本实用新型属于多晶硅熔化技术领域，特别是涉及一种籽晶铸锭装料结构。
背景技术：
目前籽晶铸锭领域多采取籽晶半熔铸锭，此铸锭工艺的熔化过程需要不断的通过石英棒试探未熔化部分高度，以此来保证底部留有一定的籽晶高度并将整个熔化过程控制在合理的时间范围内。
由于每个熔化炉的装料结构都存在差异，现有的铺设方法无法精确控制每个熔化炉内炉台的熔化速率，而且装料结构中常常产生缝隙，导致在测熔化速率时石英棒的高度会有较大的偏差。
技术实现要素：
为解决上述问题，本实用新型提供了一种籽晶铸锭装料结构，能够避免硅料之间产生间隙，并能够对熔化阶段的速率进行精确管控，并有效控制籽晶预留高度。
为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种籽晶铸锭装料结构，包括
容纳腔；
籽晶层，设置在所述容纳腔底部；
晶块尾料层，设置在所述籽晶层上；
定位层，设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处；
所述定位层为竖直放置的晶硅块料；
硅小料层，设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中，且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上。
优选的，还包括原生硅料层，所述原生硅料层设置在所述硅料层上方。
优选的，还包括硅颗粒层，所述硅颗粒层设置在所述原生硅料层上。
优选的，所述晶硅块料设置为长方体形状或圆柱体形状。
通过上述描述可知，本实用新型提供的一种籽晶铸锭装料结构，包括容纳腔；籽晶层，设置在所述容纳腔底部；晶块尾料层，设置在所述籽晶层上；定位层，设置在所述晶块尾料层上且位于所述容纳腔中心处；所述定位层为竖直放置的晶硅块料；硅小料层，设置在所述晶块尾料层和所述定位层之间的预留空间中，且所述硅小料层顶部与所述定位层顶部处于同一水平面上；因此能够对熔化阶段的速率进行精确管控，使得每个炉台间熔化速率保持一致性，以便于进行数据的统计分析，找到最优的熔化速率范围从而有效控制籽晶预留高度。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种籽晶铸锭装料结构的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种籽晶铸锭装料结构的结构示意图。
附图标记：1-容纳腔，2-籽晶层，3-晶块尾料层，4-定位层，5-硅小料层，6-原生硅料层，7-硅颗粒层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1-2所示，图1为本申请实施例提供的一种籽晶铸锭装料结构的结构示意图；图2为本申请实施例提供的另一种籽晶铸锭装料结构的结构示意图。
如图1所示，本申请实施例提供的一种籽晶铸锭装料结构，包括容纳腔1；
籽晶层2，设置在所述容纳腔1底部；
晶块尾料层3，设置在所述籽晶层2上；
定位层4，设置在所述晶块尾料层3上且位于所述容纳腔1中心处；
所述定位层4为竖直放置的晶硅块料；
硅小料层5，设置在所述晶块尾料层3和所述定位层4之间的预留空间中，且所述硅小料层5顶部与所述定位层4顶部处于同一水平面上。
具体的，在容纳腔1底部铺设一层籽晶层2，然后在籽晶层2上利用硅晶块尾料铺设一层密排的晶块尾料层3，以压实隔离籽晶层2，然后再晶块尾料层3上容纳腔1的中心处，竖直放置定位层4，以对晶块尾料层3以上的容纳腔1空间进行定位分割，最后将硅小料层5添加到定位层4和晶块尾料层3之间的预留空间中，直至硅小料层5添加至于定位层4顶部处于同一水平面上，起到保温功能的同时，以阻挡热量向下传递，从而降低底部温度，起到保护底部籽晶的作用。
容纳腔1用以容纳籽晶和其他硅料，这里需要说明的是，容纳腔1可以是坩埚，也可以是其他容器，只要能够达到相同的技术效果即可，通过在籽晶层2上铺设晶块尾料层3已对籽晶层2进行压实，同时也可以将上层的硅料溶液阻挡在晶块尾料层3上，晶块尾料层3可以交错放置多层，也可以密封设置一层，只要能起到密封隔离底部籽晶层2的作用即可，定位层4为竖直放置的晶硅块料，并设置在晶块尾料层3上且位于容纳腔1中心处，然后再添加硅小料层5，从而以定位层4为中心，圆周型铺展硅小料层5，以适应容纳腔1的各种结构的同时使得硅料的铺展之间不存在缝隙，避免在测熔化速率时石英棒的高度产生较大的偏差，这里需要说明的是，硅小料层5可以是硅块小料，也可以是硅颗粒，只要能够填充预留的空间起到密封保护底层籽晶的作用即可。
通过以上说明可知，本申请实施例提供的第一种籽晶铸锭装料结构由于包括容纳腔1；籽晶层2，设置在所述容纳腔1底部；晶块尾料层3，设置在所述籽晶层2上；定位层4，设置在所述晶块尾料层3上且位于所述容纳腔1中心处；所述定位层4为竖直放置的晶硅块料；硅小料层5，设置在所述晶块尾料层3和所述定位层4之间的预留空间中，且所述硅小料层5顶部与所述定位层4顶部处于同一水平面上，因此能够避免硅料之间产生间隙，并能够对熔化阶段的速率进行精确管控，使得每个炉台间熔化速率保持一致性，以便于进行数据的统计分析，找到最优的熔化速率范围从而有效控制籽晶预留高度。
进一步的，如图2所示，本申请实施例提供的另一种籽晶铸锭装料结构，还包括原生硅料层6和硅颗粒层7，所述原生硅料层6设置在所述硅料层上方，所述硅颗粒层7设置在所述原生硅料层6上。
原生硅料层6的铺设以增加对定位层4和底部籽晶层2的保护，硅颗粒层7可以为硅块小料也可以是硅颗粒料，以对容纳腔1进行填充并对底层籽晶层2进行保护，这里需要说明的是原生硅料层6和硅颗粒层7的铺设可以根据实际情况交替着多层铺设，直至铺设到容纳腔1顶部。
进一步的，所述晶硅块料设置为长方体形状或圆柱体形状。
长方体形状或圆柱体形状的晶硅块料在日常生产中的回收料或者边皮料中很容易找到，特别是长方体形状的硅料，当然也可以是其他形状的块料，只要能够保证在容纳腔1底部中心处起到定位的作用即可。
因此本实用新型的籽晶铸锭装料结构，能够避免硅料之间产生间隙，并能够对熔化阶段的速率进行精确管控，并有效控制籽晶预留高度。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。