一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构的制作方法
【专利摘要】本实用新涉及一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，包括坩埚，测温孔护套、发热体、顶保温层、侧保温层、底保温层；所述的发热体位于坩埚外周、并包围住坩埚的侧面和底面；所述的顶保温层位于坩埚上方；所述的顶保温层中心开有测温孔；所述的测温孔护套安放在顶保温层测温孔内；所述的侧保温层、底保温层分别位于发热体外围和底部。本实用新型的有益效果是：测温孔护套阻隔坩埚泄露的SiC蒸汽沿测温孔的输运，避免了测温孔内因SiC结晶造成的堵塞，有利于保证在整个晶体生长过程能够准确的测量坩埚温度。
【专利说明】
一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种碳化硅制备装置领域的热场结构，具体的涉及一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构。
【背景技术】
[0002]在SiC晶体制备领域中，最为成熟的生长方法是物理气相传输法(PVT)。晶体生长使用的坩祸使用石墨材料，由于石墨材料具一定孔隙率，高温下SiC蒸汽可以穿透石墨坩祸并在坩祸外部的保温毡内沉积。由于测温需要，通常在顶部保温毡中心开孔，通过红外测温仪测量坩祸顶部温度，由于开孔位置气流阻力小，开孔位置会成为SiC蒸汽优先输运通道，在长晶过程初期，测温孔就会因SiC蒸汽沉积尔堵塞，影响及顶部散热，从尔影响后续晶体生长。
[0003]为此，如何提供一种避免顶部测温孔堵塞的结构，是本实用新型研究的目的。
【发明内容】
[0004]为克服现有技术问题，本实用新型提供一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，来阻隔坩祸泄露的SiC蒸汽沿测温孔的输运，避免测温孔内因SiC结晶造成的堵塞，保证了在整个晶体生长过程能够准确的测量坩祸温度。
[0005]为解决现有技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:
[0006]—种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，包括坩祸、测温孔护套、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层;所述的发热体位于坩祸外周、并包围住坩祸的侧面和底面;所述的顶保温层位于坩祸上方;所述的顶保温层中心开有测温孔;所述的测温孔护套安放在顶保温层测温孔内；所述的侧保温层、底保温层分别位于发热体外围和底部。
[0007]进一步的，所述的测温孔护套长度大于顶部保温层厚度，所述的测温孔护套下端距离坩祸顶部距离小于10mm，或直接与坩祸顶部连接在一起。
[0008]进一步的，所述的顶保温层、侧保温层、底保温层均采用石墨软毡或石墨硬毡材料。
[0009]本实用新型的有益效果是:测温孔护套阻隔坩祸泄露的SiC蒸汽沿测温孔的输运，避免了测温孔内因SiC结晶造成的堵塞，有利于保证在整个晶体生长过程能够准确的测量i甘祸温度。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型的结构示意图。
[0011]其中:坩祸I，测温孔护套2、发热体3、顶保温层4、侧保温层5、底保温层6、感应圈7、碳化硅原料8、碳化硅晶体9。
【具体实施方式】
[0012]为了使本领域技术人员能够更加理解本实用新型技术方案，下面结合附图1对本实用新型做进一步分析。
[0013]—种用于制备碳化硅晶体的热场结构，包括坩祸I，测温孔护套2，发热体3，顶保温层4，侧保温层5和底保温层6;其中发热体3位于坩祸I外周、包围住坩祸I的侧面和底面，顶保温层4位于坩祸I上方，测温孔护套2安放在顶保温层4测温孔内，侧保温层5、底保温层6分别位于发热体3外围和底部。晶体生长过程中，由于测温孔护套2阻隔SiC蒸汽向测温孔输运通径，从而避免测温孔内部因SiC蒸汽结晶而堵塞。测温孔护套2下端与坩祸I顶部间距小于1mm或直接与坩祸顶部连接在一起。测温孔护套2表面可涂覆碳化钽等耐高温涂层，因涂层表面光滑且具有较高反射能力，可进一步减少测温孔护套2内壁结晶。
[0014]本实用新型所述结构阻隔坩祸泄露的SiC蒸汽沿测温孔的输运，从而避免测温孔内因SiC结晶造成的堵塞，有利于保证在整个晶体生长过程能够准确的测量坩祸温度。
[0015]以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了实施例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
【主权项】
1.一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，其特征在于:包括坩祸，测温孔护套、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层;所述的发热体位于坩祸外周、并包围住坩祸的侧面和底面;所述的顶保温层位于坩祸上方;所述的顶保温层中心开有测温孔;所述的测温孔护套安放在顶保温层测温孔内；所述的侧保温层、底保温层分别位于发热体外围和底部。2.根据权利要求1所述的一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，其特征在于:所述的测温孔护套长度大于顶部保温层厚度，所述的测温孔护套下端距离坩祸顶部距离小于1mm，或直接与i甘祸顶部连接在一起。3.根据权利要求1所述的一种避免顶部保温中心测温孔堵塞的热场结构，其特征在于:所述的顶保温层、侧保温层、底保温层均采用石墨软毡或石墨硬毡材料。
【文档编号】C30B23/00GK205711044SQ201620566617
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年6月14日
【发明人】郑清超, 高宇, 杨昆, 李霄
【申请人】河北同光晶体有限公司