一种新型的导流筒内保温结构的制作方法

本实用新型涉及一种新型的导流筒内保温结构。

背景技术：

目前单晶炉的导流筒内只有四层保温软碳毡，其保温效果较差，不能很好的起到保温的作用，容易致使热场的热量散失，进而会导置设备运行时功率较高，耗电量较大。由于保温效果不好，热量的损失，使热场中的纵向温度梯度达不到应有的差值，给晶棒的正常生长带来不利的影响，尤其是在导流筒底部不容易保温，炉内气流通过时导流筒底部温度较低， SiO沉积后形成的黄色杂质在导流筒底部容易聚集，这些黄色杂质还会掉落至液面上，进而会引起单晶断棱以影响晶棒的正常生长，减少了晶棒的有效长度，降低了利用率。

技术实现要素：

针对上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种新型的导流筒内保温结构，该结构保温效果好、能起到良好的保温效果，进而会节省能耗，还可以保证晶棒的正常生长，能保证晶棒的有效长度以提高晶棒的利用率。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种新型的导流筒内保温结构，包括导流筒、第一碳毡层、第二碳毡层、第三碳毡层、第四碳毡层、横截面为圆环形的第五碳毡层和高纯石墨纸层，第一碳毡层贴合在导流筒的内侧壁上，第二碳毡层贴合在第一碳毡层的内侧壁上，第三碳毡层贴合在第二碳毡层的内侧壁上，第四碳毡层贴合在第三碳毡层的内侧壁上，第一碳毡层、第二碳毡层、第三碳毡层和第四碳毡层的上端高度依次递减；第一碳毡层、第二碳毡层、第三碳毡层和第四碳毡层底端相平齐且形成一个环形台面；所述第五碳毡层设置于所述环形台面的下部，第五碳毡层的外缘面贴合在导流筒的内侧壁上，第五碳毡层的上端面与所述环形台面相贴合；所述高纯石墨纸层设置在第五碳毡层的下部，高纯石墨纸层的外缘面贴合在导流筒的内侧壁上，高纯石墨纸层的上端面与第五碳毡层的下端面贴合。

在该技术方案中，通过在导流筒原来的四层碳毡的基础上，增加一个下部的第五碳毡层，并在第五碳毡层的下部设置了一层高纯石墨纸，这样第五碳毡层的增加可以加强导流筒底部的保温效果，从而可以增加纵向温度梯度，能有效的减少热场内的热量流失，在节能的同时保证了晶棒的正常生长，能避免因保温效果不好而引起的杂质脱落而导致的单晶断棱的情况发生。高纯石墨纸层的增加加大了导流筒内部热量的反射，保证了晶体生长界面的温度的稳定，进而可以提高晶棒内部质量的均匀性。

作为一种优选，第一碳毡层、第二碳毡层和第三碳毡层的展开形均为长方形，第四碳毡层的展开形为扇形。

作为一种优选，所述高纯石墨纸层的底面与导流筒的底端端面相平齐。

作为一种优选，所述高纯石墨纸层的底面高于导流筒的底端端面。

为了提高保温效果，第一碳毡层、第二碳毡层、第三碳毡层和第四碳毡层的闭合连接接缝之间均相交错地设置。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图

图中： 1、导流筒，2、第一碳毡层，3、第二碳毡层，4、第三碳毡层，5、第四碳毡层，6、第五碳毡层，7、高纯石墨纸层。

具体实施方式

下面将对本实用新型作进一步说明。

如图1所示，一种新型的导流筒内保温结构，包括导流筒1、第一碳毡层2、第二碳毡层3、第三碳毡层4、第四碳毡层5、横截面为圆环形的第五碳毡层6和高纯石墨纸层7，第一碳毡层2贴合在导流筒1的内侧壁上，第二碳毡层3贴合在第一碳毡层2的内侧壁上，第三碳毡层4贴合在第二碳毡层3的内侧壁上，第四碳毡层5贴合在第三碳毡层4的内侧壁上，第一碳毡层2、第二碳毡层3、第三碳毡层4和第四碳毡层5的上端高度依次递减；第一碳毡层2、第二碳毡层3、第三碳毡层4和第四碳毡层5底端相平齐且形成一个环形台面；所述第五碳毡层6设置于所述环形台面的下部，第五碳毡层6的外缘面贴合在导流筒1的内侧壁上，第五碳毡层6的上端面与所述环形台面相贴合；所述高纯石墨纸层7设置在第五碳毡层6的下部，高纯石墨纸层7的外缘面贴合在导流筒1的内侧壁上，高纯石墨纸层7的上端面与第五碳毡层6的下端面贴合。

通过在导流筒1原来的四层碳毡的基础上，增加一个下部的第五碳毡层6，并在第五碳毡层6的下部设置了一层高纯石墨纸，这样第五碳毡层6的增加可以加强导流筒1底部的保温效果，从而可以增加纵向温度梯度，能有效的减少热场内的热量流失，在节能的同时保证了晶棒的正常生长，能避免因保温效果不好而引起的杂质脱落而导致的单晶断棱的情况发生。高纯石墨纸层7的增加加大了导流筒内部热量的反射，保证了晶体生长界面的温度的稳定，进而可以提高晶棒内部质量的均匀性。

作为一种优选，第一碳毡层2、第二碳毡层3和第三碳毡层4的展开形均为长方形，第四碳毡层5的展开形为扇形。

作为一种优选，所述高纯石墨纸层7的底面与导流筒1的底端端面相平齐。

作为一种优选，所述高纯石墨纸层7的底面高于导流筒1的底端端面。

为了提高保温效果，第一碳毡层2、第二碳毡层3、第三碳毡层4和第四碳毡层5的闭合连接接缝之间均相交错地设置。