1.一种介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法包括：将反应性官能团附着到钙钛矿结构的基体材料粉末颗粒的表面的步骤。
2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述基体材料粉末颗粒包括(ba1-xcax)m(ti1-yzry)o3(0≤x≤1，0.995≤m≤1.010，0≤y≤1)、pbtio3和srtio3中的一种或更多种。
3.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述反应性官能团是选自于由环氧基、氨基、羟基、羧基、(甲基)丙烯酰基和(甲基)丙烯酰氧基组成的组中的一种或更多种。
4.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法还包括将附着有所述反应性官能团的所述基体材料粉末颗粒和扩散型添加剂混合的步骤。
5.根据权利要求4所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂与所述基体材料粉末颗粒形成固溶体。
6.根据权利要求4所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂包括：
第一子组分，包括选自于由y、dy、ho、er、gd、ce、nd、sm、tb、tm、la、yb、它们的氧化物和它们的碳酸盐组成的组中的一种或更多种；以及
第二子组分，包括选自于由mg、li、ti、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、sr、zr、ru、rh、pd、ag、cd、in、sn、sb、ta、w、pb、bi、v、nb、b、它们的氧化物和它们的碳酸盐组成的组中的一种或更多种。
7.根据权利要求4所述的介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法还包括对混合有所述扩散型添加剂的所述基体材料粉末颗粒执行热处理的步骤。
8.根据权利要求7所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述热处理在400℃至900℃的温度范围内执行。
9.根据权利要求7所述的介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法还包括将热处理后的基体材料粉末颗粒与包括第三子组分的非扩散型添加剂混合的步骤。
10.根据权利要求4所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂的层形成至距所述基体材料粉末颗粒的所述表面0.8nm至8.5nm的深度。
11.一种介电陶瓷组合物，所述介电陶瓷组合物包括：
钙钛矿结构的基体材料粉末颗粒；以及
扩散型添加剂，
其中，所述扩散型添加剂的浓度峰值层存在于距所述基体材料粉末颗粒的表面0.8nm至8.5nm的深度处。
12.根据权利要求11所述的介电陶瓷组合物，其中，所述扩散型添加剂包括第一子组分，所述第一子组分包括选自于由y、dy、ho、er、gd、ce、nd、sm、tb、tm、la、yb、它们的氧化物和它们的碳酸盐组成的组中的一种或更多种。
13.根据权利要求11所述的介电陶瓷组合物，其中，所述扩散型添加剂包括第二子组分，所述第二子组分包括选自于由mg、li、ti、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、sr、zr、ru、rh、pd、ag、cd、in、sn、sb、ta、w、pb、bi、v、nb、b、它们的氧化物和它们的碳酸盐组成的组中的一种或更多种。
14.根据权利要求11所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物的平均粒径d50在100nm至500nm的范围内。