玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种熔融玻璃原料而制造玻璃基板的玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置。尤其涉及一种玻璃基板的制造方法中的澄清步骤。
【背景技术】
[0002]通常，玻璃基板是经过由玻璃原料产生熔融玻璃后、使熔融玻璃成形为玻璃基板的步骤而制造。在所述步骤中，包含将熔融玻璃内所含的微小的气泡去除的步骤(以下，也称为澄清)。澄清是以如下方式进行:一面加热管状的澄清槽的本体，一面使调配有澄清剂的熔融玻璃通过该澄清槽本体(以下，也仅称为本体)，利用澄清剂的氧化还原反应而将熔融玻璃中的气泡去除。更具体而言，当进一步提高经粗熔解的熔融玻璃的温度而使澄清剂发挥功能从而使气泡上浮脱泡之后，降低温度，由此，未完全脱泡而残留的相对较小的气泡被熔融玻璃吸收。即，澄清包含使气泡上浮脱泡的处理(以下，也称为脱泡处理或脱泡步骤)及使小泡吸收至熔融玻璃的处理(以下，也称为吸收处理或吸收步骤)。以前，澄清剂通常为As2O3，但近年来从环境负荷的观点而言，使用SnO2等。
[0003]为了由高温的熔融玻璃量产出质量较高的玻璃基板，理想的是考虑成为玻璃基板的缺陷的主要原因的杂质等未从制造玻璃基板的任一种装置混入至熔融玻璃。因此，在玻璃基板的制造过程中与熔融玻璃接触的构件的内壁必需根据与该构件接触的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的质量等，而由适当的材料构成。例如，已知构成所述澄清槽本体的材料通常可使用铂或铂合金等铂族金属(专利文献I)。铂或铂合金虽昂贵但熔点较高，对熔融玻璃的耐蚀性也优异。
[0004]在脱泡步骤时加热澄清槽本体的温度根据应成形的玻璃基板的组成而有所不同，为1600?1700°C左右。
[0005]作为加热澄清槽本体的技术，例如，已知通过在澄清槽本体设置一对凸缘状的电极，并对该电极偶施加电压，而对澄清槽本体进行通电加热的技术(专利文献2)。而且，在凸缘状的电极，设置有由铜或镍构成的水冷管。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本专利特表2006-522001号公报
[0009]专利文献2:日本专利特表2011-513173号公报
【发明内容】
[0010][发明所要解决的问题]
[0011]近年来，玻璃基板中所含的铂杂质成为问题。
[0012]近年来，例如，液晶显示器(IXD)、有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示器等平板显示器中使用的玻璃基板(FH)用玻璃基板)内所含的铂杂质特别严格地受限制。而且，不仅在用于平板显示器时成为问题，在其他用途中也成为问题。
[0013]然而，如所述专利文献2中记载般，若以水冷管冷却凸缘状的电极，则在澄清槽的电极附近的位置，温度局部降低。
[0014]另一方面，在澄清槽本体的内部表面由铂或铂合金(铂族金属)构成的情况下，与气相空间(包含氧气的氛围)接触的部分会挥发。已挥发的铂或铂合金在澄清槽的电极附近的温度局部降低的位置凝结，成为凝结物并附着。该凝结物的一部分掉落并混入至脱泡步骤中的熔融玻璃中，从而可能作为铂杂质而混入至玻璃基板。
[0015]鉴于以上方面，本发明欲提供一种可减少玻璃制品的铂杂质的玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置。
[0016][解决问题的技术手段]
[0017]本发明具有以下态样。
[0018][态样I]
[0019]一种玻璃基板的制造方法，包含熔解步骤、澄清步骤及成形步骤，该玻璃基板的制造方法的特征在于:
[0020]所述澄清步骤中使用的澄清槽是由铂或铂合金构成，且具有用以对所述澄清槽进行通电加热的凸缘状的电极，
[0021]在所述澄清步骤中，
[0022]在所述经通电加热的澄清槽内，以具有气相空间的方式调整液位使所述熔融玻璃通过，由此进行脱泡，
[0023]为了抑制所述电极的发热而冷却所述电极，且
[0024]所述电极的冷却是以所述澄清槽的壁的温度成为超过所述澄清槽的气相空间内产生的铂蒸气凝结的温度的范围的方式得以控制。
[0025][态样2]
[0026]如态样I的玻璃基板的制造方法，其中，在所述澄清步骤中，
[0027]对所述电极或所述电极附近的澄清槽的温度进行测定，且
[0028]基于所述测定出的温度，调整所述电极的冷却量。
[0029][态样3]
[0030]如态样2的玻璃基板的制造方法，其中，在所述澄清步骤中，
[0031 ] 判定所述测定出的电极或电极附近的澄清槽的温度是否在预先规定的温度范围内，当所述判定的结果为测定出的温度处于所述预先规定的温度范围外时，调整所述冷却量。
[0032][态样4]
[0033]如态样I至3中任一项的玻璃基板的制造方法，其中，在所述澄清步骤中，使用氧化锡作为澄清剂。
[0034][态样5]
[0035]如态样I至4中任一项的玻璃基板的制造方法，其中，所述电极具有用以使冷媒通过的冷却管，且
[0036]所述澄清步骤是
[0037]增减通过所述冷却管的冷媒的量，由此而调整冷却量。
[0038][态样6]
[0039]如态样5的玻璃基板的制造方法，其中，所述冷媒为气体。
[0040][态样7]
[0041]一种玻璃基板制造装置，包含熔解槽、澄清槽、及成形装置，该玻璃基板制造装置的特征在于:
[0042]所述澄清槽是由铂或铂合金构成，且具有用以对所述澄清槽进行通电加热的凸缘状的电极，
[0043]所述电极是为了抑制所述电极的发热而得以冷却，且
[0044]所述电极的冷却是以所述澄清槽的壁的温度成为超过所述澄清槽的气相空间内产生的铂蒸气凝结的温度的范围的方式得以控制。
[0045][发明的效果]
[0046]根据本发明的玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置，可减少玻璃制品的铂杂质。
【附图说明】
[0047]图1是用以说明本实施形态的玻璃基板的制造方法的简单的步骤的流程图。
[0048]图2是本实施形态的玻璃基板制造装置的概略性配置图。
[0049]图3是表示本实施形态的澄清槽的构成的概略图。
[0050]图4是表示在本实施形态的澄清步骤中，控制装置调整电极的冷却的方法的一例的流程图。
[0051]图5是表示澄清槽的长度方向的温度分布的一例的图。
[0052]图6是表示电极的温度与时间的关系的一例的图。
【具体实施方式】
[0053]以下，一面参照图式，一面对本发明的玻璃基板的制造方法的实施形态进行说明。
[0054]图1是表示本实施形态的玻璃基板的制造方法的步骤的流程图。如图1所示，玻璃基板主要经过熔解步骤(STl)、澄清步骤(ST2)、均质化步骤(ST3)、供给步骤(ST4)、成形步骤(ST5)、缓冷步骤(ST6)、切断步骤(ST7)而制作。
[0055]而且，图2是经过所述熔解步骤(STl)?切断步骤(ST7)而制作的本实施形态的玻璃基板制造装置的概略图，且概略性地表示在各步骤中使用的装置的配置。
[0056]如图2所示，玻璃基板制造装置200具备:熔解装置40，其加热玻璃原料并产生熔融玻璃；澄清槽41，其使熔融玻璃澄清；搅拌装置100，其用以搅拌熔融玻璃而进行均质化；及成形装置42，其成形为玻璃基板。而且，具有在所述装置间移送熔融玻璃的玻璃供给管43a、43b、43c。连接熔解装置40以后的至成形装置42为止的各装置间的玻璃供给管43a、43b、43c、澄清槽41及搅拌装置100是由铂族金属构成。
[0057]恪解装置40是由耐火砖等耐火物构成。而且，在恪解装置40，设置有使未图示的混合燃料与氧气等而成的燃烧气体燃烧并发出火焰的燃烧器等加热机构。
[0058]在熔解步骤(STl)中，通过利用所述加热机构对添加有例如31102等澄清剂并供给至熔解装置40内的玻璃原料进行加热熔解而获得熔融玻璃MG。具体而言，使用未图示的原料投入装置将玻璃原料供给至熔融玻璃的液面。玻璃原料是由来自燃烧器的火焰的辐射热而受到加热。玻璃原料是由所述加热机构进行加热而逐渐地熔解，且熔于熔融玻璃MG中。
[0059]而且，所述加热机构也可为例如由钼、铂或氧化锡等构成的至少一对电极。该情况下，熔融玻璃MG也可通过使所述电极间流动有电流而得以通电加热，从而得以升温。
[0060]投入至熔解装置40的玻璃原料可根据应制造的玻璃基板的组成而适当制备。若列举制造用作TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)型IXD用基板的玻璃基板的情况作为一例，则将构成玻璃基板的玻璃组成物以质量％表示，优选的是含有
[0061]Si02:50 ?70%、