一种复配表面活性剂改性蒙脱土的方法以及制备的改性蒙脱土的制作方法

文档序号:8275801阅读:251来源:国知局
一种复配表面活性剂改性蒙脱土的方法以及制备的改性蒙脱土的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种改性蒙脱土的方法,具体涉及一种复配表面活性剂改性蒙脱土的 方法以及制备的改性蒙脱土。
【背景技术】
[0002] 蒙脱土是一种土状矿物,其晶体结构中的晶胞是由两层硅氧四面体中间夹一层铝 氧八面体构成,属2:1型层状硅酸盐。这种特殊的晶体结构赋予蒙脱土独特的性质,如表面 极性大、阳离子交换能力强、层间表面含水等,广泛用于废水处理,环境修复,抗菌材料,催 化等。但是,蒙脱土层间有大量无机离子而表现出亲水疏油性,不利于其在聚合物基体中的 分散,因此要对蒙脱土进行有机改性。进行有机改性的目的旨在改变蒙脱土表面的高极性, 使蒙脱土层间由亲水性转变为亲油性,降低其表面能,同时使蒙脱土的层间距增大(天然 钠基蒙脱土的层间距仅1. 2nm左右),具有更好的稳定性、分散性及吸附性能,使得高分子 链或单体进入层间,从而制备出纳米复合材料。
[0003] 使用表面活性剂对蒙脱土改性是一种常见的有机改性方式,常用的表面活性剂有 阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂以及非离子表面活性剂。目前有机蒙脱土主要是以 十二烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十八烷基二甲基氯化铵等传统的单链表 面活性剂作为改性剂,在60?80°C下反应近10h才可得到。其反应时间长,重复性差,且 改性剂需求量大,改性后的蒙脱土层间距小等不利因素限制了有机蒙脱土的工业生产与应 用。

【发明内容】

[0004] 本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的不足,提供一种采用复配表 面活性剂改性蒙脱土的方法以及由此制备的改性蒙脱土。
[0005] 为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
[0006] 提供一种复配表面活性剂改性蒙脱土的方法,其特征在于,具体步骤如下:将钠基 蒙脱土分散于去离子水中,配成质量浓度为0. 2?1. 0%的蒙脱土悬浮液,在室温下充分搅 拌均匀,然后加入双子表面活性剂,升温至60?90°C搅拌均匀,接着加入十二烷基硫酸钠 (SDS),继续在70?80°C下充分搅拌均匀,然后将悬浮液过滤、洗涤、干燥,然后研磨,密封 得到复配表面活性剂改性蒙脱土,
[0007] 所述双子表面活性剂分子结构式如下:
[0008]
【主权项】
1. 一种复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,具体步骤如下;将钢基蒙脱 ±分散于去离子水中,配成质量浓度为0. 2?1. 0%的蒙脱±悬浮液,在室温下充分揽拌均 匀,然后加入双子表面活性剂,升温至60?9(TC揽拌均匀,接着加入十二烧基硫酸钢,继续 在70?80°C下充分揽拌均匀,然后将悬浮液过滤、洗漆、干燥,然后研磨,密封得到复配表 面活性剂改性蒙脱±,所述双子表面活性剂分子结构式如下:
2. 根据权利要求1所述的复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,所述钢基 蒙脱±的阳离子交换容量为80?120meq/100g。
3. 根据权利要求1所述的复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,所述双子 表面活性剂在蒙脱±悬浮液中的浓度为0. 001?0,01mol/L。
4. 根据权利要求1所述的复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,所述60? 90°C揽拌时间为2?化。
5. 根据权利要求1所述的复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,所述十二 烧基硫酸钢与双子表面活性剂的摩尔比为0. 1?1:1。
6. 据权利要求1所述的复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,所述70? 80°C揽拌时间为3?化。
7. 根据权利要求1所述的复配表面活性剂改性蒙脱±的方法,其特征在于,所述洗漆、 干燥条件为依次用去离子水和无水己醇洗漆2?4次,并于70?80°C干燥12?2化。
8. -种权利要求1-7任一所述方法制备的改性蒙脱±,其特征在于:层间距为1. 92? 3. 75nm。
【专利摘要】本发明涉及一种复配表面活性剂改性蒙脱土的方法以及制备的改性蒙脱土,该方法具体步骤如下:将钠基蒙脱土分散于去离子水中,配成质量浓度为0.2~1.0%的蒙脱土悬浮液,在室温下充分搅拌均匀,然后加入双子表面活性剂,升温至60~90℃搅拌均匀,接着加入十二烷基硫酸钠,继续在70~80℃下充分搅拌均匀,然后将悬浮液过滤、洗涤、干燥,然后研磨,密封得到复配表面活性剂改性蒙脱土,XRD测量表明,与单一表面活性剂相比,复配表面活性剂体系能更有效地扩大蒙脱土的层间距,达3.75nm。
【IPC分类】C01B33-44
【公开号】CN104591199
【申请号】CN201410817672
【发明人】刘治田, 李超, 张旗, 郑乐驰, 陈喆, 王成, 潘冠儒
【申请人】武汉工程大学
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年12月24日
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