本实用新型涉及半导体金属DEP的异常处理技术领域，尤其涉及一种半导体金属DEP的异常处理装置。
背景技术：
金属DEP中有三种常见异常会导致晶片报废：ALCU DEP后超过10MIN没有进冷却箱腔冷却，会导致CU析出，造成金属刻蚀后金属残留，影响金属梳子，窟问题，进而造成报废；TI和ALCU在DEP后不能暴露在空气中，但是有些时候由于设备ALARM等异常原因，导致金属DEP在TI或者ALCU DEP中或者DEP后中断，只能卸载出设备，暴露在空气中，每年都会报废约50～60片晶片；DEP完金属的晶片，如果发现金属膜下或者膜内缺陷OOS，通常也会报废。
针对上述三种常见异常导致的晶片报废，我们提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置，用于解决上述才提出的问题。
技术实现要素：
基于背景技术存在的技术问题，本实用新型提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置。
本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体，所述处理装置主体上设有腔室，所述腔室的底部内壁上固定安装有反应池，所述腔室的顶部内壁上开设有嵌入槽，所述嵌入槽的顶部内壁上固定安装有步进电机，所述步进电机的输出轴上焊接有第一连接轴，所述第一连接轴的底端焊接有转盘，所述转盘的底部一侧开设有第一凹槽，所述第一凹槽的两侧内壁上均焊接有固定块，两个固定块相互靠近的一侧均开设有通槽，且两个通槽内放置有同一个燃烧器，所述燃烧器的两侧均开设有对称设置的活动槽，且活动槽的一侧内壁上固定安装有齿条，所述通槽的两侧内壁上均开设有安装槽，所述安装槽远离安装槽槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机，所述第一驱动电机的输出轴上焊接有第二连接轴，所述第二连接轴远离第一驱动电机的一端延伸至通槽内并焊接有齿轮，且齿轮延伸至活动槽内并与齿条相啮合，所述燃烧器的底部焊接有喷火嘴，所述转盘的底部另一侧开设有第二凹槽，且第二凹槽的顶部内壁上开设有通孔，所述转盘的顶部固定安装有第二驱动电机，所述第二驱动电机的输出轴上焊接有第三连接轴，且第三连接轴的底端贯穿通孔并焊接有推杆电机，所述推杆电机转动安装在第二凹槽内，所述推杆电机的输出轴上焊接有连接杆，且连接杆的底端延伸至腔室内并焊接有圆盘，所述圆盘的底部四周焊接有多个搅拌棒。
优选的，所述步进电机的顶部焊接有第一固定板，且第一固定板的四角位置均开设有第一螺栓孔，所述第一螺栓孔内螺纹连接有第一螺栓，所述步进电机通过第一螺栓孔和第一螺栓固定安装在嵌入槽的顶部内壁上。
优选的，所述第一驱动电机的一侧焊接有第二固定板，所述第二固定板的四角位置均开设有第二螺栓孔，所述第二螺栓孔内螺纹连接有第二螺栓，所述第一驱动电机通过第二螺栓孔和第二螺栓固定安装在安装槽远离安装槽槽口的一侧内壁上。
优选的，所述腔室为压力腔室，且腔室内的压力比外界压力大。
优选的，所述通孔的内壁上焊接有轴承，且第三连接轴贯穿轴承并与轴承的内圈相焊接。
优选的，所述推杆电机的顶部焊接有弧形滑块，且第二凹槽的顶部内壁上设有环形滑轨，所述弧形滑块与环形滑轨滑动连接。
优选的，所述通槽的内壁上设有密封圈，且燃烧器通过密封圈滑动安装在通槽内。
优选的，所述喷火嘴的底部延伸至腔室内并位于反应池的正上方，且多个搅拌棒均位于反应池的上方。
优选的，所述搅拌棒的数量为五到七个，且五到七个搅拌棒呈环形等间距分布在圆盘的底部四周。
优选的，所述第二驱动电机的底部焊接有第三固定板，且第三固定板通过自攻丝固定安装在转盘的顶部，所述第二驱动电机的输出轴贯穿第三固定板并与第三连接轴相焊接。
本实用新型的有益效果是：通过处理装置主体、腔室、反应池、嵌入槽、第一固定板、步进电机、第一连接轴和转盘相配合，步进电机可以带动第一连接轴进行转动，从而使得转盘进行转动，通过第一凹槽、固定块、通槽、燃烧器、活动槽、齿条、安装槽、第二固定板、第一驱动电机、第二连接轴、齿轮和喷火嘴相配合，第一驱动电机可以带动第二连接轴进行转动，并通过第二连接轴带动齿轮进行转动，齿轮与齿条相啮合，从而使得第一驱动电机带动燃烧器进行上下移动，通过第二凹槽、通孔、第二驱动电机、第三连接轴、推杆电机、连接杆、圆盘和搅拌棒相配合，推杆电机可以带动连接杆进行上下移动，使得搅拌棒可以进行上下移动，并通过第二驱动电机可以带动推杆电机进行旋转，从而可以对反应池内的溶液进行搅拌。
本实用新型使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的结构示意图；
图2为本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的A结构放大图；
图3为本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的A结构仰视图；
图4为本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的B结构放大图；
图5为本实用新型提出的一种半导体金属DEP的异常处理装置的局部结构侧视图。
附图标记说明：
1处理装置主体 2腔室 3反应池
4嵌入槽 5第一固定板 6步进电机
7第一连接轴 8转盘 9第一凹槽
10固定块 11通槽 12燃烧器
13活动槽 14齿条 15安装槽
16第二固定板 17第一驱动电机 18第二连接轴
19齿轮 20喷火嘴 21第二凹槽
22通孔 23第二驱动电机 24第三连接轴
25推杆电机 26连接杆 27圆盘
28搅拌棒
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步解说。
实施例
参考图1-5，本实施例中提出了一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体1，处理装置主体1上设有腔室2，腔室2的底部内壁上固定安装有反应池3，腔室2的顶部内壁上开设有嵌入槽4，嵌入槽4的顶部内壁上固定安装有步进电机6，步进电机6的输出轴上焊接有第一连接轴7，第一连接轴7的底端焊接有转盘8，转盘8的底部一侧开设有第一凹槽9，第一凹槽9的两侧内壁上均焊接有固定块10，两个固定块10相互靠近的一侧均开设有通槽11，且两个通槽11内放置有同一个燃烧器12，燃烧器12的两侧均开设有对称设置的活动槽13，且活动槽13的一侧内壁上固定安装有齿条14，通槽11的两侧内壁上均开设有安装槽15，安装槽15远离安装槽15槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机17，第一驱动电机17的输出轴上焊接有第二连接轴18，第二连接轴18远离第一驱动电机17的一端延伸至通槽11内并焊接有齿轮19，且齿轮19延伸至活动槽13内并与齿条14相啮合，燃烧器12的底部焊接有喷火嘴20，转盘8的底部另一侧开设有第二凹槽21，且第二凹槽21的顶部内壁上开设有通孔22，转盘8的顶部固定安装有第二驱动电机23，第二驱动电机23的输出轴上焊接有第三连接轴24，且第三连接轴24的底端贯穿通孔22并焊接有推杆电机25，推杆电机25转动安装在第二凹槽21内，推杆电机25的输出轴上焊接有连接杆26，且连接杆26的底端延伸至腔室2内并焊接有圆盘27，圆盘27的底部四周焊接有多个搅拌棒28，在处理装置主体1、腔室2、反应池3、嵌入槽4、第一固定板5、步进电机6、第一连接轴7和转盘8的配合下，步进电机6可以带动第一连接轴7进行转动，从而使得转盘8进行转动，在第一凹槽9、固定块10、通槽11、燃烧器12、活动槽13、齿条14、安装槽15、第二固定板16、第一驱动电机17、第二连接轴18、齿轮19和喷火嘴20的配合下，第一驱动电机17可以带动第二连接轴18进行转动，并利用第二连接轴18带动齿轮19进行转动，齿轮19与齿条14相啮合，从而使得第一驱动电机17带动燃烧器12进行上下移动，在第二凹槽21、通孔22、第二驱动电机23、第三连接轴24、推杆电机25、连接杆26、圆盘27和搅拌棒28的配合下，推杆电机25可以带动连接杆26进行上下移动，使得搅拌棒28可以进行上下移动，并利用第二驱动电机23可以带动推杆电机25进行旋转，从而可以对反应池3内的溶液进行搅拌，本实用新型使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。
本实施例中，步进电机6的顶部焊接有第一固定板5，且第一固定板5的四角位置均开设有第一螺栓孔，第一螺栓孔内螺纹连接有第一螺栓，步进电机6通过第一螺栓孔和第一螺栓固定安装在嵌入槽4的顶部内壁上，第一驱动电机17的一侧焊接有第二固定板16，第二固定板16的四角位置均开设有第二螺栓孔，第二螺栓孔内螺纹连接有第二螺栓，第一驱动电机17通过第二螺栓孔和第二螺栓固定安装在安装槽15远离安装槽15槽口的一侧内壁上，腔室2为压力腔室，且腔室2内的压力比外界压力大，通孔22的内壁上焊接有轴承，且第三连接轴24贯穿轴承并与轴承的内圈相焊接，推杆电机25的顶部焊接有弧形滑块，且第二凹槽21的顶部内壁上设有环形滑轨，弧形滑块与环形滑轨滑动连接，通槽11的内壁上设有密封圈，且燃烧器12通过密封圈滑动安装在通槽11内，喷火嘴20的底部延伸至腔室2内并位于反应池3的正上方，且多个搅拌棒28均位于反应池3的上方，搅拌棒28的数量为五到七个，且五到七个搅拌棒28呈环形等间距分布在圆盘27的底部四周，第二驱动电机23的底部焊接有第三固定板，且第三固定板通过自攻丝固定安装在转盘8的顶部，第二驱动电机23的输出轴贯穿第三固定板并与第三连接轴24相焊接，在处理装置主体1、腔室2、反应池3、嵌入槽4、第一固定板5、步进电机6、第一连接轴7和转盘8的配合下，步进电机6可以带动第一连接轴7进行转动，从而使得转盘8进行转动，在第一凹槽9、固定块10、通槽11、燃烧器12、活动槽13、齿条14、安装槽15、第二固定板16、第一驱动电机17、第二连接轴18、齿轮19和喷火嘴20的配合下，第一驱动电机17可以带动第二连接轴18进行转动，并利用第二连接轴18带动齿轮19进行转动，齿轮19与齿条14相啮合，从而使得第一驱动电机17带动燃烧器12进行上下移动，在第二凹槽21、通孔22、第二驱动电机23、第三连接轴24、推杆电机25、连接杆26、圆盘27和搅拌棒28的配合下，推杆电机25可以带动连接杆26进行上下移动，使得搅拌棒28可以进行上下移动，并利用第二驱动电机23可以带动推杆电机25进行旋转，从而可以对反应池3内的溶液进行搅拌，本实用新型使用方便，通过对CU析出晶片的退火，每年平均减少800片由于ALCU空闲的引起的WAT参数异常，且可以极大的减少金属DEP异常引起的报废，通过对金属DEP异常晶片的返工，每年平均减少大约70片的晶片报废，可节省20万元左右的成本。
本实施例中，当晶片出现异常时，将晶片放置进腔室2内的反应池3内，然后利用燃烧器12对其进行煅烧，通过第一驱动电机17将燃烧器12调整至合适的位置，再利用喷火嘴20喷出火焰将晶片融化，然后启动步进电机6，利用步进电机6带动转盘8进行转动，使得搅拌棒28位于反应池3的正上方，然后启动推杆电机25，利用推杆电机25带动搅拌棒28进行移动，并使得搅拌棒28移动至反应池3内，然后启动第二驱动电机23，利用第二驱动电机23带动推杆电机25进行旋转，从而使得推杆电机25带动搅拌棒28进行旋转，并利用搅拌棒28对晶片溶液进行搅拌，使得析出的CU再重新退火回ALCU里面，完成处理，针对第二种和第三种异常的处理，将已经DEP的金属拔掉，重新DEP金属，即可完成处理。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。