一种GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法与流程

本发明属于功能材料领域，涉及在功能化的fto/glass基板表面制备gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜，具体为bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3/bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3超晶格薄膜。

背景技术：

多铁性材料是指同时具有铁电性(反铁电性)、铁磁性(反铁磁性)和铁弹性(反铁弹性)中两种或以上性质的材料。在这类功能材料中，不仅具有上述一些性质，并且各性质之间可以相互耦合、相互调控，产生出单一铁电性或铁磁性材料所没有的性质，比如磁电耦合效应。这种特有的性质使多铁性材料在磁电存储器、自旋电子器件、磁电控制器件等方面具有广泛的应用前景。在所有的多铁性材料中，bifeo3作为目前几乎唯一种在室温下同时具有铁电性和铁磁性的材料，引起了人们的广泛关注。相比于其他多铁性材料，它具有较高的铁电转变温度(tc～1100k)和反铁磁转变温度(tn～640k)。

然而，作为研究最早的多铁材料，较大的漏电流、矫顽场和微弱的铁磁性是bifeo3至今仍没有进入实际应用的主要障碍。通过离子掺杂可以有效的提高薄膜的铁电、铁磁性能。另外，可以通过将现有的一些功能材料通过界面工程将其组合起来，制备出一些异质结或者超晶格结构。超晶格是将两种或两种以上不同材料按照特定的迭代序列，沉积在衬底上而构成的。其中调制掺杂超晶格是在同种材料中有规则地掺入不同浓度的杂质，在界面处由于费米能级的不同，会产生电荷迁移，能带发生弯曲。通过改变超晶格薄膜的界面化学环境来控制界面结构，可以显著提高界面的电学性质；通过利用超晶格薄膜的应力或应变、层间耦合等物理效应，可得到高性能或单一结构材料不具有的多铁性能。

目前，还没有关于bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3/bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3超晶格薄膜及其制备方法的相关报道。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法，该方法设备要求简单，实验条件容易达到，掺杂量容易控制，制得的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜为bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3/bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3超晶格薄膜，可改善bifeo3基薄膜的多铁性能。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜，所述gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜为由若干层相互间隔排列的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜依次叠加构成。

所述晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的结构为三方结构，空间群为体积分数68.22％的r3c:h和体积分数31.78％的r3m:r共存；晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的结构为三方结构，空间群为体积分数22.7％的r3c:h和体积分数77.3％的r3m:r共存。

所述晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的层数分别为5～10层，每层晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的厚度为30～40nm。

所述的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：按摩尔比为0.96:0.06:0.03:0.94:0.04:0.02(硝酸铋过量5％)将硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到前驱液a；

按摩尔比为0.93:0.09:0.03:0.94:0.04:0.02(硝酸铋过量5％)将硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到前驱液b；

步骤2：将前驱液a旋涂在fto/glass基片上，得到bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜经匀胶后在190～210℃下烘烤得干膜，再于540～550℃下在空气中退火，得到晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤3：将晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜冷却至室温，在其表面旋涂前驱液b，得到bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜经匀胶后在190～210℃下烘烤得干膜，再于540～550℃下在空气中退火，即在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤4：重复步骤2和步骤3，即在晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，再在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，如此循环直到达到所需厚度，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。

所述步骤1中前驱液a和前驱液b中金属离子的总浓度为0.2～0.4mol/l。

所述前驱液a和前驱液b中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

所述步骤2进行前先将fto/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使fto/glass基片表面达到原子清洁度。

所述步骤2和步骤3中匀胶时的匀胶转速为3600～4200r/min，匀胶时间为12～18s。

所述步骤2和步骤3中匀胶后的烘烤时间为6～9min。

所述步骤2和步骤3中的退火时间为6～10min。

相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明提供的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的制备方法，以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料，按一定的摩尔比分别溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到两种gd浓度不同的稳定的前驱液a和前驱液b；先用前驱液a在基板上进行旋涂，退火制备出一层晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，在此薄膜的基础上再用前驱液b进行旋涂，退火制备出第二层晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，如此类推，重复旋涂前驱液a和前驱液b并层层退火，交替制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。本发明采用溶胶-凝胶工艺，通过碱土元素sr，稀土元素gd和过渡金属元素mn和co四元素共掺杂制备gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。相比于其他制备薄膜的方法，本发明设备要求简单，实验条件容易达到，成本低廉，反应容易进行，工艺过程温度低，制备过程及掺杂量容易控制，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，很容易均匀定量地掺入一些微量元素，可以在短时间内获得原子或分子水平的均匀性，该方法制得的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜均匀性较好，且化学组分精确可控。

本发明通过溶胶-凝胶法制备出一种逐层交替生长的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜，铁电超晶格是在控制材料的结构、成份、层厚(nm尺度下)、叠层周期等条件的基础上，由两种或两种以上性能不同的薄膜材料交替生长得到的外延铁电多层膜，由于组成超晶格的薄膜材料晶格参数的不同，整个结构会产生一定的外延应变，从而影响各层以及整个超晶格体系的性能。利用这种现象可以改善原有薄膜的性能或得到单一薄膜不具有的新功能，因此铁电超晶格材料具有重要的应用前景。超晶格薄膜可以将相关功能材料各自优异的性质通过界面有机的耦合，通过利用超晶格薄膜的应力或应变、层间耦合等物理效应，可得到高性能或单一结构材料不具有的多铁性能；通过改变界面化学环境来控制界面结构，可以显著提高界面的电学性质；铁电超晶格薄膜相比于原有的铁电薄膜，能够获得大的介电常数、增强的铁电特性等；另外，超晶格薄膜内部的界面效应能够阻碍电子或者空穴在电场作用下的传递，进一步提高超晶格薄膜的绝缘性，并进一步减小漏电流密度，改善薄膜的多铁性能。

本发明制备的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜是由两种不同gd掺杂浓度的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜相互交替制备从而形成的超晶格结构，比单一结构的bifeo3薄膜具有更加优越的多铁性能，可改善bifeo3基薄膜的多铁性能。

进一步的，本发明采用晶体结构类似的菱方钙钛矿结构的不同组分铁酸铋薄膜组建超晶格薄膜，即用结构为三方结构，空间群为r3c:h(68.22％)和r3m:r(31.78％)共存的bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和用结构为三方结构，空间群为r3c:h(22.70％)和r3m:r(77.30％)共存的bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜交替组合构建出gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜，即bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3/bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3超晶格薄膜，可以提高bifeo3基薄膜的多铁性能。

附图说明

图1是本发明实施例3制备的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜中晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的xrd精修图；

图2是本发明实施例3制备的gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜中晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的xrd精修图。

具体实施方式

下面结合附图和本发明优选的具体实施例对本发明做进一步描述，原料均为分析纯。

实施例1

步骤1：以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.96:0.06:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为3.2:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.2mol/l的稳定的前驱液a；

以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.93:0.09:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为3.2:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.2mol/l的稳定的前驱液b；

步骤2：将fto/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使fto/glass基片表面达到原子清洁度，然后将前驱液a旋涂在fto/glass基片上，其匀胶转速为4000r/min，匀胶时间为14s，得到bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在210℃下烘烤6min得干膜，再在550℃下在空气中退火6min，即得晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤3：将晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜冷却至室温，在其表面旋涂前驱液b，其匀胶转速为4000r/min，匀胶时间为14s，得到bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在210℃下烘烤6min得干膜，再在550℃下在空气中退火6min，即在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤4：重复步骤2和3，即在晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，再在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，直到制备出各5层每层30～40nm厚的相互间隔的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。

实施例2

步骤1：以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.96:0.06:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为2.8:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.25mol/l的稳定的前驱液a；

以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.93:0.09:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为2.8:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.25mol/l的稳定的前驱液b；

步骤2：将fto/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使fto/glass基片表面达到原子清洁度，然后将前驱液a旋涂在fto/glass基片上，其匀胶转速为3900r/min，匀胶时间为16s，得到bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在190℃下烘烤9min得干膜，再在540℃下在空气中退火7min，即得晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤3：将晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜冷却至室温，在其表面旋涂前驱液b，其匀胶转速为3900r/min，匀胶时间为16s，得到bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在190℃下烘烤9min得干膜，再在540℃下在空气中退火7min，即在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤4：重复步骤2和3，即在晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，再在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，直到制备出各6层每层30～40nm厚的相互间隔的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。

实施例3

步骤1：以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.96:0.06:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为3:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.3mol/l的稳定的前驱液a；

以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.93:0.09:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为3:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.3mol/l的稳定的前驱液b；

步骤2：将fto/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使fto/glass基片表面达到原子清洁度，然后将前驱液a旋涂在fto/glass基片上，其匀胶转速为3800r/min，匀胶时间为15s，得到bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在200℃下烘烤7.5min得干膜，再在545℃下在空气中退火8min，即得晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤3：将晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜冷却至室温，在其表面旋涂前驱液b，其匀胶转速为3800r/min，匀胶时间为15s，得到bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在200℃下烘烤7.5min得干膜，再在545℃下在空气中退火8min，即在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤4：重复步骤2和3，即在晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，再在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，直到制备出各7层每层30～40nm厚的相互间隔的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。

采用x-射线衍射仪测定gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的物相组成结构。sem测定gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的微观形貌。用radiantmultiferroic铁电分析仪测试gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的铁电性能，用agilente4980a精密lcr表测试gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的介电性能，用agilentb2900测试gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的漏导电流特性。

图1和图2分别为gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜中bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的xrd精修图，由图1可知，gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜的中bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜结构为三方结构，空间群为r3c:h(68.22％)和r3m:r(31.78％)共存；由图2可知，gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜中bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜结构为三方结构，空间群为r3c:h(22.70％)和r3m:r(77.30％)共存。bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜的晶体结构相似，衍射峰对应的衍射峰角度向左偏差0.05度，且两种薄膜的结晶性能良好，薄膜样品中没有其他杂质出现。

实施例4

步骤1：以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.96:0.06:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为3.5:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.35mol/l的稳定的前驱液a；

以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.93:0.09:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为3.5:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.35mol/l的稳定的前驱液b；

步骤2：将fto/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使fto/glass基片表面达到原子清洁度，然后将前驱液a旋涂在fto/glass基片上，其匀胶转速为3600r/min，匀胶时间为18s，得到bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在195℃下烘烤8min得干膜，再在542℃下在空气中退火9min，即得晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤3：将晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜冷却至室温，在其表面旋涂前驱液b，其匀胶转速为3600r/min，匀胶时间为18s，得到bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在195℃下烘烤8min得干膜，再在542℃下在空气中退火9min，即在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤4：重复步骤2和3，即在晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，再在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，直到制备出各8层每层30～40nm厚的相互间隔的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。

实施例5

步骤1：以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.96:0.06:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为2.5:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.4mol/l的稳定的前驱液a；

以硝酸铋、硝酸钆、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸钴为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.93:0.09:0.03:0.94:0.04:0.02溶于体积比为2.5:1的乙二醇甲醚和醋酸酐的混合溶液中，得到金属离子总浓度为0.4mol/l的稳定的前驱液b；

步骤2：将fto/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使fto/glass基片表面达到原子清洁度，然后将前驱液a旋涂在fto/glass基片上，其匀胶转速为4200r/min，匀胶时间为12s，得到bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在205℃下烘烤7min得干膜，再在548℃下在空气中退火10min，即得晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤3：将晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜冷却至室温，在其表面旋涂前驱液b，其匀胶转速为4200r/min，匀胶时间为12s，得到bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3湿膜，湿膜在205℃下烘烤7min得干膜，再在548℃下在空气中退火10min，即在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜；

步骤4：重复步骤2和3，即在晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，再在晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜上制备出晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，直到制备出各10层每层30～40nm厚的相互间隔的晶态bi0.91gd0.06sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜和晶态bi0.88gd0.09sr0.03fe0.94mn0.04co0.02o3薄膜，即得到gdsrmnco共掺铁酸铋超晶格薄膜。

以上所述内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。