一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置

本实用新型涉及化学气相沉积装置技术领域，具体为一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置。

背景技术：

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制，化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

但是目前现有的有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置具有以下缺陷：

（1）现有的有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置气体的输入量不够稳定，气相沉积的效果差。

（2）现有的有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的温度控制效果不够理想。

（3）现有的有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置的气相沉积的速度慢，不能满足生产的需求。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，包括储存壳体、柜门、反应器、加热套、滑槽a和滑槽c，所述储存壳体的前端面安装位置安装有隔板，所述隔板和储存壳体的内壁之间均通过铰链安装有柜门，所述储存壳体的上表面中心位置安装有安装板a，所述安装板a的上表面设置有滑槽b，所述滑槽b的内壁上安装有滑块a，所述滑块a的内壁上安装有螺纹杆，所述螺纹杆的一端安装在滑槽b一侧内壁的轴承内，所述螺纹杆的另一端穿过安装板a的另一侧外壁与手轮连接，所述滑块a的上表面安装有加热套，所述加热套的一侧内壁上安装有加热丝a，所述加热丝a的另一端安装有挡板a，且挡板a位于加热套的内部，所述挡板a的另一侧安装有加热丝b，所述加热丝b的另一端安装有挡板b，且挡板b位于加热套的内部，所述挡板b的另一侧安装有加热丝c，所述加热丝c的另一端安装在加热套另一侧的内壁上，所述加热套的内壁上安装有反应器，所述反应器的两端外壁上均安装有连接管，所述反应器的一端的外壁上安装有气体流量计，且气体流量计位于连接管的一侧，所述反应器的一端安装有滑块b，所述滑块b的另一侧安装有橡胶垫，所述滑槽c设置在安装板b的一侧外壁上，所述安装板b的另一侧安装有控制器，所述安装板b安装在安装板a的上表面一侧，所述反应器的另一端安装有滑块c，所述滑块c的另一侧安装有橡胶垫，所述橡胶垫的另一侧外壁安装在滑槽c的内壁上，所述滑槽a设置在安装板c的一侧内壁上，所述安装板c安装在安装板a上表面的另一侧。

优选的，所述储存壳体的底部四个拐角处均安装有支撑腿，且支撑腿的底部安装有底座。

优选的，所述柜门的前端面安装有把手。

优选的，所述储存壳体后端面的两侧均设置有通风孔。

优选的，所述加热套的内壁上安装有挡板a和挡板b，且挡板a位于挡板b的一侧。

优选的，所述反应器的另一端外壁下方设置有进气管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

（1）通过气体流量计和反应器的配合设置，气体流量计会控制反应气体进入反应器的速率，反应气体进入反应器的速率得到控制会使得反应器里的化学反应更彻底，同时避免了原料的浪费，提高了经济效益。

（2）通过加热套、加热丝a、加热丝b和加热丝c的配合设置，加热套里的加热丝a、加热丝b和加热丝c会形成三个多温区域，多温区域的存在会为气相沉积提供良好的温度环境，提高了气相沉积的效果，提高了工作质量，实用性强。

（3）通过螺纹杆、手轮、反应器、加热套和滑块a的配合设置，正转或反转手轮，手轮进行正转或反转会带动螺纹杆进行正转或反转，螺纹杆进行正转或反转会通过螺纹啮合作用带动滑块a进行向左或向右的直线运动，滑块a进行向左或向右的直线运动会带动加热套进行向左或向右的直线运动，加热套进行向左或向右的直线运动会均匀的对反应器进行加热，提高了气相沉积的速度，实用性强。

附图说明

图1为本实用新型的正视结构示意图；

图2为本实用新型的正视剖视图；

图3为本实用新型的侧视结构示意图；

图4为本实用新型的后视结构示意图。

图中：1、进气管；2、螺纹杆；3、手轮；4、储存壳体；5、柜门；6、隔板；7、支撑腿；8、底座；9、把手；10、铰链；11、安装板a；12、安装板b；13、气体流量计；14、反应器；15、加热套；16、连接管；17、安装板c；18、加热丝a；19、挡板a；20、加热丝b；21、挡板b；22、加热丝c；23、滑槽a；24、橡胶垫；25、滑块a；26、滑槽b；27、控制器；28、通风孔；29、滑块b；30、滑块c；31、滑槽c。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参阅图1-4，本实用新型提供的一种实施例：一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置，包括储存壳体4、柜门5、反应器14、加热套15、滑槽a23和滑槽c31，储存壳体4的底部四个拐角处均安装有支撑腿7，支撑腿7的底部安装有底座8，储存壳体4的前端面安装位置安装有隔板6，隔板6和储存壳体4的内壁之间均通过铰链10安装有柜门5，柜门5的前端面安装有把手9，储存壳体4后端面的两侧均设置有通风孔28，储存壳体4的上表面中心位置安装有安装板a11，安装板a11的上表面设置有滑槽b26，滑槽b26的内壁上安装有滑块a25，滑块a25的内壁上安装有螺纹杆2，螺纹杆2的一端安装在滑槽b26一侧内壁的轴承内，螺纹杆2的另一端穿过安装板a11的另一侧外壁与手轮3连接，滑块a25的上表面安装有加热套15，加热套15的内壁上安装有挡板a19和挡板b21，且挡板a19位于挡板b21的一侧，加热套15的一侧内壁上安装有加热丝a18，加热丝a18的另一端安装有挡板a19，且挡板a19位于加热套15的内部，挡板a19的另一侧安装有加热丝b20，加热丝b20的另一端安装有挡板b21，且挡板b21位于加热套15的内部，挡板b21的另一侧安装有加热丝c22，加热丝c22的另一端安装在加热套15另一侧的内壁上，加热套15的内壁上安装有反应器14，反应器14的两端外壁上均安装有连接管16，反应器14的一端的外壁上安装有气体流量计13，且气体流量计13位于连接管16的一侧，反应器14的一端安装有滑块b29，滑块b29的另一侧安装有橡胶垫24，橡胶垫24的另一侧外壁安装在滑槽c31的内壁上，滑槽c31设置在安装板b12的一侧外壁上，安装板b12的另一侧安装有控制器27，安装板b12安装在安装板a11的上表面一侧，反应器14的另一端外壁下方设置有进气管1，反应器14的另一端安装有滑块c30，滑块c30的另一侧安装有橡胶垫24，滑槽a23设置在安装板c17的一侧内壁上，安装板c17安装在安装板a11上表面的另一侧。

工作原理：气体流量计13会控制反应气体进入反应器14的速率，反应气体进入反应器14的速率得到控制会使得反应器14里的化学反应更彻底，同时避免了原料的浪费，提高了经济效益，加热套15里的加热丝a18、加热丝b20和加热丝c22会形成三个多温区域，多温区域的存在会为气相沉积提供良好的温度环境，提高了气相沉积的效果，提高了工作质量，实用性强，正转或反转手轮3，手轮3进行正转或反转会带动螺纹杆2进行正转或反转，螺纹杆2进行正转或反转会通过螺纹啮合作用带动滑块a25进行向左或向右的直线运动，滑块a25进行向左或向右的直线运动会带动加热套15进行向左或向右的直线运动，加热套15进行向左或向右的直线运动会均匀的对反应器14进行加热，提高了气相沉积的速度，实用性强。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。