本发明涉及用于液晶显示屏玻璃基板蚀刻预处理的组合物。
背景技术：
在超薄液晶显示屏生产时，需要对完成封装的玻璃基板进行薄化处理，现有技术中一般采用的氢氟酸蚀刻进行薄化，往往产生局部过蚀凹坑，需要再进行长时间的抛光处理，严重的甚至导致整个玻璃基板报废。随着超薄TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)需求量的逐渐增大，这个问题在液晶显示屏生产过程中越来越突出，解决这个问题现有技术中采用以浓硫酸为基础配制的预处理液在薄化处理前对液晶屏的玻璃基板进行预处理，由于加入了大量的浓硫酸，预处理工序后产生的废液难于进行处理。因此提供一种新的液晶显示屏玻璃基板薄化预处理用产品，在提高处理效果的基础上降低污染排放，成为现有技术中亟待解决的问题。
技术实现要素：
为解决前述技术问题，本发明提供了液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物及其处理工艺，通过优化处方和处理工艺，成功的实现了避免了浓硫酸等造成严重污染且难于处理的原材料的使用。
本发明提供了液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物，其特征在于所述组合物由以下组分组成：
质量百分比含量5-8％的盐酸(HCl)，质量百分比含量5-8％的硝酸(HCl)质量百分比含量2％～5％的氢氟酸(HF)，质量百分比含量1～2％的吐温-80，质量百分比含量0.2-0.4％的卡波姆940、质量百分比1-2％的羟丙基甲基纤维素(HPMC)及余量的水。
所述的液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物，其特征在于以如下方法配制，
1)将处方量盐酸、氢氟酸和硝酸混合，并加入适量水稀释，
2)将处方量HPMC溶于处方量30～40％的水中，加入处方量的吐温-80，
3)将处方量卡波姆940于适量水中溶解；
4)在步骤2)的混合溶液中，在剧烈搅拌下先后加入缓慢加入步骤1)的混合液，然后再将步骤3)的混合液加入，补足余量的水后搅拌至混合均匀。
在研究中我们意外的发现，将原本多用于制药、化妆品生产的卡波姆940与吐温80及HPMC配合并加入混合稀酸后可以用于对液晶显示屏玻璃基板薄化工艺的预处理，并能够显著降低后续的氢氟酸蚀刻薄化工艺后基板表面的凹坑，从而避免了现有技术中采用浓硫酸为主要成分的预处理剂在使用时的不安全性和废液难于处理的问题。本发明提供的组合物对TFT玻璃基板的CF面和TFT面均有良好的预处理效果。且进一步研究发现，本发明采用的预处理工艺，优选了温度范围与温度变化程序。与本发明的表面预处理液配合能够产生良好的预处理效果。
具体实施方式
本发明提供的液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物，以如下方法配制，
1)将处方量盐酸、氢氟酸和硝酸混合，并加入适量水稀释，
2)将处方量HPMC溶于处方量30～40％的水中，加入处方量的吐温-80，
3)将处方量卡波姆940于适量水中溶解；
4)在步骤2)的混合溶液中，在剧烈搅拌下先后加入缓慢加入步骤1)的混合液，然后再讲步骤3)的混合液加入，补足余量的水后搅拌至混合均匀。
实施例1～4配方见下表(质量百分比wt％)
对实施例1～4得到的组合物进行薄化预处理的方法如下
取用原材料为康宁公司生产的同批次的用于TFT显示屏的玻璃面板，其厚度为1.000mm，尺寸为730mm×920mm。所采用的蚀刻及抛光设备分别为东莞鸿村蚀刻机和湖南永创抛光机。先在CF面玻璃基板和TFT面玻璃基板四周间隙中渗透UV胶水，再用UV光照固化完成玻璃基板的封装，将封装完成的玻璃基板用于后续的预处理及薄化工序
预处理方法为
1)液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物1000L(以下简称预处理剂)
2)将预处理剂打入蚀刻机酸槽并将预处理剂温度控制在50℃±2℃，把作为实验组样品的5片完成封装的玻璃基板(编号为I～V)浸泡在预处理剂中，去除玻璃表面双层20微米；然后将预处理剂温度将至35℃±2℃，继续浸泡至去除玻璃表面双层60微米，，在预处理时对预处理剂进行鼓泡搅拌。
3)：用清水洗净玻璃表面，在表面湿润的条件下再进入氢氟酸蚀刻液中，浓度为9mol/L，温度控制在30℃条件，薄化至0.5mm厚度。
另取5片完成封装的玻璃基板(编号i～v)清水清洗后直接进入氢氟酸蚀刻液中浓度为9mol/L，温度控制在30℃条件，薄化至0.5mm厚度，并作为对照组
在同一台永创抛光机1300-3#上，压力60g/cm2，下盘转速50，上盘转速40，研磨垫为环球LP-66型号，抛光粉为德乐士101型号，吸附垫为FUJIBO BPE211型号，实验组每研磨1分钟检验一次表面效果，对照组每研磨5分钟检验一次表明效果，记录研磨后检验没有凹坑的累计研磨时间如表1所示
实验结果表明，采用本发明提供的预处理液进行预处理后的玻璃基板在进行薄化工艺处理后可以显著减少面板上的凹坑。