技术总结
本实用新型用于化合物半导体多晶料成型的装置，属于半导体材料制造技术领域，基于高压合成化合物半导体的合成炉，关键在于：该装置包括增设在熔炉炉腔内的成型模具及定位在成型模具上的升降杆，升降杆穿过炉顶盖连接配套升降驱动机构，成型模具设置在盛装合成熔体的坩埚上方，并分布有下端开口的成型腔，借助升降杆和配套升降驱动机构，成型模具下降至坩埚内、合成熔体从下端开口充入成型腔内、降温凝固为与成型腔匹配的多晶料。该装置不仅可控制多晶料的形状规格，提高其利用率，还提高了生产效率、保证了材料纯度。
技术研发人员：付莉杰;孙聂枫;孙同年
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2017.12.08
技术公布日：2018.07.10