一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法与流程

文档序号:11147593阅读:1032来源:国知局
一种防止CBO晶体生长过程掉入熔体的方法与制造工艺

本发明属于一种人工晶体生长领域,特别是CBO晶体生长。



背景技术:

三硼酸铯(化学式CsB3O5,简称CBO)是硼酸盐中一种新型的非线性晶体,非线性系数和LBO大致相同,紫外波段透光能力优于BBO,抗激光损伤阈值高于BBO,特别在晶体制备上优于BBO和LBO,CBO是同成分熔融化合物,不用采用外加助熔剂,可以有效减少助熔剂带来影响。

该晶体虽然在某些方面具有比BBO和LBO更好的性能,但是该晶体具有潮解性,以及生长过程挥发严重,在晶体生长过程,随着晶体长大,籽晶容易断掉,晶体掉入熔体,给生长完整晶体带来困难。



技术实现要素:

本发明采用铂金片包裹籽晶,籽晶末端剩余1.8mm露出外面,见图1,晶体下种过程中,籽晶末端2mm浸入熔体,利用熔体封住铂片和籽晶交界处,该方法使的籽晶不再裸露于空气中,一方面防止挥发物腐蚀籽晶,另一方面又防止籽晶潮解;使得晶体生长过程,籽晶不再断掉,得到完整的晶体毛坯。

附图说明

图1是籽晶示意图。

具体实施方式

称取一定量的碳酸铯和硼酸为原料,其中铯过量5%(摩尔百分比),于普通硅碳棒炉子900℃条件下熔融反应至原料全部熔解,装入φ60坩埚,然后放入熔盐炉中生长,将籽晶用铂片包裹,籽晶末端剩余1.8mm露出外面,籽晶于饱和温度点高5℃条件下下种,籽晶浸没熔体2mm,然后温度降回饱和温度,开始生长,经过3个月得到完整晶体。

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