一种远红外复合材料生产方法

文档序号:8332402阅读:302来源:国知局
一种远红外复合材料生产方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种远红外复合材料的生产方法,尤其是以竹炭和电气石为原料的远红外复合材料及其生产方法。
【背景技术】
[0002]目前,公知的远红外陶瓷粉体的远红外辐射发射率偏低,大多在0.7?0.85之间。而当前国内外的远红外材料普遍使用金属氧化物和非金属氧化物以及稀土材料,存在着成本较高.生产工艺复杂以及功能单一等问题。因此开发更高辐射率、低成本、低能耗、生产工艺简单的远红外材料成为必然趋势。

【发明内容】

[0003]本发明提供一种以竹炭、电气石复合生产成远红外材料的生产方法,该远红外复合材料具有远红外发射率高、成本低廉等特点。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:配比竹炭50%、电气石50%,进行复合制作,具体方法为:(I)、将电气石在500?700°C煅烧I?3小时;
(2)、将煅烧后的电气石与竹炭按配方比例充分混合进行研磨,使所得的混合粉体粒度达到0.1?Ium ; (3)、将混合粉体在90?IlOMPa压力下成型,然后在真空环境下于850?1000°C煅烧I?5小时,得煅烧物;成型后的大小为①40?60mmX7?13mm ; (4)、将煅烧物冷却至常温,得复合材料。
[0005]作为本发明的竹炭一电气石远红外复合材料的生产方法的改进:将步骤4)所得的复合材料抛光后,切割成形。
[0006]本发明的生产方法原料简单易得、生产工艺简便、生产能耗低,且生产过程符合环保要求;所得的竹炭一电气石远红外复合材料成本低廉、远红外发射率高;可应用于服装鞋帽,日用化工,电子电器等领域。
【具体实施方式】
[0007]下面结合实施例对本发明进一步说明
方法1:将竹炭50%,电气石50%。生产方法如下:
(1)、将5um的电气石在600°C煅烧2小时;
(2)、将煅烧后的电气石与300目的竹炭按1:1的重量比充分混合,然后放入气流磨中进行研磨,使所得的混合粉体粒度为0.5um ;
(3)、将混合粉体在10MPa压力下成型(一般为①50mmX1mm),然后放入真空石墨烧结炉中在真空环境下于850°C煅烧5小时,得煅烧物;
(4)、将煅烧物冷却至常温,然后经抛光后,切割成形。
[0008]方法2:—种何炭一电气石远红外复合材料,其原料配方组成重量百分比为:竹炭50%,电气石50%。生产方法如下: (1)、将6um的电气石在500°C煅烧3小时;
(2)、将煅烧后的电气石与400目的竹炭按1:1的重量比充分混合,然后放入气流磨中进行研磨,使所得的混合粉体粒度为0.1um ;
(3)、将混合粉体在10MPa压力下成型,然后放入真空石墨烧结炉中在真空环境下于900°C煅烧3小时,得煅烧物;
(4)、将煅烧物冷却至常温,然后经抛光后,切割成形。
[0009]方法3:—种竹炭一电气石远红外复合材料,其原料配方组成重量百分比为:竹炭50%,电气石50%。生产方法如下:
(1)、将4um的电气石在700°C煅烧I小时;
(2)、将煅烧后的电气石与300目的竹炭按1:1的重量比充分混合,然后放入气流磨中进行研磨,使所得的混合粉体粒度为Ium ;
(3)、将混合粉体在10MPa压力下成型,然后放入真空石墨烧结炉中在真空环境下于1000°C煅烧I小时,得煅烧物;
(4)、将煅烧物冷却至常温,然后经抛光后,切割成形。
【主权项】
1.一种远红外复合材料的生产方法,其特征是该复合材料的配方为:竹炭50%、电气石50%。
2.根据权利要求1所述的竹炭一电气石远红外复合材料的制备方法,其特征是包括以下方法: (1)、将电气石在500?700°C煅烧I?3小时; (2)、将煅烧后的电气石与竹炭按配方比例充分混合进行研磨,将混合粉体在90?IlOMPa压力下成型,然后在真空环境下于850?1000°C煅烧I?5小时,得煅烧物。
【专利摘要】本发明涉及一种远红外复合材料的生产方法。本发明提供一种以竹炭、电气石复合生产成远红外材料的生产方法,配比竹炭50%、电气石50%,进行复合制作,具体方法为:(1)将电气石在500~700℃煅烧l~3小时;(2)将煅烧后的电气石与竹炭按配方充分混合进行研磨,使所得的混合粉体粒度达到0.1~lμm;(3)将混合粉体在90~110MPa下成型,然后在真空环境下于850~1000℃煅烧l~5小时,得煅烧物;成型后的大小为40~60mm×7~13mm;(4)将煅烧物冷却至常温,得复合材料。本发明的生产方法原料简单易得、生产工艺简便、生产能耗低,且生产过程符合环保要求,成本低廉。
【IPC分类】C04B35-52, C04B35-622, C04B35-16
【公开号】CN104649674
【申请号】CN201310603000
【发明人】张娣
【申请人】张娣
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2013年11月26日
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