本实用新型涉及镀膜玻璃技术领域，具体而言，涉及一种免去边可钢化低辐射镀膜玻璃。
背景技术：
目前，传统工艺生产的低辐射镀膜玻璃由于膜层致密度不够以及对银膜的保护不充分都存在银膜层遇空气易氧化，裸露放置超过72小时节能性能就会失效，实现不了耐700℃高温钢化功能，进一步加工需要把玻璃边部的低辐射膜去边处理，导致生产成本提高及降低生产效率等一系列问题，极大地制约了低辐射镀膜玻璃后续合成夹胶、中空等进一步深加工的应用。因此，提供一种免去边膜层不氧化及耐700℃高温钢化后膜层节能性能不失效的低辐射镀膜玻璃具有非常重要的意义。
技术实现要素：
本实用新型为了解决现有技术存在的膜层易氧化及无法耐700℃高温钢化的技术问题，提供一种免去边膜层不氧化及耐700℃高温钢化后膜层节能性能不失效的低辐射镀膜玻璃。为达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案如下：
一种免去边可钢化低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基体，其特征在于:由玻璃基体向外依次包括：第一氮化硅膜层、氧化锌膜层、第一金属钛膜层、银膜层、第二金属钛膜层、第二氮化硅膜层、氧化锆膜层。
进一步地，所述第一氮化硅膜层的厚度为30-40nm。
进一步地，所述氧化锌膜层的厚度为10-20nm。
进一步地，所述第一金属钛膜层的厚度为8-15nm。
进一步地，所述银膜层的厚度为10-15nm。
进一步地，所述第二金属钛膜层的厚度为8-15nm。
进一步地，所述第二氮化硅膜层的厚度为40-50nm。
进一步地，所述氧化锆膜层的厚度为5-10nm。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型采用的氧化锌膜层表面结晶颗粒小膜层致密可以有效的阻挡玻璃本体中的氧离子扩散到银膜中氧化银膜；采用的氧化锆膜层表面平整光滑膜层致密可以有效的阻挡空气中的氧离子扩散到银膜中氧化银膜；采用的上下两层氮化硅膜层为耐高温隔热材质能抵挡700℃高温灼烧膜层属性不发生变化；采用的银膜上下两层金属钛膜三明治结构可有效阻隔银膜与引起银膜氧化的其它物质的接触，起到良好的抗氧化功能；
本实用新型的各个膜层厚度经过反复实验得出，这样的厚度设置，既能够达到应有的效果，又能够节省膜层材料，降低成本，后续深加工无需再进行去边处理，提高生产效率。
附图说明
图1为本实用新型玻璃结构示意图；
图中：1-璃基体，2-第一氮化硅膜层，3-氧化锌膜层，4-第一金属钛膜层，5-银膜层，6-第二金属钛膜层，7-第二氮化硅膜层，8-氧化锆膜层。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的免去边可钢化低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基体1，为6mm的浮法白玻，由玻璃基体1向外依次包括：第一氮化硅膜层2、氧化锌膜层3、第一金属钛膜层4、银膜层5、第二金属钛膜层6、第二氮化硅膜层7、氧化锆膜层8。
实施例1：
本实施例各膜层沉积的厚度如下：
第一氮化硅膜层2的厚度为30nm，氧化锌膜层3的厚度为10nm，第一金属钛膜层4的厚度为8nm，银膜层5的厚度为10nm，第二金属钛膜层6的厚度为8nm，第二氮化硅膜层7的厚度为40nm，氧化锆膜层8的厚度为5nm。
制备上所述的一种免去边可钢化低辐射镀膜玻璃，采用离线真空磁控溅射技术，包括以下步骤：
（1）对玻璃基体1进行清洗、干燥；
（2）预真空过渡；
（3）在玻璃基体1上镀厚度为30nm的第一氮化硅膜层2，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气700SCCM氮气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为38KW；
（4）在第一氮化硅膜层2上镀厚度为10nm的氧化锌膜层3，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气600SCCM氧气1000SCCM氛围中溅射沉积，功率为17KW；
（5）在氧化锌膜层3上镀厚度为8nm的第一金属钛膜层4，镀该膜层时，采用直流电源加平面阴极在氩气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为5KW；
（6）在第一金属钛膜层4上镀厚度为10nm的银膜层5，镀该膜层时，采用直流电源在氩气300SCCM氛围中溅射沉积，功率为2.5KW；
（7）在银膜层5上镀厚度为8nm的第二金属钛膜层6，镀该膜层时，采用直流电源加平面阴极在氩气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为4KW；
（8）在第二金属钛膜层6上镀厚度为40nm的第二氮化硅膜层7，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气700SCCM氮气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为50KW；
（9）在第二氮化硅膜层7上镀厚度为5nm的氧化锆膜层8，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气600SCCM氧气1000SCCM氛围中溅射沉积，功率为10KW；
（10）预真空过渡；
（11）成品检测。
镀膜完成后此玻璃经700℃高温钢化及7周高温高湿试验，玻璃无可视的针孔、氧化等外观缺陷，无颜色、热学参数变化，获得了预期理想的耐高温及抗氧化功能。
实施例2：
本实施例各膜层沉积的厚度如下：
第一氮化硅膜层2的厚度为35nm，氧化锌膜层3的厚度为15nm，第一金属钛膜层4的厚度为12nm，银膜层5的厚度为12nm，第二金属钛膜层6的厚度为12nm，第二氮化硅膜层7的厚度为45nm，氧化锆膜层8的厚度为8nm。
制备上所述的一种免去边可钢化低辐射镀膜玻璃，采用离线真空磁控溅射技术，包括以下步骤：
（1）对玻璃基体1进行清洗、干燥；
（2）预真空过渡；
（3）在玻璃基体1上镀厚度为35nm的第一氮化硅膜层2，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气700SCCM氮气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为38KW；
（4）在第一氮化硅膜层2上镀厚度为15nm的氧化锌膜层3，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气600SCCM氧气1000SCCM氛围中溅射沉积，功率为17KW；
（5）在氧化锌膜层3上镀厚度为12nm的第一金属钛膜层4，镀该膜层时，采用直流电源加平面阴极在氩气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为5KW；
（6）在第一金属钛膜层4上镀厚度为12nm的银膜层5，镀该膜层时，采用直流电源在氩气300SCCM氛围中溅射沉积，功率为2.5KW；
（7）在银膜层5上镀厚度为12nm的第二金属钛膜层6，镀该膜层时，采用直流电源加平面阴极在氩气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为4KW；
（8）在第二金属钛膜层6上镀厚度为45nm的第二氮化硅膜层7，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气700SCCM氮气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为50KW；
（9）在第二氮化硅膜层7上镀厚度为8nm的氧化锆膜层8，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气600SCCM氧气1000SCCM氛围中溅射沉积，功率为10KW；
（10）预真空过渡；
（11）成品检测。
镀膜完成后此玻璃经700℃高温钢化及7周高温高湿试验，玻璃无可视的针孔、氧化等外观缺陷，无颜色、热学参数变化，获得了预期理想的耐高温及抗氧化功能。
实施例3：
本实施例各膜层沉积的厚度如下：
第一氮化硅膜层2的厚度为40nm，氧化锌膜层3的厚度为20nm，第一金属钛膜层4的厚度为15nm，银膜层5的厚度为15nm，第二金属钛膜层6的厚度为15nm，第二氮化硅膜层7的厚度为50nm，氧化锆膜层8的厚度为10nm。
制备上所述的一种免去边可钢化低辐射镀膜玻璃，采用离线真空磁控溅射技术，包括以下步骤：
（1）对玻璃基体1进行清洗、干燥；
（2）预真空过渡；
（3）在玻璃基体1上镀厚度为40nm的第一氮化硅膜层2，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气700SCCM氮气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为38KW；
（4）在第一氮化硅膜层2上镀厚度为20nm的氧化锌膜层3，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气600SCCM氧气1000SCCM氛围中溅射沉积，功率为17KW；
（5）在氧化锌膜层3上镀厚度为15nm的第一金属钛膜层4，镀该膜层时，采用直流电源加平面阴极在氩气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为5KW；
（6）在第一金属钛膜层4上镀厚度为15nm的银膜层5，镀该膜层时，采用直流电源在氩气300SCCM氛围中溅射沉积，功率为2.5KW；
（7）在银膜层5上镀厚度为15nm的第二金属钛膜层6，镀该膜层时，采用直流电源加平面阴极在氩气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为4KW；
（8）在第二金属钛膜层6上镀厚度为50nm的第二氮化硅膜层7，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气700SCCM氮气500SCCM氛围中溅射沉积，功率为50KW；
（9）在第二氮化硅膜层7上镀厚度为10nm的氧化锆膜层8，镀该膜层时，采用中频电源加旋转阴极在氩气600SCCM氧气1000SCCM氛围中溅射沉积，功率为10KW；
（10）预真空过渡；
（11）成品检测。
镀膜完成后此玻璃经700℃高温钢化及7周高温高湿试验，玻璃无可视的针孔、氧化等外观缺陷，无颜色、热学参数变化，获得了预期理想的耐高温及抗氧化功能。
本实用新型的第一氮化硅膜层2，具有耐高温隔热性，保护其它膜层在高温的玻璃基体1上不发生膜层属性变化；氧化锌膜层3，表面结晶颗粒小膜层致密，可以有效的阻挡玻璃本体中的氧离子扩散到银膜中氧化银膜；第一金属钛膜层4，为避免银膜与下层引起银膜氧化的物质相接触提供隔断，并为银膜层5提供成膜生长平台；银膜层5，对紫外光、近红外光和远红外光都有非常高的反射特性，属于低辐射镀膜玻璃的核心功能层，降低玻璃的辐射率值以达到隔热保温功能；第二金属钛膜层6，为避免银膜与上层引起银膜氧化的物质相接触提供隔断；第二氮化硅膜层7，具有耐高温隔热性，保护其它膜层在高温的空气环境中不发生膜层属性变化；氧化锆膜层8，表面平整光滑膜层致密可以有效的阻挡空气中的氧离子扩散到银膜中氧化银膜，是提高抗氧化性的核心，另外对提高镀膜玻璃的机械强度，改善加工性能也有很大的促进作用。
本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。