晶体生长远程控制系统的制作方法

本发明涉及晶体生长领域，尤其涉及一种晶体生长远程控制系统。

背景技术：

随着晶体生长技术的不断发展，对晶体生长技术的可操作性需求不断提高。目前晶体生长方法有很多，但都没有完全实现自动化生长，在生长过程中还需要工程师到现场对生长系统的各个环节进行监控和操作。这种方式耗时耗力，尤其在多台晶体生长设备同时运行时，不利于大规模的工业生产。同时，由于需要到现场操作，而到现场需要时间且只能定期或者不定期前往，因此监控和操作的及时性较差，可能会影响晶体生长质量。

技术实现要素：

针对现有技术存在的上述不足，本发明的目的是提供一种晶体生长远程控制系统，本发明不用到现场即可监控和控制晶体生长过程。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

晶体生长远程控制系统，其特征在于：包括晶体生长控制器和远程控制端，远程控制端通过通讯模块与晶体生长控制器连接实现通讯功能；晶体生长控制器同时与晶体生长涉及到的加热模块、气氛控制模块、冷却水控制模块、PID控制模块、称重模块、籽晶杆运动控制模块和图像传输模块双向连接。

加热模块，用于提供晶体生长系统所需加热功率；气氛控制模块，用于提供晶体生长所需环境；冷却水控制模块，用于提供进出线圈和炉膛需要温度、压力和流量的冷却水；PID控制模块，用于对晶体生长的比例单元、积分单元和微分单元参数的控制；称重模块，用于对晶体重量进行测量；籽晶杆运动模块，用于对籽晶杆进行提拉和旋转操作；图像传输模块，用于传输晶体生长过程中的图像。

所述远程控制端为手机、ipad或电脑。

所述通讯模块为以太网通讯模块、电力线通讯模块、GSM通讯模块、GPRS通讯模块、互联网通讯模块、wifi通讯模块、蓝牙通讯模块、红外通讯模块或者射频通讯模块。

所述远程控制端通过通讯模块同时连接多个晶体生长控制器。

相比现有技术，本发明具有如下优点：

本发明可以通过移动终端（如手机）控制晶体生长控制器，对晶体生长系统的各个环节进行管理、协调和监控，确保安全性和可靠性，既节省时间，大大降低了操作人员的劳动强度，也能够确保控制的及时性，操作人员可以随时随地进行需要操作，也能够随时随地监控晶体生长情况。

附图说明

图1为晶体生长远程控制系统的示意图。

图2为晶体生长控制器的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明。

如图1和图2所示，本发明晶体生长远程控制系统，包括通过通讯模块（优选无线通讯方式）连接的晶体生长控制器和远程控制端，晶体生长控制器连接有加热模块，用于对晶体生长系统加热功率的控制；气氛控制模块，用于晶体生长所需环境的气压控制；冷却水控制模块，用于对进出线圈和炉膛的水温、水压和水流量控制；PID控制模块，由于PID控制器由比例单元(P)、积分单元(I)和微分单元(D)组成，故PID控制模块用于对晶体生长的P、I、D参数的控制；称重模块，用于对晶体生长过程中的重量进行测量；籽晶杆运动控制模块，用于对籽晶杆进行提拉和旋转速率控制；图像传输模块，用于传输晶体生长过程中的图像。

所述远程控制端为手机、ipad或电脑。

所述通讯模块为以太网通讯模块、电力线通讯模块、GSM通讯模块、GPRS通讯模块、互联网通讯模块、wifi通讯模块、蓝牙通讯模块、红外通讯模块或者射频通讯模块。

本发明远程控制端通过通讯模块同时连接多个晶体生长控制器，以实现对多个晶体生长系统的监控和操作。

本晶体生长远程控制系统的控制过程如下：

1、操作人员通过远程控制端向晶体生长控制器发送控制命令和反馈命令，晶体生长控制器通过通讯模块接收控制命令和反馈命令；

2、晶体生长控制器根据接收的控制命令，控制加热模块、气氛控制模块、冷却水控制模块、PID控制模块、称重模块、籽晶杆运动控制模块、图像传输模块等模块执行相应的操作命令；

3、晶体生长控制器根据接收到的反馈命令，晶体生长控制器反馈对应的功率信息、炉内气压信息、进出口水温、水压、水流量信息、PID参数信息、晶体重量信息、籽晶杆提拉、旋转速率信息和晶体生长过程中的图像信息内容，并通过通讯模块将反馈信息发送到远程控制端；

4、远程控制端接收从通讯模块发送来的反馈信息，显示反馈信息，通过控制端可以远程对晶体生长系统进行加热功率控制、炉内气压控制、进出口水温、水压、水流量控制、PID参数控制、籽晶杆提拉、旋转速率控制等操作，远程监测加热功率、炉内气压、进出口水温、水压、水流量、PID参数、晶体重量、籽晶杆提拉、旋转速率和晶体生长过程中的图像信息。

当今通讯技术和物联网技术的不断发展，给本发明的实现提供了成熟的技术支撑。本发明可以实现通过移动终端控制晶体生长控制器，对晶体生长系统的各个环节进行管理、协调和监控，确保安全性和可靠性。本发明晶体生长远程控制系统方便、高效，工程师不需要到现场，通过远程控制端远程操作就可以控制晶体生长控制器和显示晶体生长过程的详细信息。

本发明的上述实施例仅仅是为说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化和变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本发明的技术方案所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。