之间进行层叠而成的玻璃板层叠体13收纳于捆包用托板14而成的。

衬纸12是为了防止因玻璃基板11彼此的接触而导致玻璃基板11产生伤痕而使用的，具有比玻璃基板11大的尺寸，以覆盖玻璃基板11的整个面的方式配置在各玻璃基板11之间。衬纸12的种类、物性等没有特别限定，可以使用公知的衬纸。

捆包用托板14是公知的玻璃板捆包用的托板，具有基座15、竖直设置于基座15的上表面的内部的倾斜台16和载置于基座15的上表面的前部的载置台17。玻璃板层叠体13按照玻璃基板11载置在托板14的载置台17上且以立放在倾斜台16的倾斜面的状态进行层叠的方式收纳。

应予说明，也可以使衬纸12介于玻璃板层叠体13与倾斜台16之间，另外，玻璃板层叠体13的最前面的玻璃基板11的表面也可以用衬纸12覆盖。

对于如此构成的玻璃板捆包体10，可以根据需要将抵板抵接于最前面的玻璃基板11或衬纸12，并且架设带状体而固定于倾斜台16，另外，也可以以覆盖玻璃板层叠体13整体的方式盖上罩。

应予说明，实施方式的玻璃板捆包体10并不限定于如图2所示的将玻璃基板11以立放的状态层叠的结构的玻璃板捆包体，捆包用托板可以为以堆叠(平積み)状态载置玻璃板层叠体的构成。在玻璃基板以成为水平的方式收纳于捆包容器的结构时，玻璃板层叠体的下层的玻璃基板与图2这样的以立放的状态载置玻璃基板的构成相比，以强压力将衬纸按压于玻璃基板。因此，通过采用本发明的玻璃基板，更显著地显现来自衬纸的异物的转印量少这样的效果，故优选。

实施例

以下，对本发明的实施例具体地进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。以下的例子中，只要没有特别说明，“％”是指质量％。

(实施例1～4、比较例)

作为玻璃基板，准备由实质上不含碱金属成分的铝硅酸玻璃构成的浮法玻璃板。然后，将该玻璃基板的在浮浴中成型时与熔融锡接触的表面使用研磨垫并使用含有粒径0.8～1.0μm的氧化铈粒子的浆料状研磨剂(昭和电工株式会社制，商品名：shoroxa10)进行研磨。研磨后，使用含有碳酸钙粒子的浆料进行浆料清洗。

接着，将研磨后经浆料清洗的玻璃基板如下所示进行清洗。

实施例1中，使用图1所示的清洗装置进行碱清洗。即，一边将用水稀释碱性的清洗剂原液(parkercorporation公司制，商品名：pk－lcg213)而成的碱性的水系清洗液(原液浓度2％，ph12.31)对玻璃基板喷吹一边用pva制的旋转刷进行擦洗清洗。应予说明，碱性的水系清洗液的温度为25℃，对玻璃基板喷吹碱性的水系清洗液的时间为12～15秒。另外，在喷吹碱性的水系清洗液期间，用旋转刷擦洗的时间为3～5秒。然后，用纯水进行清洗，使其干燥。

实施例2中，首先将玻璃基板在用水稀释酸性的清洗剂原液(parkercorporation公司制，商品名：pk－lcg492a)而成的酸性的水系清洗液(原液浓度0.5％，ph3.16)中浸渍20秒，进行酸清洗。接着，使用图1所示的清洗装置对经酸清洗的玻璃基板与实施例1同样地进行碱清洗。

实施例3中，首先将玻璃基板在用水稀释强碱性的清洗剂原液(parkercorporation公司制，商品名：pk－lcg22)而成的强碱性的水系清洗液(原液浓度15％，ph13.25)中浸渍20秒，进行强碱清洗。接着，使用图1所示的清洗装置对经强碱清洗的玻璃基板与实施例1同样地进行碱清洗。

实施例4中，将玻璃基板在调整为浓度3％的koh水溶液(ph13.00)中浸渍20秒进行清洗后，使用图1所示的清洗装置，与实施例1同样地进行碱清洗。

比较例中，使用图1所示的清洗装置进行酸清洗。即，一边将用水稀释酸性的清洗剂原液(parkercorporation公司制，商品名：pk－lcg492a)而成的酸性的水系清洗液(原液浓度0.5％，ph3.16)对玻璃基板喷吹一边用pva制的旋转刷进行擦洗清洗。应予说明，酸性的水系清洗液的温度为25℃，对玻璃基板喷吹酸性的水系清洗液的时间为12～15秒，在喷吹酸性的水系清洗液期间，用旋转刷擦洗的时间为3～5秒。

接着，通过以下所示的方法测定实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板的表面的zeta电位(表面zeta电位)和作为外部标准试样的进行了混酸处理的玻璃基板的表面的zeta电位(基准zeta电位)，求出δzeta电位(表面zeta电位－基准zeta电位)。另外，通过以下所示的方法对实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板进行来自衬纸的异物转印试验，测定转印于玻璃基板表面的异物(颗粒)数。进而，通过以下所示的方法测定玻璃基板的表面al/si值和内部al/si值，求出δal/si值(均为原子浓度比)。

＜表面zeta电位的测定＞

表面zeta电位的测定使用elsz－2000(大塚电子株式会社制，测定范围；－200～200mv)，使用平板池实施。应予说明，溶剂为浓度10mm(0.01mol/l)的nacl溶液。另外，考虑到从平板池的取出容易性，玻璃基板的尺寸为34mm×14mm。

＜基准zeta电位的测定＞

制作基准zeta电位测定用的玻璃基板。首先，将与测定表面zeta电位的玻璃基板同一批次的玻璃基板切割成几厘米见方(例如，5cm×5cm)，测定其质量。然后，将质量测定后的玻璃基板与混酸的水溶液(0.5体积％hf－0.7体积％hcl)一同放入开闭自如的带卡扣的聚乙烯袋，在100khz的超声波清洗机中经过5分钟在常温下对玻璃基板进行蚀刻。接着，对蚀刻后的玻璃基板的质量进行测定，求出因蚀刻而减少的玻璃基板的质量。然后，由玻璃基板的质量减少量确认了玻璃基板的蚀刻量在单面约为0.4μm(两面约为0.8μm)。

接着，将这样蚀刻的玻璃基板切割成elsz－2000的zeta电位测定的指定尺寸(34mm×14mm)，将其作为外部标准试样。然后，对该外部标准试样与上述表面zeta电位的测定同样地测定zeta电位，作为基准zeta电位。应予说明，对外部标准试样的基准zeta电位的测定与表面zeta电位的测定在同一天连续地进行。

＜来自衬纸的异物转印试验和转印异物数的测定＞

准备12张将实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板切割成规定的尺寸(370mm×470mm)的玻璃基板。然后，在这些玻璃基板之间夹持fpd用衬纸(特种东海制纸株式会社制，商品名：kirari)，在恒温恒湿槽(温度40℃、湿度60％)内在20.6g/cm²的加重下保持3小时。接着，使用pva制的旋转刷对玻璃基板进行纯水擦洗清洗后，测定玻璃基板表面的异物(颗粒)数。异物数的测定使用fpd用异物检查装置(torayengineering株式会社制，商品名：hs830e)进行，算出附着于玻璃基板的s、m、l各自的尺寸的异物数(每单位面积的个数)和合计数。

应予说明，用上述异物检查装置检测出的异物的尺寸分为s、m、l这3个分类，s尺寸对应于1.0μm以上且小于3.0μm，m尺寸对应于3.0μm以上且小于5.0μm，l尺寸对应于5.0μm以上。另外，根据检测灵敏度，能够进行normal模式和hi模式这2个类型的测定，但以更高灵敏度的hi模式进行异物数的测定。

＜表面al/si值的测定＞

通过xps对实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板的表面的al浓度和si浓度进行测定，求出al/si值。xps测定使用日本电子公司制的光电子光谱装置jps－9010mc。测定条件如下所述。

x射线源：mg－kα、加速电压12kv－放射电流25ma

中和枪(flg)：加速电压4.0v－放射电流8.0ma

检测角(试样表面与检测器所成的角度)：15°

检测区域：6mmφ

试样尺寸：10mm×10mm

解析软件：specsurf

峰背景除去法：shirley法

＜内部al/si值的测定＞

通过使用c60离子溅射的xps对表面al/si值的测定中使用的实施例1的玻璃基板测定al浓度和si浓度的深度方向分布。xps测定装置使用ulvac-phi公司制的phi5500，解析软件使用multipak。另外，峰背景除去应用shirley法。对于测定条件，使通能为117.4ev，使能阶为0.5ev/step，使监控峰为si(2p)和al(2p)，使检测角为75°。然后，使溅射间隔为5分钟，每进行5分钟溅射对所形成的陷口底部的al浓度和si浓度进行测定。实施这样的测定直到al浓度和si浓度在深度方向达到一定。

根据这样得到的实施例1的玻璃基板中的al浓度和si浓度的深度方向分布的图表，判断在溅射时间为40分钟时，al浓度和si浓度达到一定。

应予说明，对si晶片上的热氧化膜(sio2膜)的c60离子溅射的溅射速度进行测定，结果为1.4nm/min，因此，推测对于玻璃基板也为类似的溅射速度。因此，认为在相当于溅射溅射40分钟的深度即56nm以上时，玻璃基板内部的al浓度和si浓度达到一定，可知内部al/si值为0.40。

另外，由于实施例1～4和比较例为同一组成的玻璃基板，因此，实施例2～4和比较例的内部al/si值也看作与实施例1相同。

对于实施例1～4和比较例中得到的玻璃基板，将通过上述方法测得的表面zeta电位、基准zeta电位、δzeta电位、从衬纸转印的异物(颗粒)数、表面al/si值、内部al/si值和δal/si值示于表1。

[表1]

接着，基于表1的测定结果分别调查玻璃基板的δzeta电位与从衬纸转印的异物数的合计的关系以及玻璃基板的δal/si值与从衬纸转印的异物数的合计的关系。将玻璃基板的δzeta电位与来自衬纸的转印异物数的关系示于图3，将δal/si值与来自衬纸的转印异物数的关系示于图4。

根据图3，可知玻璃基板的δzeta电位与玻璃基板表面的转印异物数存在负的相关关系，玻璃基板的δzeta电位的值变得越大，在玻璃基板表面从衬纸转印的异物数变得越少。而且，可知玻璃基板的δzeta电位为－15mv以上时，能够得到玻璃基板表面的转印异物数充分少的玻璃基板。

另外，根据图4，可知玻璃基板的δal/si值与玻璃基板表面的转印异物数存在正的相关关系，玻璃基板的δal/si值变得越小，玻璃基板表面的转印异物数变得越少。而且，可知玻璃基板的δal/si值为0.2以下时，能够得到转印异物数充分少的玻璃基板。

产业上的可利用性

利用本发明的玻璃基板，使衬纸介于多张玻璃基板之间进行层叠而收纳时，从衬纸向玻璃基板表面的异物的转印少，能够抑制因异物污染所致的断路、短路、图案化不良等缺陷。因此，本发明的玻璃基板能够有效地应用于lcd这样的fpd用所使用的玻璃基板。