一种制备核‑壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法与流程

本发明涉及一种电介质陶瓷的制备方法，尤其是涉及一种制备核-壳结构的高介低损的钛酸铜钙基陶瓷的方法。

背景技术：

高介电常数材料为实现滤波器、谐振器、存储器和电容器等重要电子器件的尺寸微型化和高性能化提供了可能，受到广泛的关注。钛酸铜钙（cacu3ti4o12，ccto）是几年发现的较为典型、较有代表性的高介电材料，其不论单晶还是陶瓷都具有高达10⁴的介电常数，介电常数在较宽的频率范围（10hz~100khz）和较广的温度范围（100~350k）基本保持不变。但是ccto陶瓷在具有很高的低频介电常数的同时，其低频介电损耗也很高（>0.1），会导致器件大量发热，限制了其应用。

对于降低ccto陶瓷的低频介电损耗，目前研究者们主要采取的方法是掺杂改性和微观结构调控。例如，【appl.phys.lett.,872005032902】、【appl.phys.lett.,872005182911】、【phys.stat.sol.(a),203200622】、【中国专利200710009111.9】、【j.appl.phys.1172015094103】等。但是这些实验不是没有足够程度的降低ccto陶瓷的低频介电损耗，就是在明显降低ccto陶瓷的低频介电损耗的同时，也使ccto陶瓷的低频介电常数大幅度的降低。

技术实现要素：

本发明为解决目前在降低ccto陶瓷低频介电损耗时，其低频介电常数也大幅度降低的技术问题，提供一种制备核-壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法。

本发明是采用以下技术方案实现的：一种制备核-壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法，包括如下步骤：（1）以硝酸钙、硝酸铜和钛酸四丁酯为原料，添加柠檬酸后利用溶胶-凝胶法制备ccto粉体：首先按照cacu3ti4o12的化学计量比精确称量硝酸钙、硝酸铜、钛酸四丁酯，再按照柠檬酸：阳离子=1:1.2的摩尔比称取柠檬酸，然后把上述原料充分溶解于乙醇中混合均匀，并利用硝酸将溶液的ph值调至2~3；溶液经过磁力搅拌之后，放置于80°c的恒温中，直到溶液形成胶体，然后在100°c的恒温中保温，直到胶体变为干凝胶；将干凝胶在750°c的大气中煅烧2小时，得到ccto粉体；（2）接下来按照ccto/xtio2的化学计量比精确称量ccto粉体和钛酸四丁酯，同时再按照柠檬酸：阳离子=1:1.2的摩尔比称取柠檬酸，并将它们置于乙醇中充分搅拌，乙醇质量为ccto粉体和钛酸四丁酯总质量的五倍，形成悬浊液，其中x=0.5或1或2；悬浊液经过磁力搅拌之后，再次放置于80°c的恒温中保温，直到溶液形成胶体，然后在100°c的恒温中保温，直到胶体变为干凝胶，最后在750°c的大气中煅烧2小时，得到ccto/tio2混合粉体；（3）将混合粉体经过充分研磨后，在150mpa的压强下压制成片状，然后在1080°c下烧结10小时得到ccto/xtio2陶瓷。

通过对ccto陶瓷进行阻抗谱等测试，确定ccto陶瓷的电学是不均匀的，其晶粒具有半导性，晶界具有绝缘性。基于此结果，内部阻挡层电容效应（iblc）似乎是ccto陶瓷高介电性质来源的最合理解释。根据iblc效应，增加晶界电阻是一种有效的降低ccto陶瓷在低频区间介电损耗的方法。

氧化物tio2具有很好的绝缘性，本发明将tio2纳米粉末包覆在ccto陶瓷微粉的外表面，制备具有“核-壳”结构的ccto/xtio2复合陶瓷，然后将复合陶瓷在氧气中进行退火处理，以增加复合陶瓷晶界的绝缘性，降低陶瓷的低频介电损耗。

采用本发明所述的原料、原料配比以及相应的工艺以及工艺参数（如温度）才能够制备出

本技术：
所述的具有“核-壳”结构的ccto/xtio2复合陶瓷，并且能够增加复合陶瓷晶界的绝缘性，降低陶瓷的低频介电损耗。

本发明的有益效果：

1）本发明所述方法制备出了具有核-壳结构的钛酸铜钙基陶瓷。图1给出了ccto/xtio2（x=1）陶瓷的元素分布图。从图中可以看出，cu元素在完整晶粒表面的分布是缺乏的，在晶粒断面的分布是均匀的；而ti元素无论在完整晶粒表面还是断面的分布都是均匀的。这个结果证明tio2均匀的附着在了ccto晶粒的表面，得到了具有核壳结构的ccto/tio2复合陶瓷。

2）本发明制备的钛酸铜钙基陶瓷的室温低频（20hz~45khz）介电常数保持在6000以上，介电损耗降至0.05以下。图2给出了空气中烧结制备的纯ccto陶瓷（x=0）、空气中烧结制备的ccto/xtio2（x=1）陶瓷和氧气中退火的ccto/xtio2（x=1）陶瓷的室温介电频谱。可以看出，氧气中退火的ccto/xtio2（x=1）陶瓷的低频介电常数大于6000，并且介电损耗有了明显降低，在20hz~45khz的宽频率范围内低于0.05。

附图说明

图1ccto/xtio2（x=1）陶瓷在指定区域内的微观结构和元素分布。

图2空气中烧结制备的纯ccto陶瓷、空气中烧结制备的ccto/xtio2（x=1）陶瓷和氧气中退火的ccto/xtio2（x=1）陶瓷的室温介电频谱；图a为介电常数实部，图b为介电损耗。

具体实施方式

以分析纯的硝酸钙（ca(no3)2•4h2o，99%）、硝酸铜（cu(no3)2•3h2o，99%）和钛酸四丁酯（[ch3(ch2)3o]4ti，99%）为初始原料，添加柠檬酸（c6h8o7，99%）后利用溶胶-凝胶法制备了ccto粉体，首先按照cacu3ti4o12的化学计量比精确称量各种原料，然后把它们溶解于乙醇中混合均匀，并利用硝酸将溶液的ph只调至2~3。溶液经过磁力搅拌之后，放置于80°c的恒温中保温6小时，使溶液形成胶体，然后在100°c的恒温中保温2小时，变为干凝胶。将干凝胶在750°c的大气中煅烧2小时，得到ccto前驱粉体。接下来按照ccto/xtio2（x=0、0.5、1和2）的化学计量比精确称量ccto粉体、钛酸四丁酯和柠檬酸，并将它们置于乙醇中充分搅拌，形成悬浊液。液体经过磁力搅拌之后，再次放置于80°c的恒温中保温6小时，使溶液形成胶体，然后在100°c的恒温中保温2小时，变为干凝胶，最后在700°c的大气中煅烧2小时，得到ccto/tio2混合粉体。将粉体经过充分研磨后，在150mpa的压强下压制成片状，然后在1080°c下烧结10小时得到ccto/xtio2陶瓷，最后将陶瓷在950°c的氧气气氛中退火2小时。

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种电介质陶瓷的制备方法，尤其是涉及一种具有核‑壳结构的高介低损的钛酸铜钙基陶瓷的制备方法。解决了目前在降低CCTO陶瓷低频介电损耗时，其低频介电常数也大幅度降低的技术问题。一种制备核‑壳结构的高介低损钛酸铜钙基陶瓷的方法，包括如下步骤：（1）以硝酸钙、硝酸铜和钛酸四丁酯为原料，添加柠檬酸后利用溶胶‑凝胶法制备CCTO粉体；（2）按照CCTO/xTiO2的化学计量比称量CCTO粉体和钛酸四丁酯，添加柠檬酸后利用类溶胶‑凝胶法制备CCTO/TiO2混合粉体；（3）将混合粉体经过充分研磨后，在150 MPa的压强下压制成片状，然后在1080°C下烧结10小时得到CCTO/xTiO2陶瓷。

技术研发人员：郝文涛;孙礼;吴辉;王明文;杨帅;曹恩思;张雍家
受保护的技术使用者：太原理工大学
技术研发日：2017.06.12
技术公布日：2017.09.29