浮抛窑顶盖构件、使用它的浮法平板玻璃制造装置、及浮法平板玻璃制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及浮抛害顶盖构件、使用它的浮法平板玻璃制造装置、及浮法平板玻璃 的制造方法。
【背景技术】
[0002] 作为制造平板玻璃的一种方法，已知浮法。在该浮法中，通过（1)在被称为浮抛害 的容纳烙融锡的浴槽内导入烙融玻璃、（2)在烙融锡上从上游朝下游连续地运送烙融玻璃、
[3] -边冷却该烙融玻璃一边将其从浮抛害中排出，由此制造平板玻璃。
[0003] 通常，在浮抛害的上部设置有被称为浮抛害顶盖的顶板部分。该浮抛害顶盖由下 侧（即与浮抛害相对的一侧）与多个吊架卡合的耐火砖构成，即浮抛害顶盖为悬吊结构 (参见专利文献1~2)。
[0004] 现有技术文献 阳00引专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开平6-239631号公报
[0007] 专利文献2 :日本特开2001-139336号公报
【发明内容】
[0008] 发明所要解决的问题 阳009] 对于在浮抛害顶盖中使用的耐火砖而言，其比较轻，具有能够在高达1000°C左右 的高溫下长期使用的耐热性，由于在高溫下使用时能够使成为所制造玻璃的缺陷的蒸发物 的量少等，因此可W使用氧化侣（Al2〇3)-二氧化娃（Si〇2)基耐火砖，其中，由于娃线石基耐 火砖能够应用各种成型方法，并能够成型为各种形状等，因此能够使用。
[0010] 在浮抛害的冷法修补等中，有时在构成浮抛害顶盖的耐火砖中发现蠕变变形。构 成浮抛害顶盖的耐火砖形成为与吊架卡合的悬吊结构，因此如果耐火砖的蠕变变形发展的 话，则有可能从吊架上脱离而落下。另外，蠕变变形过度发展时，还有可能在耐火砖上产生 裂纹。
[0011] 对于耐火砖的蠕变变形而言，溫度越高发展越快，因此在将粘性更高的玻璃成型 为板状时、或者成型为虽然组成相同但是厚度较薄的平板玻璃时，在成型为优选0. 7mmW 下、更优选0. 5mmW下、进一步优选0. 3mmW下的厚度较薄的平板玻璃时，在升高浮抛害内 的气氛溫度时，认为问题会更显著。
[0012] 另外，蠕变变形量根据高溫环境中的保持时间随着时间推移而增加，因此长期使 用浮抛害则特别会产生问题。
[0013] 本发明的目的在于提供一种为了解决上述现有技术的问题而抑制了在高溫环境 下使用时的蠕变变形的浮抛害顶盖用构件、使用它的浮法平板玻璃制造装置、及浮法平板 玻璃制造方法。
[0014] 用于解决问题的手段
[0015] 为了实现上述目的，本发明提供一种浮抛害顶盖构件，其中，所述顶盖构件包含氧 化侣-二氧化娃基烧结体，所述氧化侣-二氧化娃基烧结体中各晶相的90质量％W上为莫 来石相、且氧化钢、氧化钟、氧化铁、氧化铁的合计含量为2质量％ ^下，所述浮抛害顶盖构 件由平均晶粒尺寸D50为1. 0mmW上的粗粒及平均晶粒尺寸D50为0. 1mmW下的细粒构成， 该粗粒及细粒的质量比为85~60质量％及15~40质量％。
[0016] 对于本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件而言，优选W25mmX15mmX100mm的 样品尺寸进行的弯曲蠕变试验（130(rC、载荷3. 5MPa)中的蠕变速度为1X10VsW下。
[0017] 另夕F，对于本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件而言，优选W25mmX15mmXlOOmm的样品尺寸进行的弯曲蠕变试验（130(rC)中的1000小时蠕变强度为 6M化W上。
[0018]另外，对于本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件而言，优选所述粗粒及细粒含 有莫来石粒子，该莫来石粒子为电烙莫来石粒子。
[0019]另外，对于本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件而言，优选在所述晶相中，莫来 石相W外的晶相，即，刚玉及方石英的含有率相对于氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶相为 10质量下。
[0020] 另外，对于本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件而言，优选所述莫来石相W外 的晶相为刚玉及方石英的任意化两者中，刚玉的含有比例高。
[0021] 另外，提供一种浮法平板玻璃制造装置，对于本发明的一个方案中的浮法平板玻 璃制造装置而言，其具有在内部容纳烙融锡的浮抛害和设置于所述浮抛害的上部的浮抛害 顶盖，其特征在于，所述浮抛害顶盖由本发明的浮抛害顶盖构件构成。
[0022] 而且，本发明的一个方式提供一种浮法平板玻璃制造方法，其包含使用本发明的 一个方式的浮法平板玻璃制造装置制作浮法平板玻璃。
[0023] 另外，对于本发明的一个方式中的浮法平板玻璃制造方法而言，优选所述浮法平 板玻璃为显示器用浮法玻璃，该浮法玻璃的厚度为0. 7mmW下。
[0024] 发明效果
[00巧]本发明的浮抛害顶盖构件抑制了在高溫环境下使用时的蠕变变形。
[00%] 因此，在平板玻璃的制造时，降低了浮抛害顶盖构件从吊架上脱离而落下的可能 性、在浮抛害顶盖构件上发生裂纹的可能性。
[0027] 另外，根据该特征，适合于像使用无碱玻璃等粘性高的玻璃制造平板玻璃时、制造 薄板玻璃时运样的要求提高浮抛害内的气氛溫度的浮法平板玻璃的制造。
[0028] 另外，根据该特征，适用于长期使用浮抛害的浮法平板玻璃的制造方法。
【附图说明】
[0029] 图1为表示弯曲蠕变试验中载荷与断裂时间的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0030]W下，对本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件及使用它的浮法平板玻璃制造装 置进行说明。
[0031] 本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件包含氧化侣-二氧化娃基烧结体，如专利 文献1、2中的耐火砖一样，在浮抛害的上部通过吊架W悬挂状态支撑而形成浮抛害顶盖。 通常，在浮抛害的上部配设多个浮抛害顶盖构件而形成浮抛害顶盖。因此，在该构件上需要 用于利用吊架W悬挂状态支撑的插入部或与其他构件的组合部，要求良好的成型性。
[0032] 本发明的浮抛害顶盖构件包含氧化侣-二氧化娃基烧结体，所述氧化侣-二氧化 娃基烧结体中各晶相的90质量％W上为莫来石相，且氧化钢、氧化钟、氧化铁、氧化铁的合 计含量为2质量％ ^下，由平均晶粒尺寸D50为1. 0mmW上的粗粒及平均晶粒尺寸D50为 0. 1mmW下的细粒构成，该粗粒及细粒的质量比为85~60质量％及15~40质量％。
[0033] 如上所述，W往，作为浮抛害顶盖构件，在氧化侣-二氧化娃基的烧结体中，主要 使用娃线石基的烧结体。所谓娃线石基的烧结体，是使用纯度比较高的原料的高氧化侣质 烧结砖的一种，作为晶相，莫来石、刚玉、方石英混合存在。
[0034] 氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶相中，作为氧化侣的刚玉在1200°CW上的高溫环 境下使用时，会逐渐塑性变形。另一方面，方石英在1400°CW下的溫度下会引起相转移（相 变）而转变为鱗石英，诱发因体积变化而产生的破裂。因此，大量含有运些晶相的烧结体会 由于塑性变形、破裂的发生而产生蠕变变形。
[0035] 与此相对，莫来石即使在1200°CW上的高溫环境下使用，也不会引起塑性变形、相 转移（相变）。因此，氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶相的90质量％W上为莫来石相的本 发明的浮抛害顶盖构件，即使在1200°CW上的高溫环境下使用，也不容易发生因塑性变形、 相转移（相变）引起的体积变化所导致的破裂。因此，蠕变变形少。
[0036] 需要说明的是，详细的内容如后所述，本发明的浮抛害顶盖构件由平均晶粒尺寸 不同的两种氧化侣-二氧化娃基烧结体（粗粒、细粒）构成。运两种氧化侣-二氧化娃基 烧结体各自的晶相的90质量％ ^上为莫来石相。
[0037] 如果莫来石相在氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶相中所占的比例低于90质量％， 则会发生由于莫来石相W外的晶相（刚玉、方石英）的塑性变形、相转移（相转变）引起的 体积变化所导致的破裂，从而蠕变变形变大。
[0038] 本发明的浮抛害顶盖构件可W含有氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶相10质量％ W下的莫来石相W外的晶相，即，刚玉及方石英。在运种情况下，莫来石相W外的晶相可W 为刚玉及方石英中的任意晶相。但是，在运两者中，刚玉在1200°CW上的溫度范围内使用 时，不会发生蠕变变形，因此在运两者中，优选刚玉的含有比例高。
[0039] 在本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件中，莫来石相在氧化侣-二氧化娃基烧 结体的晶相中所占的比例更优选为95质量％ ^上，进一步优选为97质量％W上。
[0040]另外，氧化侣-二氧化娃基烧结体含有氧化钢、氧化钟、氧化铁、氧化铁时，在 900°CW上的高溫环境下使用时与烧结体中的二氧化娃（Si〇2)反应而形成玻璃相。形成 运样的玻璃相时，烧结体软化，因此蠕变变形变大。因此，在浮抛害顶盖构件中使用的氧化 侣-二氧化娃基烧结体中，优选运些成分的含量低。
[0041] 本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件的氧化侣-二氧化娃基烧结体中氧化钢、 氧化钟、氧化铁、氧化铁的合计含量为2质量％ ^下，因此即使在1200°CW上的高溫环境下 使用时，烧结体也不软化，蠕变变形少。
[0042] 如上所述，本发明的浮抛害顶盖构件由平均晶粒尺寸不同的两种氧化侣-二氧化 娃基烧结体（粗粒、细粒）构成。运两种氧化侣-二氧化娃基烧结体各自的氧化钢、氧化钟、 氧化铁、氧化铁的合计含量为2质量％W下。
[0043] 本发明的一个方式中的浮抛害顶盖构件的氧化侣-二氧化娃基烧结体中氧化钢、 氧化钟、氧化铁、氧化铁的合计含量更优选为1. 5质量％ ^下，进一步优选为1质量％W下。
[0044] 本发明的浮抛害顶盖构件由各自包含氧化侣-二氧化娃基烧结体的、平均晶粒尺 寸D50为1. 0mmW上的粗粒和平均晶粒尺寸D50为0. 1mmW下的细粒构成。
[0045] 在制造浮抛害顶盖构件运样的块状氧化侣-二氧化娃基烧结体时，由于烧结时的 尺寸变化率难W产生各向异性等原因，因此在烧结体的原料中，通常使用粒度分布少的， 良P，粒径一定程度均匀的粒子。其结果是，构成所制造的块状氧化侣-二氧化娃基烧结体的 晶粒的粒度分布少，即，晶粒尺寸一定程度均匀。
[0046] 但是，构成块状氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶粒的粒度分布少，即，晶粒尺寸一 定程度均匀时，存在W下的问题。
[0047] 构成块状氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶粒的全部晶粒尺寸都较大时，在晶粒间 产生空隙。其结果是，晶粒彼此的结合变得不充分，氧化侣-二氧化娃基烧结体的蠕变变形 变大。另外，氧化侣-二氧化娃基烧结体的蠕变强度降低。
[0048] 另一方面，构成块状氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶粒的全部晶粒尺寸都较小 时，在晶粒间不产生空隙，然而烧结时的变形、收缩变大。其结果是，在烧结体内部产生潜在 的破裂，有可能在使用时发生破损。
[0049] 对于本发明的浮抛害顶盖构件而言，构成氧化侣-二氧化娃基烧结体的晶粒由平 均晶粒尺寸D5