一种视窗显示防护玻璃盖板的制作方法

文档序号:15483832发布日期:2018-09-18 23:26阅读:502来源:国知局

本实用新型涉及玻璃盖板技术领域,特别是涉及一种视窗显示防护玻璃盖板。



背景技术:

目前,液晶显示器得到广泛应用,一般的液晶显示器和液晶电视机前面都没有加装前档防护玻璃,表面很容易被外力划伤破坏,并且视角小,还容易受到紫外光线的伤害,通过在一视窗显示器前面加装视窗显示防护玻璃盖板,此缺点就会被克服掉,它不仅保护了液晶显示器而且还有效改善了人们的视觉享受同时也保护了人们的眼睛。



技术实现要素:

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种视窗显示防护玻璃盖板。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:

一种视窗显示防护玻璃盖板,包括电子级玻璃基片和在玻璃基片表面设置的功能膜系,功能膜系由玻璃表面依次向外排列:第一层为SiO2膜层,第二层为Nb2O5膜层,第三层为SiO2膜层,第四层为Nb2O5膜层,第五层、第六层为SiO2膜层,第七层、第八层为Nb2O5膜层。第九层为SiO2膜层。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第一层为SiO2膜层,溅射沉积厚度20nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率20kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温度200℃。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第二层为Nb2O5膜层,溅射沉积厚度10nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度3x10-3pa,溅射功率12kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温度250℃。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第三层为SiO2膜层,溅射沉积厚度15nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率18kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温300℃。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第四层为Nb2O5膜层,溅射沉积厚度10nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度3x10-3pa,溅射功率15kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温度300℃。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第五层、所述第六层为SiO2膜层,溅射沉积厚度分别为10nm和15nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率分别是12kw和18kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温250℃。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第七层、所述第八层为Nb2O5膜层,溅射沉积厚度分别为15nm和10nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度3x10-3pa,溅射功率分别20kw和15kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温200℃。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,所述第九层为SiO2膜层,溅射沉积厚度20nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率25kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温150℃。

本实用新型的有益效果在于:通过在电子玻璃表面设置功能膜系,实现了可见光高透过视窗显示图像更加清晰,不失真,阻挡了紫外光对人们眼睛的伤害,同时也对液晶显示器起到保护作用。

附图说明

图1是本实用新型一种视窗显示防护玻璃盖板的主视图。

附图标记说明如下:

1、第一层;2、第二层;3、第三层;4、第四层;5、第五层;6、第六层;7、第七层;8、第八层;9、第九层;10、电子级玻璃基片。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明:

如图1所示,一种视窗显示防护玻璃盖板,包括电子级玻璃基片10和在玻璃基片表面设置的功能膜系,功能膜系由玻璃表面依次向外排列:第一层1为SiO2膜层,第二层2为Nb2O5膜层,第三层3为SiO2膜层,第四层4为Nb2O5膜层,第五层5、第六层6为SiO2膜层,第七层7、第八层8为Nb2O5膜层。第九层9为SiO2膜层。

为了进一步提高视窗显示防护玻璃盖板的使用功能,第一层1为SiO2膜层,溅射沉积厚度20nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率20kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温度200℃,第二层2为Nb2O5膜层,溅射沉积厚度10nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度3x10-3pa,溅射功率12kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温度250℃,第三层3为SiO2膜层,溅射沉积厚度15nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率18kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温300℃,第四层4为Nb2O5膜层,溅射沉积厚度10nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度3x10-3pa,溅射功率15kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温度300℃,第五层5、第六层6为SiO2膜层,溅射沉积厚度分别为10nm和15nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率分别是12kw和18kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温250℃,第七层7、第八层8为Nb2O5膜层,溅射沉积厚度分别为15nm和10nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度3x10-3pa,溅射功率分别20kw和15kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温200℃,第九层9为SiO2膜层,溅射沉积厚度20nm,溅射工作气体Ar流量150ml/min,反应气体O2流量200ml/min,采用中频磁控溅射工艺,本底真空度2x10-3pa,溅射功率25kw,玻璃基片装置移动速率2.5m/min,加热温150℃。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其效物界定。

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