采用化学浮选法从低品铝土矿中除硅的工艺的制作方法

文档序号:9445754阅读:734来源:国知局
采用化学浮选法从低品铝土矿中除硅的工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种低品质侣±矿处理工艺方法,尤其设及一种低品侣±矿的脱娃工 乙。
【背景技术】
[0002] 侣±矿是一种化学成分变化很大、组成非常复杂的含侣矿物,主要化学成分有 AI2O3、Si〇2、Fe2〇3、Ti〇2,并且含有少量的K20、MgO、CaO、S、Ga、V、Cr、P等杂质。随着国民经 济的快速持续发展,侣工业也快速地发展着,如此较好地满足了国民经济建设和社会发展 的需要,但随之也带来了资源和能源大量消耗的问题。特别是侣±矿资源贫乏问题,已成为 制约我国侣工业持续发展的瓶颈问题。据统计,2001~2007年间,我国用于氧化侣生产的侣 ±矿品位显著下降,矿石侣娃比从平均约10下降至平均不到7,由于2008年新的氧化侣厂 的投产,更加剧了资源的紧张局面,矿石平均侣娃比已降至6W下。
[0003] 目前,我国侣±矿的处理方法有选矿拜耳法、石灰拜耳法、富矿烧结法、混联法、串 联法等。但是运些方法生产工艺复杂、生产成本高、综合效益差,随着高品侣±矿资源的越 来越少,运些问题更加明显。因此,仅仅依靠高品侣±矿已难W维持国内氧化侣生产企业的 可持续发展,对低侣娃比的侣±矿进行综合利用的需求日益高涨。然而,对低品侣±矿的利 用而言,其中的娃含量比较高,娃元素是影响低品侣±矿的利用的重要因素之一。

【发明内容】

[0004] 有鉴于此,确有必要提供一种采用化学浮选法从低品侣±矿中除娃的工艺,W解 决上述问题。 阳〇化]本发明提供一种采用化学浮选法从低品侣±矿中除娃的工艺,包括W下步骤:将 粒度为50~100目的低品侣±矿颗粒和氣化氨气体置于流化床反应器中,在室溫~110°C 反应10~30min,得到脱娃固体残渣;用清水洗涂过滤所述脱娃固体残渣,得到高品侣± 矿。
[0006] 其中,所述低品侣±矿中的侣娃比小于等于7。所述低品侣±矿的原矿中W氧化 侣、二氧化娃等为主要成分,并含有氧化钟、氧化铁、氧化铁等杂质,而且所述低品侣±矿中 的各元素基本上是W氧化物形式存在的,其中的氧化侣具体地主要可分为一水硬侣石、= 水侣石和一水软侣石。因此,本文中的"娃的脱除率"和"脱娃率"均是指二氧化娃的脱除 率,"侣含量"是指氧化侣含量,"侣的回收率"是指氧化侣的回收率,"娃含量"是指氧化娃 的含量。低品侣上矿原矿中含有一水硬侣石、部分=水侣石和部分一水软侣石。所述室溫 的溫度为10~40°C。另外,本文中所述的"氣化氨气体"是指无水氣化氨气体。
[0007] 基于上述,所述低品侣±矿颗粒是通过依次对低品侣±矿原矿进行破碎、研磨处 理而得到的。
[0008] 基于上述,得到所述脱娃固体残渣的步骤包括:先将粒度为50~100目的所述低 品侣±矿颗粒置于所述流化床反应器中,再向所述流化床反应器中通入所述氣化氨气体, 在负压条件下,控制反应溫度为20~40°C,所述氣化氨气体在所述流化床反应器中停留 10~20min,W去除所述低品侣±矿颗粒中的娃元素和部分铁元素,得到所述脱娃固体残 渣。其中,该步骤设及的反应方程式为: Fe2〇3 +HF=FeFs+ 抓2〇,Si〇2 + 4HF=SiF* + 2&0。
[0009] 由于在脱娃过程中使用氣化氨气体作为反应物,为了防止所述流化床反应器受到 酸腐蚀,该流化床反应器应采用聚四氣乙締作为衬层。
[0010] 基于上述,所述负压的真空度为0. 08~0. 1MPa。运主要是因为在脱娃过程中会 有氣化娃气体产生,所W,在所述低品侣±矿颗粒发生分解时,所述流化床反应器是处于负 压状态的。
[0011] 基于上述,所述清水的溫度为80~90°C。所述脱娃固体残渣用清水清洗可W利用 其中残留的氣化氨最大程度地除去残留在该脱娃固体残渣中的部分铁、铁等元素,而且还 可W减少除娃元素后矿石中氣元素的含量。
[0012] 与现有技术相比,本发明提供的低品侣±矿脱娃工艺主要是利用化学浮选法,由 于侣±矿中的侣几乎W-水硬侣石的形式存在,而一水硬侣石在低溫下比较稳定,不与酸 碱反应,矿石中的铁等可溶性元素却可W用酸除去。二氧化娃能和氣化氨反应,因此,利用 低品侣±矿颗粒与氣化氨气体在流化床反应器中充分接触反应,可W除去所述低品侣±矿 颗粒中的绝大部分的娃元素W及一些酸溶性杂质,如氧化铁,甚至可W使娃的脱除率可达 到98. 84%,从而提高低品侣±矿的侣娃比,得到所述高品侣±矿,且该高侣娃比的侣±矿的 侣娃比大于10 ;该脱娃工艺基本上只有两个工艺步骤就可W完成,因此,本发明提供的方 法比较简单,易操作;而且能够提高侣±矿的侣娃比,有利于低品侣±矿的充分利用。
【附图说明】
[0013] 图1是本发明提供的采用化学浮选法从低品侣±矿中除娃的工艺流程图。
[0014] 图2是低品侣±矿颗粒的粒度对高品侣±矿产品组分的影响曲线图。
[0015] 图3是低品侣±矿颗粒与氣化氨气体的反应溫度对高品侣±矿产品组分的影响 曲线图。
【具体实施方式】
[0016] 下面通过【具体实施方式】,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
[0017] 实施例1 请参阅图1,本发明第一实施例提供一种采用化学浮选法从低品侣上矿中除娃的工艺, 包括W下步骤:提供如表1所示的低品侣±矿原矿,并将之置于破碎机中进行破碎,然后将 破碎后的低品侣±矿置于研磨机中进行研磨,得到粒度为100目的低品侣±矿颗粒;取所 述100目低品侣±矿颗粒10.OOg置于流化床反应器中,将氣化氨气体通入110°C的所述流 化床反应器中,反应30min,得到脱娃固体残渣;用80°C清水清洗、过滤所述脱娃固体残渣, 得到6. 969g高品侣±矿产品。采用X射线巧光分析法分析知道:高品侣±矿产品中Si〇2 含量为0. 18%,娃的脱除率为99. 61%,氣元素的含量为42. 89%,AI2O3含量为52. 33%。 阳0化]表1低品侣上矿原矿的组分

实施例2 本发明第二实施例提供一种采用化学浮选法从低品侣±矿中除娃的工艺,其与第一实 施例的不同之处在于: 所述低品侣±矿颗粒和氣化氨气体的反应溫度为70°C,反应15min得到脱娃固体残 渣,并依次用85°C清水清洗、干燥所述脱娃固体残渣得到5.400
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