一种用于多晶硅料的清洗液以及一种多晶硅料的清洗工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于多晶硅技术领域，具体涉及一种用于多晶硅料的清洗液以及一种多晶硅料的清洗工艺。
【背景技术】
[0002]目前晶体硅太阳能电池占据着光伏产业的主导地位。而硅片的成本占到了单/多晶体硅成本的一半以上，因此降低硅片的成本，提高硅片的质量，对于光伏行业的发展有着极其重要的意义，通过半熔工艺铸锭的硅锭，硅片质量及制备效率都更佳。
[0003]当通过铸锭炉采用半熔工艺生长铸造多晶晶体时，需要在石英坩祸底部放置细颗粒料作为籽晶。在多晶硅熔化阶段需要控制底部籽晶不熔化，但在开方阶段，砂浆会侵入这些不熔化的底部籽晶部分的内部，砂浆充满空隙层，而这部分的砂浆使用酸洗是无法去除的，所以必须在截断过程中将尾部红区有砂浆和无砂浆的硅料截断分开来清洗，这样增加了硅料损失，截一刀损失3_的硅料。在截完之后没有砂浆的硅料酸洗后可以作为回收料重复使用，但是有砂浆的硅料需要通过底部打磨，分选，敲碎，酸洗等一系列工作之后才能进行回炉，处理工艺复杂，能耗较高。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种用于多晶硅料的清洗液以及一种多晶硅料的清洗工艺，本发明提供的多晶硅料的清洗液可以用于多晶硅料的清洗，清洗工艺简单，能耗低，并且可以减少硅料的损失。
[0005]本发明提供了一种用于清洗多晶硅料的清洗液，包括:氢氟酸和双氧水。
[0006]优选的，在所述清洗液中，氢氟酸的质量浓度为lwt%?10wt%，双氧水的质量浓度为2wt % ?25wt %。
[0007]本发明还提供了一种多晶硅料的清洗工艺，包括以下步骤:
[0008]将待清洗硅料置于用于清洗多晶硅料的清洗液中浸泡后，经过酸洗、水洗和干燥，得到清洗干净的多晶硅料，所述清洗液包括氢氟酸和双氧水。
[0009]优选的，在所述清洗液中，氢氟酸的质量浓度为lwt%?10wt%，双氧水的质量浓度为2wt % ?25wt %。
[0010]优选的，所述浸泡的时间为6?20小时，浸泡的温度为20?60°C。
[0011 ]优选的，所述酸洗的酸液为硝酸与氢氟酸的混合酸。
[0012]优选的，所述硝酸的质量浓度为40wt%?70wt%，所述氢氟酸的质量浓度为40wt%?60wt% ο
[0013]优选的，所述硝酸与氢氟酸的体积比为1:5?1:10。
[0014]优选的，所述酸洗的时间为20?40s，所述酸洗的温度为60?100°C。
[0015]优选的，所述水洗采用超声波水洗。
[0016]与现有技术相比，本发明提供了一种用于清洗多晶硅料的清洗液，包括:氢氟酸和双氧水。本发明将待清洗的硅料直接浸泡于清洗液中，可以避免将将尾部红区有砂浆和无砂楽的娃料截断分开来清洗，减少了娃料损失，并且娃料清洗工艺简单，得到的娃料可直接作为循环料投炉使用，免除硅料的回炉生产，节省铸锭回炉过程中的能源损失。
[0017]结果表明，经过清洗后的多晶硅料表面无脏污;并用金属探测棒吸硅料，无金属吸出；测定所述多晶硅料的电阻率为1?3Ω - mo
【具体实施方式】
[0018]本发明提供了一种用于清洗多晶硅料的清洗液，包括:氢氟酸和双氧水。
[0019]本发明提供的清洗液为氢氟酸与双氧水的混合水溶液，其中，在进行混合水溶液配置时，溶剂优选为纯净水。
[0020]在所述清洗液中，氢氟酸的质量浓度为lwt %?10wt %，优选为2wt %?8wt % ；在本发明的一些实施例中，所述氢氟酸的质量浓度为lwt% ;在本发明的另一些实施例中，所述氢氟酸的质量浓度为4wt % ；在本发明的另一些实施例中，所述氢氟酸的浓度为10wt %。在所述清洗液中，双氧水的质量浓度为2wt%?25wt%，优选为5wt%?20wt% ;在本发明的一些实施例中，所述双氧水的质量浓度为2wt%;在本发明的另一些实施例中，所述双氧水的质量浓度为12wt% ;在本发明的另一些实施例中，所述双氧水的质量浓度为25wt%。
[0021]本发明提供的清洗液用于清洗多晶硅料，其中，本发明对所述多晶硅料的种类并没有特殊限制，优选为带有砂浆的硅料。
[0022]本发明还提供了一种多晶硅料的清洗工艺，包括以下步骤:
[0023]将待清洗硅料置于用于清洗多晶硅料的清洗液中浸泡后，经过酸洗、水洗和干燥，得到清洗干净的多晶硅料，所述清洗液包括氢氟酸和双氧水。
[0024]本发明所述的待清洗的硅料优选为带有砂浆的硅料，更优选为硅锭红外探伤之后的底部红区的硅料。
[0025]本发明将硅锭红外探伤之后的底部红区的硅料截断下来之后，并在清洗液中浸泡之前，优选将底部红区层打磨，以去除底部切方残留的胶水。本发明对打磨的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的打磨方法即可。
[0026]硅锭红外探伤之后的底部红区层打磨结束后，将所述待清洗的硅料置于清洗液中浸泡。在本发明中，所述清洗液为氢氟酸与双氧水的混合水溶液，其中，在进行混合水溶液配置时，溶剂优选为纯净水。
[0027]在所述清洗液中，氢氟酸的质量浓度为lwt %?10wt %，优选为2wt %?8wt % ；在本发明的一些实施例中，所述氢氟酸的质量浓度为lwt% ;在本发明的另一些实施例中，所述氢氟酸的质量浓度为4wt % ；在本发明的另一些实施例中，所述氢氟酸的浓度为10wt %。在所述清洗液中，双氧水的质量浓度为2wt%?25wt%，优选为5wt%?20wt% ;在本发明的一些实施例中，所述双氧水的质量浓度为2wt%;在本发明的另一些实施例中，所述双氧水的质量浓度为12wt% ;在本发明的另一些实施例中，所述双氧水的质量浓度为25wt%。
[0028]所述浸泡的时间为6?20小时，优选为8?15小时;在本发明的一些实施例中，所述浸泡时间为6h，在本发明的另一些实施例中，所述浸泡时间为12小时;在本发明的另一些实施例中，所述浸泡时间为20小时。所述浸泡的温度为20?60°C，优选为30?50°C;在本发明的一些实施例中，所述浸泡时间为20°C;在本发明的另一些实施例中，所述浸泡时间为40°C;在本发明的另一些实施例中，所述浸泡时间为60°C。
[0029]浸泡结束后，将所述浸泡后的硅料依次经过酸洗、水洗和干燥，得到清洗干净的多晶娃料。
[0030]本发明对所述硅料酸洗、水洗和干燥的方法并没有特殊限制，本领域技术人员公知的硅料酸洗、水洗和干燥的方法即可。
[0031 ]在本发明中，对所述硅料的酸洗优选按照如下方法进行:
[0032]将所述浸泡后的硅料置于酸液中进行酸洗，所述酸液为硝酸与氢氟酸的混合酸。
[0033]本发明对所述混合酸的配置方法并没有特殊限制，将硝酸与氢氟酸混合即可。其中，所述硝酸的质量浓度为40wt%?70wt%，优选为60wt%。所述氢氟酸的质量浓度为40wt%?60wt%，优选为48wt%。所述硝酸与氢氟酸的体积比为1:5?1:10，优选为1:8。
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