1.一种陶瓷件制作方法,其特征在于,包括:
对陶瓷生胚进行烧结,形成陶瓷件;
对所述陶瓷件进行加工,使所述陶瓷件形成指定形状;
按指定温度曲线对所述陶瓷件进行退火工艺;
其中,所述指定温度曲线包括至少八个变温时段,每个所述变温时段均包括变温子时段和保温子时段;并且,通过设定各个所述变温时段中的所述变温子时段的时间范围、退火温度变化范围和变温速率值以及所述保温子时段的时长,来减小所述陶瓷件的微裂纹长度,并减少所述陶瓷件的颗粒数。
2.根据权利要求1所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,所述指定温度曲线包括:八个变温时段;并且,各个所述变温时段的上限端值在各自的指定时间范围内取值;各个所述变温时段的变温速率值在各自的指定速率范围内取值;其中,
第一个变温时段的下限端值为第0小时,上限端值为第3.5小时,退火温度从36℃上升至350℃,变温速率值为1.67℃/min;在所述退火温度达到350℃后保温0.5h;
第二个变温时段的下限端值为第4小时,上限端值为第9小时,所述退火温度从350℃上升至750℃,变温速率值为1.33℃/min;在所述退火温度达到750℃后保温1h;
第三个变温时段的下限端值为第10小时,上限端值为第17.5小时,所述退火温度从750℃上升至1100℃,变温速率值为0.78℃/min;在所述退火温度达到1100℃后保温1.5h;
第四个变温时段的下限端值为第19小时,上限端值为第29小时,所述退火温度从1100℃上升至1400℃,变温速率值为0.5℃/min;在所述退火温度达到1400℃后保温8h;
第五个变温时段的下限端值为第37小时,上限端值为第57小时,所述退火温度从1400℃下降至1100℃,变温速率值为0.25℃/min;在所述退火温度达到1100℃后保温1h;
第六个变温时段的下限端值为第58小时,上限端值为第98或111.5小时,所述退火温度从1100℃下降至700℃,变温速率值为0.17℃/min;在所述退火温度达到700℃后保温1h;
第七个变温时段的下限端值为第99或112.5小时,上限端值为第186.5或124.5小时,所述退火温度从700℃下降至350℃,变温速率值为0.07℃/min;在所述退火温度达到350℃后保温1h;
第八个变温时段的下限端值为第187.5或125.5小时,上限端值为第267.5或137小时,所述退火温度从350℃下降至36℃,变温速率值为0.07℃/min;在所述退火温度达到36℃后保温1h。
3.根据权利要求2所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,各个所述变温时段的上限端值对应的所述指定时间范围为该上限端值±时间幅度值。
4.根据权利要求3所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,所述时间幅度值是该上限端值的10%。
5.根据权利要求2所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,各个所述变温时段的变温速率值对应的所述指定速率范围为该变温速率值±速率幅度值。
6.根据权利要求5所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,所述速率幅度值是该变温速率值的10%。
7.根据权利要求1所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,所述陶瓷件制作方法应用于包含99.5%的氧化铝陶瓷件。
8.根据权利要求1所述的陶瓷件制作方法,其特征在于,所述陶瓷生胚采用在陶瓷粉粒中加入胶黏剂的方式制成。
9.一种陶瓷件,应用于半导体加工设备,其特征在于,所述陶瓷件采用权利要求1-8任意一项所述的陶瓷制作方法制成。
10.根据权利要求1所述的陶瓷件,其特征在于,所述陶瓷件应用于半导体加工设备中的介质窗、内衬或者介质筒。