可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体元器件的工艺设备，尤其是一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置。
【背景技术】
[0002]传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；然而，现有的刻蚀装置中，由于电磁线圈的位置相对固定，致使其难以对反应容器内各个位置的反应气体进行均匀的处理，从而导致整体加工时间需得以延长，工作效率受到影响。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过降低反应室内各个位置单晶硅的不良率，以使得传感器整体生产效率得以改善。
[0004]为解决上述技术问题，本发明涉及一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室外部设置有多个在水平方向上的置放端架，每一个置放端架的均沿反应室的侧端面成环形延伸，所述置放端架与电磁线圈一一对应，每一个电磁线圈均固定于其所对应的置放端架的上端面；多个置放端架之间通过在竖直方向上延伸的支撑杆件进行连接；所述反应室的外部设置有多个升降丝杆，其连接至设置在反应室上端面的升降电机，所述升降丝杆与多个置放端架中，位于最高位置的置放端架彼此固定连接。
[0005]作为本发明的一种改进，相邻两个置放端架之间设置有至少3根支撑杆件，多个支撑杆件关于反应室的轴线成旋转对称。采用上述设计，其可通过多个支撑杆件以使得多个置放端架之间可实现稳定的连接。
[0006]作为本发明的一种改进，所述可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置中，升降丝杆与支撑杆件一一对应，每一个升降丝杆均连接有一个升降电机。采用上述设计，其可通过多个升降电机使得支撑杆件，置放端架以及电磁线圈在升降丝杆的驱动下进行升降时，可实时保持良好的稳定性。
[0007]作为本发明的一种改进，所述可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置中设置有四根支撑杆件，每一根支撑杆件与多个置放端架中，位于最高位置的置放端架的相交端部均固定连接有一根升降丝杆，每根升降丝杆分别对应连接至升降电机。采用上述设计，其可使得多个置放端架的连接以及升降的稳定性得以进一步的改善。
[0008]作为本发明的一种改进，每一个置放端架中均设置有多个导向轮；所述导向轮在置放端架与反应室之间进行延伸，且其与反应室的外壁相贴合。采用上述设计，其使得置放端架在升降过程中，可通过导向轮在反应室外壁上的滚动以实现置放端架连同电磁线圈在径向上的稳定性，以避免其发生位移以导致反应室内部单晶硅刻蚀精度受到影响。
[0009]作为本发明的一种改进，每一个置放端架中，其与支撑杆件的相交位置均设置有一个导向轮，其可使得置放端架连同电磁线圈的径向稳定性得以进一步的改善。
[0010]作为本发明的一种改进，反应室的外壁中，导向轮的对应位置设置有沿竖直方向延伸的导向轨道，所述导向轮延伸至导向轨道内部。采用上述设计，其可通过导向轨道的设置使得导向轮的运动轨迹更为精准，以避免其偏移。
[0011]作为本发明的一种改进，所述导向轨道的内壁之上设置有橡胶防护层，其可减少导向轮与反应室的相互损耗。
[0012]采用上述技术方案的可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其可通过设置在反应室外部的置放端架以对电磁线圈进行固定，置放端架可在升降丝杆的驱动下进行升降，以使得电磁线圈亦可随之进行升降；电磁线圈在升降过程中，其在反应室内部产生的电场分布亦会进行实时变化，从而使得反应室内的电场分布更为均匀，而反应室中，各个位置的反应气体在上述电场的作用下，其产生的等离子体的分布亦更为均匀，进而使得反应室中，各个位置的单晶硅所进行的刻蚀工艺的工艺精度均可得以达到需求程度。上述装置使得批量处理的单晶硅的整体加工精度得以改善，以避免残次品的出现，从而使得传感器整体的工艺效率得到提升。
【附图说明】
[0013]图1为本发明示意图；
图2为本发明中反应室水平截面图；
附图标记列表:
I 一反应室、2—送气管道、3—气源室、4 一抽气管道、5—真空泵、6—片架、7—片架旋转机构、8—电磁线圈、9 一置放端架、10—支撑杆件、11 一升降丝杆、12—升降电机、13—导向轮、14 一导向轨道。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0015]实施例1
如图1所示的一种可改善设备工作效率的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室1，反应室I的上端部设置有送气管道2，其连接至设置在反应室I外部的气源室3，反应室I的下端部设置有抽气管道4，其连接至设置在反应室I外部的真空泵5 ;所述反应室I的轴线位置设置有片架6，其连接至设置在反应室I外部的片架旋转机构7，其具体包括有连接至片架7的旋转轴，以及设置在反应室I外部的旋转电机；所述反应室I外侧设置有电磁线圈8。
[0016]所述反应室I外部设置有多个在水平方向上的置放端架9，每一个置放端架9的均沿反应室I的侧端面成环形延伸，所述置放端架9与电磁线圈8--对应，每一个电磁线圈8均固定于其所对应的置放端架9的上端面；多个置放端架9之间通过在竖直方向上延伸的支撑杆件10进行连接；所述反