本实用新型涉及多晶硅铸锭领域，特别是涉及一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构。
背景技术：
现有多晶半熔技术是一种籽晶诱导生产方法，通过在坩埚底部预先铺设一层20mm厚的籽晶层，籽晶直径5-10mm，化料结束时中心保留约15mm厚的籽晶，然后在籽晶上开始长晶，这种方法可以得到大量细小均匀的晶粒，生成大量晶界，以达到用晶界控制位错的目的。但是现有多晶炉五面或者六面加热，边部加热器靠近石墨坩埚护板，而石墨的导热系数较大，热量通过石墨护板传导给坩埚，化料时边部温度过高，边部较中心位置化得多，这样虽然中心留有的籽晶高度达到要求，但是边部籽晶化完，自发形核生成的晶粒较大，大晶粒的晶界较少，不能有效控制位错。
不足之处是化料时不能对边部有效隔热，导致边部籽晶容易化完，后续长晶不能很好地形成均匀细小的晶粒，不能控制位错，对硅片的性能产生不利的影响。长晶时不能有效保温，使边部容易过冷，液面高于其他位置，这就会导致边角晶砖的柱状晶向晶锭中心倾斜。
技术实现要素：
本实用新型针对上述技术问题，克服现有技术的缺点，提供一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构，使定向凝固块的温度更均匀，使得固液界面更平滑。
为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构，包括石墨护板、石墨底板和定向凝固块，石墨底板设于石墨护板下方，定向凝固块设于石墨底板下方，还包括导热系数低于0.08W/(m·K)的隔热保温软毡，隔热保温软毡设于石墨护板、石墨底板和定向凝固块侧面，且隔热保温软毡从定向凝固块下方延伸至石墨护板上。
技术效果：本实用新型采用导热系数更低的软毡，适用于G6、G7和G8铸锭炉，使用时安装在坩埚护板外侧，并延伸到石墨底板以下，使得定向凝固块更均匀，使得固液界面更平滑。
本实用新型进一步限定的技术方案是：
进一步的，隔热保温软毡的顶部与石墨底板的底部之间的距离为125-135mm。
前所述的一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构，隔热保温软毡的底部与石墨底板的底部之间的距离为145-155mm。
前所述的一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构，隔热保温软毡的高度为280mm。
前所述的一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构，隔热保温软毡的顶部与石墨底板的底部之间的距离为130mm，隔热保温软毡的底部与石墨底板的底部之间的距离为150mm。
本实用新型的有益效果是：
（1）本实用新型在化料时能防止热量直接通过石墨护板传到给坩埚，起到隔热的作用，化料过程四周温度不会过高，有效保留籽晶，这样可以改善边部的晶粒；
（2）本实用新型长晶时热量的大量散失起到保温作用，固液界面较为平滑，边角晶砖的柱状晶倾斜角度减小。
附图说明
图1为本实施例的隔热保温软毡结构示意图；
其中：1、石墨护板；2、石墨底板；3、定向凝固块；4、隔热保温软毡。
具体实施方式
本实施例提供的一种用于高效多晶硅铸锭炉侧部隔热保温结构，结构如图所示。
该软毡适用于G7铸锭炉，包括石墨护板1、石墨底板2和定向凝固块3，石墨底板2设于石墨护板1下方，定向凝固块3设于石墨底板2下方。还包括导热系数低于0.08W/(m·K)的隔热保温软毡4，隔热保温软毡4设于石墨护板1、石墨底板2和定向凝固块3侧面，且隔热保温软毡4从定向凝固块3下方延伸至石墨护板1上。隔热保温软毡4长1190mm，厚5mm，高度为280mm，隔热保温软毡4的顶部与石墨底板2的底部之间的距离为130mm，隔热保温软毡4的底部与石墨底板2的底部之间的距离为150mm。
隔热保温软毡4延伸到石墨底板2以下，使得定向凝固块3的温度更加均匀，使得固液界面更平滑。化料时能防止热量直接通过石墨护板1传导给坩埚，起到隔热的作用，化料过程四周温度不会过高，有效保留籽晶，这样可以改善边部的晶粒，边部晶粒直径由5-10mm降低到3mm以下。长晶时热量的大量散失起到保温的作用，固液界面较为平滑，边角晶砖的柱状晶倾斜角度由30-40°降低到10-15°。
此外，上述隔热保温结构同样能够适应G6和G8多晶硅铸锭炉的侧部隔热保温要求，应用范围广，实用性强，效果显著。
除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式；凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。