一种单晶炉泄露引流装置的制作方法

本实用新型涉及单晶棒加工技术领域，尤其是一种一种单晶炉泄露引流装置。

背景技术：

在现行的单晶炉设备上，石墨电极上的盖为圆形，只能够起到减少硅蒸汽在电极处的凝结，没有起到漏硅保护的作用，并且因为电极盖较小，在发生漏硅时，硅液会更快的流至炉底电极处，造成高温硅液烫坏电极和炉底板，造成巨大的经济损失和人员伤害。

所以，如何提供一种新型石墨电极盖及其设置方式达到单晶炉泄露引流的目的，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供了一种单晶炉泄露引流装置，解决现有技术中存在的缺陷，具体方案如下：

一种单晶炉泄露引流装置，其特征在于：包括电极顶盖，所述电极顶盖具有底座和顶盖，所述底座套接在石墨电极上部，所述顶盖高于反射板，所述顶盖上设有向所述反射板引流的装置。

具体的，所述顶盖为方形，所述引流装置包括设置在所述顶盖上的托盘，以及设置在所述托盘三个侧边的第一侧板、第二侧板、背板，所述托盘的另一个侧边为开口端，所述开口端面向所述反射板的中心放置。

具体的，所述顶盖高出所述反射板的高度为15mm。

具体的，所述底座11为下部具有容纳腔，上部为实体结构的圆柱体，所述容纳腔内容纳所述石墨电极。

具体的，所述电极顶盖为石墨材质。

本实用新型与现有技术相比，具有的优点是：解决了单晶炉在运行时发生意外漏硅时报警，可以更早的检测漏硅，减少因漏硅造成的热场、硅料的损失，新型电极顶盖的引入也对热场的保温和气流导向产生了积极影响。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型提供的单晶炉泄露引流装置主剖结构示意图。

图2为本实用新型提供的单晶炉泄露引流装置的俯视图。

图3为电极顶盖主视图。

图4为电极顶盖俯视图。

图中： 10、电极顶盖 11、底座 110、容纳腔 12、顶盖 120、托盘 121、第一侧板 122、第二侧板 123、背板 124、开口端 20、加热器 30、石墨电极 40、反射板。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

相关术语解释

电极顶盖：放置于石墨电极上的石墨器件。

反射板：单晶炉内热场底部保温装置，与电路绝缘。

加热器、石墨电极：单晶炉内热场加热装置。

参见附图1-4所示，图1为本实用新型提供的单晶炉泄露引流装置主剖结构示意图，图2为本实用新型提供的单晶炉泄露引流装置的俯视图，图3为电极顶盖主视图，图4为电极顶盖俯视图。本实用新型本实用请求保护一种单晶炉泄露引流装置，包括电极顶盖10，所述电极顶盖10具有底座11和顶盖12，所述底座11套接在石墨电极30上部，所述顶盖高于反射板40，所述顶盖12上设有向所述反射板40引流的装置。

加热器20、石墨电极30、电极顶盖10均为热场通电加热器件，正常情况下需要与热场其他部件绝缘，一旦有硅液被引流至反射板40，电极顶盖10和反射板40就会因为硅液凝结而接触，此时单晶炉因为加热器20接地短路，单晶炉控制系统会引发加热器接地报警。操作员工根据报警即可判断出单晶炉发生漏硅，尽快的安排紧急停炉，减少事故损失。

具体的，所述顶盖12为方形，所述引流装置包括设置在所述顶盖12上的托盘120，以及设置在所述托盘120三个侧边的第一侧板121、第二侧板122、背板123，所述托盘120的另一个侧边为开口端124，所述开口端124面向所述反射板40的中心放置。

具体的，所述顶盖12高出所述反射板40的高度为15mm，该距离是防止电打火的安全距离。

具体的，所述底座11为下部具有容纳腔110，上部为实体结构的圆柱体，所述容纳腔110内容纳所述石墨电极30。

优选的，所述电极顶盖10为石墨材质。

上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。