支承玻璃基板及使用其的搬送体的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及支承玻璃基板及使用其的搬送体，具体来说，涉及在半导体封装件 (半导体装置）的制造工序中用于支承加工基板的支承玻璃基板及使用其的搬送体。
【背景技术】
[0002] 对于移动电话、笔记本型个人电脑、PDA(PersonalDataAssistance)等便携型电 子设备，要求小型化和轻量化。随之，用于这些电子设备的半导体芯片的安装空间也受到严 格限制，半导体芯片的高密度的安装成为课题。因此，近年来，通过三维安装技术，即，将半 导体芯片彼此层叠，将各半导体芯片间布线连接，从而实现半导体封装件的高密度安装。
[0003] 另外，以往的晶片级封装（WLP)通过如下方法来制作：以晶片的状态形成凸块后， 通过切割来单片化。然而，以往的WLP难以增加接脚数（pincount)，而且在半导体芯片的 背面暴露的状态下被安装，因此存在容易发生半导体芯片的缺损等的问题。
[0004] 因此，作为新的WLP，提出了fanout型的WLP。fanout型的WLP能够增加接脚 数，而且，通过保护半导体芯片的端部，能够防止半导体芯片的缺损等。
【发明内容】
[0005] 发明要解决的问题
[0006] fanout型的WLP具有：用树脂的密封材将多个半导体芯片塑模，形成加工基板 后，对加工基板的一个表面进行布线的工序；和形成焊接凸点的工序等。
[0007] 这些工序由于伴随约200°C的热处理，因而密封材可能变形，加工基板可能发生尺 寸变化。若加工基板发生尺寸变化，则对于加工基板的一个表面高密度地布线变得困难，而 且正确地形成焊接凸点也变得困难。
[0008] 为了抑制加工基板的尺寸变化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。然 而，即使在使用支承基板的情况下，加工基板的尺寸变化有时也会发生。
[0009] 本发明鉴于上述情况而完成，其技术课题在于，通过发明难以发生加工基板的尺 寸变化的支承基板和使用其的搬送体，从而有助于半导体封装件的高密度安装。
[0010] 用于解决问题的手段
[0011] 本发明人等反复进行各种实验的结果发现，通过采用玻璃基板作为支承基板，并 严格地限制该玻璃基板的热膨胀系数，能够解决上述技术的课题，作为本发明提出。即， 本发明的支承玻璃基板的特征在于，20~200°C的温度范围内的平均线热膨胀系数为 50X10 7/°C以上且66X10 7°C以下。此处，"20~200°C的温度范围内的平均线热膨胀系 数"能够利用膨胀计进行测定。
[0012] 玻璃基板容易使表面平滑化，且具有高刚性。因此，若使用玻璃基板作为支承基 板，则能够使加工基板牢固、且正确地进行支承。另外，玻璃基板容易透过紫外光等光。因 此，若使用玻璃基板作为支承基板，则通过设置粘接层等，能够容易地固定加工基板与支承 玻璃基板。另外，通过设置剥离层等，还能够容易地分离加工基板与支承玻璃基板。
[0013] 另外，对于本发明的支承玻璃基板而言，20~200°C的温度范围内的平均线热膨 胀系数被限制为50X10 7/°C以上且66X10 7/°C以下。这样一来，在加工基板内半导体芯片 的比例少、密封材的比例多的情况下，加工基板与支承玻璃基板的线热膨胀系数容易匹配。 并且，若二者的线热膨胀系数匹配，则加工处理时容易抑制加工基板的尺寸变化（特别是 翘曲变形）。其结果是，对于加工基板的一个表面，能够高密度地布线，而且还能够正确地形 成焊接凸点。
[0014] 第二，本发明的支承玻璃基板的特征在于，30~380°C的温度范围内的平均线热 膨胀系数为50X10 7°C以上且70X10 7/°C以下。此处，"30~380°C的温度范围内的平均 线热膨胀系数"能够利用膨胀计进行测定。
[0015] 第三，本发明的支承玻璃基板优选在半导体封装件的制造工序中用于加工基板的 支承。
[0016] 第四，本发明的支承玻璃基板优选相对于板厚方向的波长300nm时的紫外线透射 率为40%以上。此处，"相对于板厚方向的波长300nm时的紫外线透射率"能够通过例如使 用双光束型分光光度计，测定波长300nm的分光透射率进行评价。
[0017] 第五，本发明的支承玻璃基板优选杨氏模量为65GPa以上。此处，"杨氏模量"是指 通过弯曲共振法测定的值。需要说明的是，lGPa相当于约101.9Kgf/mm2。
[0018] 第六，本发明的支承玻璃基板优选作为玻璃组成，以质量％计含有Si02 50~ 80%、A1203 1 ~20%、B203 3 ~20%、Mg0 0 ~10%、Ca0 0 ~10%、Sr0 0 ~7%、Ba0 0 ~ 7%、Zn0 0 ~7%、Na20 5 ~15%、K20 0 ~10%〇
[0019] 第七，本发明的支承玻璃基板优选作为玻璃组成，以质量％计含有Si02 55~ 70%、A1203 3 ~15%、B203 5 ~20%、Mg0 0 ~5%、Ca0 0 ~10%、Sr0 0 ~5%、Ba0 0 ~ 5%、Zn0 0 ~5%、Na20 5 ~15%、K20 0 ~10%〇
[0020] 第八，本发明的支承玻璃基板优选是板厚低于2. 0mm、直径为100~500mm的晶片 形状或大致圆板形状，且板厚偏差为30μm以下。
[0021] 第九，本发明的搬送体的特征在于，是至少具备加工基板和用于支承加工基板的 支承玻璃基板的搬送体，支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。
[0022] 第十，本发明的半导体封装件的制造方法的特征在于，具有得到至少具备加工基 板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的搬送体的工序、搬送搬送体的工序、和对加工基 板进行加工处理的工序，并且支承玻璃基板为上述的支承玻璃基板。需要说明的是，"搬送 搬送体的工序"和"对加工基板进行加工处理的工序"无需分开进行，可以同时进行。具体 来说，可以在正当搬送中对搬送体的加工基板进行加工处理，或者在搬送搬送体的途中的 停止时或开始搬送体的搬送前的停止时或结束搬送体的搬送后的停止时，对搬送体的加工 基板进行加工处理。
[0023] 第十一，本发明的半导体封装件的制造方法优选加工处理包括在加工基板的一个 表面进行布线的处理。
[0024] 第十二，本发明的半导体封装件的制造方法优选加工处理包括在加工基板的一个 表面形成焊接凸点的处理。
[0025] 第十三，本发明的半导体封装件的特征在于，通过上述的半导体封装件的制造方 法来制作。
[0026] 第十四，本发明的电子设备的特征在于，是具备半导体封装件的电子设备，半导体 封装件为上述的半导体封装件。
【附图说明】
[0027] 图1是表示本发明的搬送体的一例的示意立体图。
[0028] 图2a是表不fanout型的WLP的制造工序的不意截面图。
[0029] 图2b是表不fanout型的WLP的制造工序的不意截面图。
[0030] 图2c是表不fanout型的WLP的制造工序的不意截面图。
[0031] 图2d是表不fanout型的WLP的制造工序的不意截面图。
[0032] 图2e是表不fanout型的WLP的制造工序的不意截面图。
[0033] 图2f是表示fanout型的WLP的制造工序的示意截面图。
[0034] 图2g是表示fanout型的WLP的制造工序的示意截面图。
【具体实施方式】
[0035] 在本发明的支承玻璃基板中，20~200°C的温度范围内的平均线热膨胀系数为 50X10 7/°C以上且66X10 7/°C以下，优选为53X10 7/°C以上且65X10 7/°C以下，特别优选 为55X10 7°C以上且63X10 7/°C以下。若20~200°C的温度范围内的平均线热膨胀系数 为上述范围外，则加工基板与支承玻璃基板的线热膨胀系数变得难以匹配。并且，若二者的 线热膨胀系数变得不匹配，则在加工处理时容易发生加工基板的尺寸变化（特别是翘曲变 形）。
[0036] 30~380°C的温度范围内的平均线热膨胀系数为50X10 7°C以上且70X107/°C 以下，优选为55X10 7/°C以上且65X10 7°C以下。若30~380°C的温度范围内的平均线热 膨胀系数为上述范围外，则加工基板与支承玻璃基板的线热膨胀系数变得难以匹配。并且， 若二者的线热膨胀系数变得不匹配，则在加工处理时容易发生加工基板的尺寸变化（特别 是翘曲变形）。
[0037] 在本发明的支承玻璃基板，相对于板厚方向的波长300nm时的紫外线透射率（换 言之，波长300nm时的板厚方向的紫外线透射率）优选为40%以上、50%以上、60%以上或 70%以上、特别