一种ZrB2粉体的制备方法与流程

文档序号:11100230阅读:1390来源:国知局
一种ZrB2粉体的制备方法与制造工艺

本发明属于硼化物高温陶瓷粉体制备技术领域,特别涉及一种ZrB2粉体的制备方法。



背景技术:

ZrB2陶瓷因其具有高熔点和高硬度、导电导热性能好等特点而在高温结构陶瓷材料、复合材料、耐火材料、电极材料以及核能材料等领域中得到广泛应用。

ZrB2粉体的制备方法很多,主要是利用锆或锆的氧化物进行硼化反应。按反应物状态不同可分为,固相法:直接合成法、碳热还原法、金属热还原法、高温自蔓延合成法、电化学合成法等;液相法:共沉淀法、溶胶-凝胶法(Sol-Gel)等;气相法:PVD、CVD等。在各种ZrB2粉体的制备方法中,碳热还原法和高温自蔓延合成法是最常用的两种方法。高温自蔓延直接采用单质Zr和B为原料,由于这两种单质材料的高纯化成本高,且一般需要Mg或Al点燃反应,最终生成的ZrB2粉体中金属杂质如Fe、Mg、Al等杂质都比较高,而碳热还原法采用ZrO2、H3BO3、C为原料,原料纯度高、且来源简单易得,因此制备的ZrB2粉体纯度高,特别是如果用核级ZrO2或者B10富集的H3BO3为原料时,与其它方法制备ZrB2相比,将具有显著的低成本优势。

然而,常规的碳热还原反应制备的ZrB2粉体粒子往往呈条棒状,条棒的长度有时能超过10μm,这限制了它在陶瓷材料领域的应用。本发明旨在通过在碳热还原反应中添加反应助剂,并优化碳热还原反应工艺,控制产物粒子的生长和形貌,最终实现ZrB2粉体的产业化制备。



技术实现要素:

本发明针对现有碳热还原反应制备的ZrB2粉体的不足,提供了一种ZrB2粉体的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

(1)采用ZrO2、H3BO3、C作为原料,NaCl或B为反应添加剂,在混料机中混匀;

(2)混匀后的原料粉体在真空下加热脱水;

(3)脱水后的前驱体球磨细化;

(4)球磨后的前驱体粉体在真空碳管炉中高温合成,得到ZrB2粉体。

步骤(1)中所述原料纯度均大于99.9%,ZrO2中Hf的含量低于100ppm,H3BO3中的B元素采用富集的10B,10B的富集度为50~60%;三种原料中ZrO2的质量分数为30~40wt%,H3BO3的质量分数为40~50wt%,余量为C。

进一步,步骤(1)中三种原料中ZrO2的质量分数优选为33~35%,H3BO3的质量分数优选为45~50%,余量为C。

步骤(1)中ZrO2原料为核级纯材料。

步骤(1)中所述NaCl添加量为原料总质量的0~20wt%,优选为5~10%wt%;B的添加量为原料总质量的0~10wt%,优选为0.5~5wt%。

步骤(2)中所述脱水温度为300~900℃,优选为500~700℃。

步骤(3)中所述球磨时间为1~60小时,优选为20~40小时。

步骤(4)中所述合成温度为1500~2000℃,优选合成温度为1700~1900℃;保温时间为1~6小时,优选保温时间为2~4小时。

步骤(4)中合成过程中通入惰性气体作为载气,惰性气体为氩气或氮气。

本发明所提供的ZrB2粉体的制备原理为:采用ZrO2、H3BO3及C作为原料,NaCl及B作为添加剂,通过球磨细化,在高温下利用碳热还原反应将ZrO2还原并硼化得到ZrB2粉体,同时,高温合成过程中,利用NaCl及B粉作为添加剂,优化反应工艺条件,束缚ZrB2粉体粒子的取向生长从而控制ZrB2粉体的形貌。

与其它文献专利提供的ZrB2粉体制备工艺相比,本发明的优点有:

(1)本工艺采用ZrO2、H3BO3及C作为原料,NaCl及B作为添加剂,易于高纯化,且成本低;

(2)本工艺中采用的混料机,真空碳管炉等设备简单易得,工艺过程简单,易于工业化生产;

(3)得到的ZrB2粉体形貌可控,得到的长条状、多孔状以及规整形状粉体具有很好的产业化应用前景。

附图说明:

图1为ZrB2粉体制备的流程图;

图2为实施例1高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图3为实施例1制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图4为实施例2高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图5为实施例2制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图6为实施例3高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图7为实施例3制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图8为实施例4高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图9为实施例4制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图10为实施例5高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图11为实施例5制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图12为实施例6高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图13为实施例6制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图14为实施例7高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图15为实施例7制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片;

图16为实施例8高温合成得到的ZrB2粉体的XRD图;

图17为实施例8制备的ZrB2粉体的扫描电镜照片。

具体实施方式

本发明提供了一种ZrB2粉体的制备方法,下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。

实施例1

按照图1的工艺流程,将原料按质量比ZrO2:H3BO3:C:NaCl:B=33.1%:46.5%:17.4%:1.5%:1.5%进行配比,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在500℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎20小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1700℃,反应时间为1小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图2所示,粉体SEM结果如图3所示。

实施例2

按照图1的工艺流程,将原料按质量比ZrO2:H3BO3:C=34.3%:47.8%:17.9%进行配比,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在550℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎25小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1750℃,反应时间为3小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图4所示,粉体SEM结果如图5所示。

实施例3

按照图1的工艺流程,将原料按质量比ZrO2:H3BO3:C:B=33.7%:47.1%:17.7%:1.5%进行配比,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在600℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎30小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1800℃,反应时间为3小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图6所示,粉体SEM结果如图7所示。

实施例4

按照图1的工艺流程,将原料按ZrO2:H3BO3:C:B=34.5%:45.8%:18.1%:1.6%进行配比,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在650℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎35小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1850℃,反应时间为5小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图8所示,粉体SEM结果如图9所示。

实施例5

按照图1的工艺流程,将原料按ZrO2:H3BO3:C:B=34.8%:46.2%:18.2%:0.8%进行配比,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在700℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎40小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1800℃,反应时间为5小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图10所示,粉体SEM结果如图11所示。

实施例6

按照图1的工艺流程,将原料按质量比ZrO2:H3BO3:C:B=35%:46.4%:18.3%:0.3%进行配比,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在750℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎45小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1850℃,反应时间为5小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图12所示,粉体SEM结果如图13所示。

实施例7

按照图1的工艺流程,将原料按质量比ZrO2:H3BO3:C:B=33.7%:47.1%:17.7%:1.5%进行配比,H3BO310B丰度为60.2%,混料量1kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在700℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎50小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1900℃,反应时间为5小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图14所示,粉体SEM结果如图15所示。

实施例8

将原料按ZrO2:H3BO3:C:B=33.7%:47.1%:17.7%:1.5%进行配比,H3BO3的硼10丰度为60.2%,混料量10kg;采用混料机搅拌混匀,将混匀后的粉体在700℃下真空脱水,脱水后的前驱体在球磨机中球磨粉碎50小时,球磨后的粉体在真空碳管炉中高温合成,采用氩气为载气,合成温度为1900℃,反应时间为5小时。得到的ZrB2粉体XRD结果如图16所示,粉体SEM结果如图17所示。

通过研究发现,本发明提供的一种ZrB2粉体制备方法中,ZrO2、H3BO3及C粉的比例,合成温度,保温时间等对得到的ZrB2粉体物相均有一定的影响,在优选工艺条件下,得到的ZrB2粉体质量较好。

申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺流程,但本发明并不局限于上述详细工艺流程,即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

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