一种低介电常数ag特性多层瓷介电容器瓷料及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明属于多层陶瓷电容器材料技术领域，特别设及一种低介电常数AG特性多 层瓷介电容器的瓷料。
【背景技术】
[0002] 随着微波通信技术及可穿戴通信技术的发展，对电子设备元器件的要求越来越 高。多层陶瓷电容器（W下简称MLCC)作为一种应用广泛的电子元器件，现有的技术将朝 着微型化，高频化方向发展。
[0003] MLCC作为重要电子元件与大规模集成电路一直保持高水平发展速度。对于开发介 电常数小于9、损耗小于3X104与近零介电常数溫度系数的材料较少，如中国专利申请号 为201310384657.8公开的一种主要成分为YB03微波介质陶瓷材料，该材料的介电常数在 10-13的范围内，频率特性和介电性能优良，但是运种材料含有B，其烧结溫度低，且混合预 烧过程中有挥发相产生，不易进行高频MLCC产品制备。
[0004] 现有多层陶瓷电容器要求材料与内电极共烧，且不与内电极发生化学反应，内电 极不烙化并具有良好的导电性。运限制了电极材料的选择性。现有的多层电容器生产中， 通常采用高烙点的贵金属如Pt、Au、Pd等做内电极，不但生产成本好，而且制作程序复杂。
【发明内容】
[0005] 为了克服现有技术的不足，提供一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料及 其制备方法，该瓷料具有低介电常数、低损耗、高电阻率，同时采用该瓷料的电容器的具有 优良的稳定性、制备工艺简单。
[0006] 本发明通过如下技术方案来实现：
[0007] 一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料，其原料组分为：
[0008] 100 重量份的（xCaCO厂ySi〇2);
[0009] 0-9 重量份的AI2O3;
[0010] 0-5 重量份的CaTi〇3; W11] 0-5重量份的MgO; 阳〇1引 0-0. 3重量份的RE2O3; 阳〇1引 其中：义=0.8-1.2,7 = 0.8-1.6，在（此曰(：〇3-751〇2)中0曰(：〇3和51〇2的摩尔比为 x:y；
[0014] 原料组份中包括AI2化、化Ti化、MgO和RE2化中的至少一种；
[0015] RE为Y、Ce或者NcL
[0016] 进一步的，所述的Alz化、化Ti化，MgO和REz化的晶粒尺寸均在4ymW下。
[0017] 进一步的，所述化CA、Si化，Alz化、化Ti化，MgO和RE2O3纯度均大于99%。
[0018] 一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料的制备方法，包括W下步骤：
[0019] 步骤l，合成（xCaC03-ySi02)粉体，将CaC03和Si0 2按CaC0 3:Si02=x巧的摩尔比 例进行称量、混合，并于去离子水中进行球磨，然后烘干、干燥、预烧后制得化Si〇3粉体；
[0020] 步骤2,在CaSi〇3粉体中加入Al2〇3、CaTi〇3,MgO和RE2O3中的至少一种进行配料， 制成原料粉体；
[0021] 步骤3,将所得的原料粉体过80目筛，造粒，造粒后在5-lOMPa压强下压制成生 巧； 阳02引步骤4,将所得的生昆，再经3-5小时升溫至1150-1350°C保溫1-8小时，制得低介 电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料；
[0023] 根据权利要求4所述的一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料的制备方法， 其特征在于：所述步骤1中的预烧是W5-15°C/min的升溫速度升至1100-1200°C，保溫 1-10小时。
[0024] 进一步的，所述步骤2中原料混合后加入去离子水，混合球磨20-30小时，烘干、粉 碎得到原料粉体。
[00巧]进一步的，采用氧化错球作为球磨介质。
[00%] 进一步的，所述步骤3加入质量百分比为8-15%的石蜡或PVA进行造粒。
[0027] 进一步的，所述步骤3中所述生巧为直径10-15mm、厚度1. 2-1. 8mm的圆片。
[0028] 由上述对本发明描述可知，本发明用于AG特性多层瓷介电容器的瓷料原料价格 低廉，具有低介电常数、低损耗、高电阻率和优良的稳定性；采用该种瓷料制成的用于AG特 性多层陶瓷电容器，W化Si〇3为主料，生产工艺简单、制作成本低，具有低介电常数，低的介 电损耗、高溫度稳定性且可调，适合更高频率的应用，有极高的工业应用价值。
【附图说明】
[0029] 下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
[0030] 图1为低介电常数AG特性多层瓷介电容器的制备工艺流程图。
【具体实施方式】
[0031] 参照附图所示，W下通过【具体实施方式】对本发明作进一步的描述。
[0032] 本发明提供了一种低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料，其原料组分为：
[0033] 100 重量份的（xCaC〇3-ySi〇2);
[0034] 0-9 重量份的AI2O3; 阳0对 0-5重量份的CaTi〇3;
[0036] 0-5 重量份的MgO;
[0037] 0-0. 3 重量份的RE2O3;
[0038] 其中：义=0.8-1.2,7 = 0.8-1.6，在（此曰(：〇3-751〇2)中0曰(：〇3和51〇2的摩尔比为 x:y,
[0039] 原料组份中包括AI2化、化Ti化、MgO和RE2化中的至少一种， 柳4〇]RE为Y、Ce或者NcL其中，Al2〇3、CaTi〇3、MgO和RE2O3的晶粒尺寸均在4ymW下； [0041]CaC〇3、AI2O3、CaTi〇3、MgO和RE2O3纯度均大于 99%。 阳042] 实施例1 :
[0043] 低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料的制备方法为： W44] 先将化C〇3和SiO2按照1:1的摩尔比混合均匀，在1150°C下预烧保溫2小时得到 化Si〇3粉体；
[0045] 将化Si化粉体、Al2〇3和CeO2按照1 :〇. 09 :0.OOl的质量比例混合后加入去离子 水，混合球磨24小时，烘干得到原料粉体；
[0046] 将所得的原料粉体过80目筛，加入用蒸馈水配制的15wt%浓度的石蜡粘结剂造 粒；
[0047] 将造粒的粉末在SMPa的压力下压成直径15mm、厚度1. 5mm的圆片； W48] 然后在烧结额溫度1100-1300°C，烧结时间为2小时，升溫速度为3°C/min;
[0049] 烧成的陶瓷圆片经过表面抛光，烧银，测量其介电性能。
[0050] 所获得的样品介电性能参数见表1 :
阳05引实施例2 :
[0053] 低介电常数AG特性多层瓷介电容器瓷料的制备方法为：
[0054] 先将化C〇3和SiO2按照1:1的摩尔比比例混合均匀，在115(TC下预烧保溫2小时 得到化Si〇3粉体； 阳化5]将化51〇3粉体、412〇3、〔曰1'1〇3和〔6〇2按照1:〇.〇3:0.025:0.015:0.001 的质量比 例混合后加入去离子水，混合球磨24小时，烘干得到原料粉体；
[0056] 将所得的原料粉体过40目筛，加入用蒸馈水配制的15wt%浓度的石蜡粘结剂造 粒；
[0057] 将造粒的粉末在SMPa的压力下压成直径15mm、厚度1. 5mm的圆片；
[005