一种单晶炉副室氩气填充喷头的制作方法

本实用新型涉及单晶棒加工技术领域，尤其是一种单晶炉副室氩气填充喷头。

背景技术：

单晶生长炉在生产拉制单晶硅棒的过程中，由于有真空泵的连接，炉内一直处于负压状态，而且内部需要持续填充氩气，填充氩气的位置在单晶炉副室的顶部，现有的氩气填充装置，只有一个出气口，是沿单晶炉提拉头的方向，竖直向下充气，填充效果不佳，而且不均匀。

所以，如何提供一种单晶炉副室氩气填充喷头，解决现有技术中氩气填充不均匀的缺陷，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提供了一种单晶炉副室氩气填充喷头，解决现有技术中存在的缺陷，具体方案如下：

一种单晶炉副室氩气填充喷头，包括喷头主体，所述喷头主体中部具有与单晶炉提拉头配合的通孔，所述喷头主体的上部设有进气管接头、所述喷头主体的内部设有气道，所述喷头主体的下部设有若干个出气孔，所述进气管接头与所述气道连通，所述出气孔也与所述气道连通。

具体的，所述喷头主体、所述进气管接头、所述出气孔为一体成型的不锈钢材质，所述气道为环形。

具体的，所述出气孔有8个，均匀分布在所述喷头主体的下部。

具体的，所述进气管接头有两个，对称分布在所述喷头主体的上部。

具体的，所述进气管接头有四个，对称分布在所述喷头主体的上部。

具体的，所述喷头主体的厚度为20mm，所述出气孔凸出所述喷头主体外的长度为2mm。

具体的，出气孔为喇叭口形状，所述出气孔的大口朝向单晶炉副室。

本实用新型与现有技术相比，具有的优点是：可以更加均匀的填充氩气，让炉内气体的循环更加顺畅，提高拉制单晶硅棒的质量和生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型提供的第一实施例仰视图。

图2为图1中沿A-A方向剖切主视图。

图3为本实用新型提供的第二实施例仰视图。

图4为图3中沿A-A方向剖切主视图。

图5为本实用新型提供的第三实施例仰视图。

图6为本实用新型工作状态示意图。

图中： 10、喷头主体 11、进气管接头 12、出气孔 13、孔 20、气道 30、提拉头。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

相关术语解释

提拉头：单晶炉最上端的部件，内部有驱动电机，卷丝轮等，连接钢丝绳用。

本实用新型请求保护一种单晶炉副室氩气填充喷头，图6为本实用新型使用状态图，本实用新型包括喷头主体10，所述喷头主体10中部具有与单晶炉提拉头30配合的通孔13，所述喷头主体10的上部设有进气管接头11、所述喷头主体10的内部设有气道20，所述喷头主体10的下部设有若干个出气孔12，所述进气管接头11与所述气道20连通，所述出气孔12也与所述气道20连通。

具体的，所述喷头主体10、所述进气管接头11、所述出气孔12为一体成型的不锈钢材质，所述气道20为环形。

具体实施例1：参照图1-2所示，所述出气孔有8个，均匀分布在所述喷头主体10的下部，所述进气管接头11为一个，氩气通过进气管接头11引入气道20，再由20分配至8个出气孔中，均匀送至单晶炉副室内。

具体实施例2：参照2-3所示，所述进气管接头11有两个，对称分布在所述喷头主体10的上部，有利于气道12中的氩气向出气孔供气平稳，优化工艺过程。

具体实施例3：参照图5所示，所述进气管接头11有四个，对称分布在所述喷头主体10的上部，可以使送气过程更加平稳。

具体的，所述喷头主体10的厚度为20mm，所述出气孔12凸出所述喷头主体10外的长度为2mm。

具体的，出气孔12为喇叭口形状，所述出气孔12的大口朝向单晶炉副室。

上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。