1.一种电介质组合物，其中，
所述电介质组合物包含主相和ca-si-p-o偏析相，
所述主相包含以abo3表示的主成分，
所述a包含选自钙及锶中的至少任意一种，
所述b包含选自锆、钛、铪及锰中的至少任意一种，
所述ca-si-p-o偏析相中至少包含钙、硅及磷。
2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，
将所述ca-si-p-o偏析相中所包含的钙、锶、硅及磷的合计设为1摩尔份时，
在所述ca-si-p-o偏析相中，包含0.24～0.77摩尔份的钙，包含0.00～0.40摩尔份的锶，包含0.05～0.30摩尔份的硅，并且包含0.05～0.40摩尔份的磷。
3.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，
所述ca-si-p-o偏析相的晶系为斜方晶系。
4.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，
所述电介质组合物进一步包含ca-zr-o系偏析相。
5.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，
所述ca-si-p-o偏析相的圆当量直径为0.02～1μm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电介质组合物，其中，
以(所述ca-si-p-o偏析相的面积/所述主相的面积)×100％的式子表示的所述ca-si-p-o偏析相的面积比率为0.5～10％。
7.一种电子部件，其中，
具备权利要求1～6中任一项所述的电介质组合物。